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1、考试试卷( 1 ）卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分)1、电子技术包括_和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_状态.当器件的工作频率较高时,_损耗会成为主要的损耗. 3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_，当它为常数时的调制方式称为_调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_分段同步_调制。 4、面积等效原理指的是，_冲量_相等而_形状_不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。5、在GTR、GTO、I
2、GBT与MOSFET中,开关速度最快的是_MOSFET_，单管输出功率最大的是_GTO_，应用最为广泛的是_IGBT_。 6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变,如果接到负载，则称为 逆变。8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1，V2，VD2表示)。（1） 0t1时间段内，电流的通路为_VD1_；(2) t1t2时间段内，电流的通路为_V1_；（3) t2t3时间段内，电流的通路为_VD2_；(4
3、） t3t4时间段内,电流的通路为_V2_;（5） t4t5时间段内，电流的通路为_VD1_；二、选择题（本题共10小题,前4题每题2分，其余每题1分，共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ B )A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通,V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断,V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶 闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C
4、、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度 3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1t2时间段内，有( ）晶闸管导通。A、1个 B、2个 C、3个 D、4个 4、对于单相交交变频电路如下图，在t1t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（ )A、P组阻断,N组整流 B、P组阻断，N组逆变C、N组阻断，P组整流 D、N组阻断，P组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是（ D ）A、30150 B、0120 C、15125 D、
5、0150 6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（ A ）A、加快功率晶体管的开通 B、延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度 D、保护器件 7、直流斩波电路是一种（ C )变换电路.A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC 8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ B ）A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路 C、di/dt抑制电路 D、吸收电路 9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ A ）A、减小至维持电流以下 B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下 D、减小至5A以下 10、IGBT是一个复合型的器
6、件，它是（ B ）A、GTR驱动的MOSFET B、MOSFET驱动的GTR C、MOSFET驱动的晶闸管 D、MOSFET驱动的GTO三、简答题(共3小题，22分）1、简述晶闸管导通的条件与关断条件.（7分） 2、电压型逆变电路的主要特点是什么？(8分)3、简述实现有源逆变的基本条件，并指出至少两种引起有源逆变失败的原因（7分）四、作图题(共 2 小题，每题12分，共24分）1、三相全控桥，阻感负载，主回路整流变压器的接法是D,y5,采用NPN管的锯齿波触发器，要求在整流与逆变状态运行。同步变压器二侧电压经RC滤波器滤波后（滞后角为30）接到触发电路.同步变压器的的接法为Y/Y10，4接法，
7、如下图所示，选择晶闸管的同步电压.(要给出分析过程，分析依据)晶 闸 管VT1VT2VT3VT4VT5VT6主电路电压+UuUw+UvUu+Uw-Uv同 步 电 压 2、电路与波形如图所示.（1）若在t1时刻合上K，在t2时刻断开K,画出负载电阻R上的电压波形;(2)若在t1时刻合上K，在t3时刻断开K，画出负载电阻R上的电压波形。（ug宽度大于3600).（a）电路图 （b）输入电压u2的波形图五、计算题(共 1 小题，共20分)1、电路如图所示，单相全控桥式整流电路接大电感负载，R=4，U2=220V.(1)触发角为60时，（a) 试求Ud、Id、晶闸管电流平均值IdVT、晶闸管电流有效值
8、IVT、变压器副边电流有效值I2；(b）作出ud、id、iVT2、i2 的波形图（图标清楚，比例适当)。(2)当负载两端接有续流二极管时，(a)试求Ud、Id、IdVT、IVT、IVD、IdVD 、I2；(b)作出ud、id、iVT2、iVD、i2 的波形图（图标清楚，比例适当）。考试试卷( 2 )卷一、填空题（本题共6小题，每空1分，共15分）1、_GTR_存在二次击穿现象，_存在擎住现象。 2、功率因数由和 这两个因素共同决定的。 3、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是 _措施。 4、同一晶闸管，维持电流IH与掣住电流IL在数值大小上有IL_IH。 5、电力变换通常可分为： 、
9、 和。6、在下图中,_V1_和_VD1_构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；_V2_和_VD2_构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源,使电动机作再生制动运行，工作于_2_象限。二、选择题(本题共11小题，9，10，11小题每题2分，其余每题1分共14分）1、下列电路中，不可以实现有源逆变的有（ D ）。A、三相半波可控整流电路 B、三相桥式全控整流电路C、单相桥式可控整流电路 D、单相全波可控整流电路外接续流二极管 2、晶闸管稳定导通的条件( A ）A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的
10、维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流 3、三相半波可控整流电路的自然换相点是（ B ）A、交流相电压的过零点B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60 4、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是( C )A、增大三角波幅度 B、增大三角波频率C、增大正弦调制波频率 D、增大正弦调制波幅度 5、三相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（ D ）A、U2 B、U2 C、2U2 D。U2 6、晶闸管电流的波形系数定义为( B )A、 B、 C、Kf =IdTIT D、Kf =
11、IdTIT 7、降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（ C ）A、1ms B、2ms C、3ms D、4ms 8、关于单相桥式PWM逆变电路,下面说法正确的是（ C )A、在一个周期内单极性调制时有一个电平,双极性有两个电平B、在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有三个电平C、在一个周期内单极性调制时有三个电平，双极性有两个电平D、在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有一个电平9、对于单相交交变频电路如下图，在t2t3时间段内,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（ ）A、P组阻断，N组整流 B、P组阻断
12、,N组逆变C、N组阻断,P组整流 D、N组阻断，P组逆变10、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如图所示，在t2t3时间段内，有( B ）晶闸管导通。A、1个 B、2个 C、3个 D、4个三、简答题（本题共 4 小题，共30分）1、电压型逆变电路的主要特点是什么？（7分）2、某一晶闸管，额定电压为300V，额定电流为100A,维持电流为4mA，使用在下图所示的各电路中是否合理?说明其理由.（不考虑电压、电流裕量)（8分）3、下面BOOST升压电路中，电感L、电容C与二极管的作用是什么？（7分）4、变压器漏感对整流电路有什么影响？(8分）四、作图题（本题共3小题，共26分）1、画出三相桥式
13、全控整流电路带阻感负载的原理图,并给图中6个晶闸管写上正确的编号，编号写在晶闸管的正上方或正下方。变压器采用/Y接法。（8分)2、画出下图对应的Ud、iT1、VT1的波形其中虚线为脉冲信号。(12分）3、将控制电路、检测电路、驱动电路、主电路填入以下框图中，组成一个电力电子应用系统.（6分）六、计算题（本题共1小题，共15分）1、有一个三相全控桥整流电路。已知电感负载L=0。2H、=60、R=1、变压器二次相电压U2=100V.试画出Ud的波形，计算负载端输出的直流电压Ud和负载电流平均值Id，计算变压器二次电流的有效值I2考试试卷( 3 )卷一、填空题:（本题共7小题，每空1分,共20分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶
