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1、三星颗粒一、三星颗粒一般以KM开头二、内存颗粒类型：4表示DDR SDRAM三、芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位四、工作电压：H=DDR SDRAM，3.3V、L=DDR SDRAM，2.5V五、 内存颗粒位数：4： 4Mbit、& 8Mbit、16： 16 Mbit、32： 32 Mbit、64： 64Mbit、12： 128 Mbit、25： 256 Mbit、51： 512 Mbit六、芯片容量及刷新速度：0： 64m /4K 15.6p s、1： 32m/2K 15.6p s、2： 128m/8K 15.6p s、3： 64m/8K 7.8p
2、 s、4： 128m/16K 7.8p s七、内存BANK： 3： 4排、4： 8排八、电压：混合接口 LVTTL+SSTL3(3.3V)、1： SSTL2(2.5V)九、封装类型：T： 66 针 TSOP II、B： BGA、C：微型 BGA(CSP)十、工作频率：0： 10ns、100MHz(200Mbps) ； 8： 8ns、125MHz(250Mbps) ； Z： 7.5ns、133MHz(266Mbps) ； Y： 6.7ns、150MHz(300Mbps)； 6： 6ns、 166MHz(333Mbps)； 5： 5ns、 200MHz(400Mbps)HYUNDAIMYXXXXX
3、XXXXX3CXX-三5.大七A九十+-亠二、HY是现代颗粒的标志、内存颗粒类型：(57=SDRAM, 5D=DDR SDRAM)；三、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V四、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref； 64=64Mbits、8K Ref； 65=64Mbits、4K Ref=128Mbits、8K Ref； 129=128Mbits、4K Ref； 256=256Mbits、 16K Ref； 257=256Mbits、 8K Ref五、芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位六、内存BANK： 1、2、3分别代表
4、2个、4个和8个Bank，是2的幕次关系七、电压代表：1:SSTL_3、2:SSTL_2八、芯片版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新九、功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片十、封装类型：JC=400mil SOJ, TC=400mil TSOP-II, TD=13mm TSOP-II, T TG=16mm TSOP- II十-一、工作频率：55:183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33:300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、K : DDR266AMicron (美光)MTXXXXA| 二三s五
5、XXXA七AA.+、MT是代表Micron的产品、内存颗粒类型：48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus三、工作电压：C=5V Vcc CMOS, LC=3.3V Vdd CMOS, V=2.5V Vdd CMOS四、设备号码五、内存容量：无字母=Bits, K=Kilobits (KB), M=Megabits (MB), G=Gigabits (GB)六、芯片输出的数据位宽：4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位七、代表封装:TG=TSOPII封装，DJ=SOJ, DW=宽型 SOJ, F=54 针 4 行 FBGA, FB=60 针 8*1
6、6 FBGA, FC=60 针 11*13 FBGA, FP=反转芯片封装，卩0=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA, F2=84针2行FBGA, LF=90针FBGA, LG=TQFP, R1=62针2行微型FBGA, R2=84针2行微型 FBGA, U=“ BGA八、内存颗粒速度：分为四大类DRAM SD RAMBUS DDR1、DRAM-4=40ns, -5=50ns, -6=60ns, -7=70ns2、SDRAM, x32 DDR SDRAM (时钟频率 CL3)T5=66MHz, T2=83MHz, T0+=100MHz, -8x+=125MHz, -75+=133MHz,
7、-7x+=143MHz, - 65=150MHz, -6=167MHz, -55=183MHz, -5=200MHz3、DDR SDRAM (x4, x8, x16)时钟频率 CL=2.5-8+=125MHz, -75+=133MHz, -7+=143MHz4、Rambus (时钟频率)-4D=400MHz 40ns, -4C=400MHz 45ns, -4B=400MHz 50ns, -3C=356MHz 45ns, -3B=356MHz 50ns, -3M=300MHz 53ns+的含义-8E 支持 PC66 和 PC100 (CL2 和 CL3)-75 支持 PC66、PC100 (CL
8、2 和 CL3)、PC133 (CL=3)-7 支持 PC66、PC100 (CL2 和 CL3)、PC133 (CL2 和 CL3)-7E 支持 PC66、PC100 (CL2 和 CL3)、PC133 (CL2+和 CL3)-8 支持 PC200 (CL2)-75 支持 PC200 (CL2) 和 PC266B (CL=2.5)-7 支持 PC200 (CL2), PC266B (CL2), PC266A (CL=2.5)。九、功耗：L=低耗,blank =普通WINBOND (华邦)、W表示内存颗粒是Winbond生产、内存类型：98为SDRAM, 94为DDR RAM三、内存的版本号：
9、常见的版本号为B和H；四、封装类型，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装五、工作时钟频率:0： 10ns、100MHz； 8： 8ns、125MHz； Z： 7.5ns、133MHz； Y： 6.7ns、150MHz； 6： 6ns、166MHz； 5： 5ns、200MHz但现今有一部分内存条在内存颗粒表面覆盖上了散热金属片，那这就看不到颗粒上的编码。这时候我们可以用一款内存检测软件来 识别，他就是最近走红的AIDA。通过它我们可以轻易地看到内存的真面目。最后，提醒那些刚入门DIYer们，内存品牌并不是代表内存颗粒的品牌，这一点要十分注意。不是说散装HY内存颗粒的内存条就是 H
10、Y原厂内存，那些往往就是一些散户加工而成，质量总的来说没什么保障。同样的，作为世界第一大内存生产厂商的Kings ton,其使用 的内存颗粒确是五花八门，既有Kings ton自己颗粒的产品，更多的则是现代（Hynix）、华邦（Winbond）、三星（Samsung）、南亚（Nanya）、 英飞凌（Infinoen）、美光（Micron）等等众多厂商的内存颗粒。JS的骗人手法天天在变，所以我们也要用知识武装自己，买之前一定 要先了解清楚，务必打赢每一次DIY商战。对于内存的超频，很多网友都反映HY （现代）的D43颗粒很好超，综合网上的文章，D43内存颗粒在编号上分为AT-D43、BT-D43
11、、CT-D43 和DT-D43。其中又以BT-D43和DT-D43最为常见，口碑也是最好。标称DDR400规格的DT-D43颗粒可以超到DDR500来使用，D43颗粒对 电压却并不是特别敏感，加到2.8V以上基本没有任何意义。一般来说D43颗粒在DDR400的参数可以最优化为2-3-3-5，超频到DDR500 后的参数为3-3-3-8。D5则是一款标准的DDR500颗粒，和D43颗粒一样，其中以CT-D5和DT-D5最为常见。金士顿 ValueRAM DDR 内存编号：ValueRAM KVR400X64C25/2561、KVR 代表 kings ton value RAM ；2、400为外频速度；3、一般为X；4、64为没有ECC； 72代表有ECC5、有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存；6、3： CAS=3； 2.5： CAS=2.5； 2： CAS=2；7、 分隔符号/；8、内存的容量一一256
