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1、编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页 共1页SF工艺说明产品名称单晶硅电池片编号SF5.405.010GGS产品图号SF5.405.010版号01工位名称一次清洗工位编号YCQX需要人数第1张共8 张流向KS1.目的确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态2.使用范围适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.硅片检验4.1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；4.2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；(见附图一、二) 4.3 将不合格品放置规定碎片盒子内 ，作统一处
2、理。5.装片（见附图三）5.1 片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插25片硅片。5.2 禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插100张硅片，需更换手套。5.3 操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。6.上料（见附图四）6.1 硅片插完后，取出片盒底部的海绵，扣好压条。6.2 将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，每篮12个片盒，片盒之间有适当的间隔。7化学腐蚀液的配制7.1 准备：将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。7.2 配制：向5、6、8、10#槽中注满去离子水，1-4、7、9#槽中注入约一半深度的去离子水
3、，按照“7.3” 比例分别向各槽加入指定量的化学药品，再注去离子水达到指定的高度。更改标记数量更改单号签 名日 期签 名日 期第1 页拟 制审 核共 8页标准化批 准 旧底图总号 底 图 总 号日 期 签 名SF工艺说明产品名称单晶硅电池片编号SF5.405.010GGS产品图号SF5.405.010版号01工位名称一次清洗工位编号YCQX需要人数第2张共8张流向KS7.3 化学腐蚀液的配制比例槽号1#槽2-4#槽7#9#槽功能去损伤层制绒去Na2SiO3去金属离子清洗液组成氢氧化钠氢氧化钠异丙醇硅酸钠氢氟酸盐酸NaOHNaOHIPANa2SiO39 H2OHFHCl标准浓度（克/升）4051
4、855231535845加入试剂9千克2千克12升6千克16升32升加入试剂（瓶)18431248液面高度（厘米）4232323230307.4 配制溶液要求：7.4.1 配料顺序：1#槽按水、氢氧化钠的顺序；2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。 7#槽按水、氢氟酸、水的顺序；9#槽按水、盐酸、水的顺序。7.4.2 时间要求：2-4#槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后，需等待10分钟之后硅酸钠、氢氧化钠完全溶解后，才能加异丙醇。1#槽配制完毕后,温度达到工艺要求之后，同时2-4#槽的其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠10分钟后，才可进硅片。7.4.3 异丙醇加液要求：需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制
5、绒槽的底部，在硅片进入1#槽之后才能加异丙醇，减少异丙醇的挥发。8.各化学药品规格及要求8.1 氢氧化钠：电子纯，容量500克/瓶，浓度 98%。8.2 异丙醇：电子纯，容量4升/瓶，浓度99.9%，密度0.78克/毫升。8.3 硅酸钠：电子纯，容量500克/瓶。8.4 盐酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度36%38%，密度1.18克/毫升。8.5 氢氟酸：MOS级，容量4升/瓶，浓度49%，密度1.13克/毫升 。9.工艺过程化学药品的补加（同附表二）9.1 工艺过程7、9#槽不需补加化学药品，1-4#槽每清洗一篮硅片按以下要求补加：槽号1#槽24#槽每清洗一篮硅片排液(cm)补加NaOH补加
6、NaOH补加IPA1.50.52510g2510g4升（一瓶）备注清洗停止1小时以上，每停1小时，需补加2升IPA，最多补加6升（1.5瓶）。更改标记数量更改单号签 名日 期签 名日 期第 2页拟 制审 核共 8页标准化批 准 旧底图总号 底 图 总 号日 期 签 名SF工艺说明产品名称单晶硅电池片编号SF5.405.010GGS产品图号SF5.405.010版号01工位名称一次清洗工位编号YCQX需要人数第3张共8张流向KS10.各槽化学液更换频率（同附表三）工艺正常操作时（不允许全部排液、重新配液）槽号1#槽24#槽7#槽9#槽更换周期24小时24小时12小时12小时更换时间早班交接班早班
7、交接班交接班交接班工艺不正常时（14号槽）更换条件工艺不正常状态1连续停机8小时以上，要求全部换液重配工艺不正常状态224#槽，其中一槽连续3篮硅片出现白斑，可以对该槽单独重新配液。工艺不正常状态324#槽，其中一槽硅片出现白斑超过50%，可以对该槽单独重新配液。工艺不正常状态424#槽，连续都出现白斑，可以对1#槽单独重新配液。11.清洗腐蚀工艺参数的设置 （同附表四）11.1 小片盒放置硅片11.1.1 使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置（同附表四）槽位1#槽2-4#槽5#槽6#槽7#槽功能去损伤制绒漂洗喷淋去Na2SiO3时间27030um24030um 23030um 30 min5
8、 min5 min1 min4min2min1min温度652832常温常温常温槽位8#槽9#槽10#槽11#槽12#槽13、14#槽功能漂洗去金属离子漂洗喷淋慢拉烘干时间5 min5 min5 min5 min不使用不使用温度常温常温常温常温不使用不使用 注意：使用小片盒硅片12、13、14#槽不使用。干燥工艺采用11.1.2的离心甩干工艺。11.1.2 离心甩干工艺（同附表五）项目主轴低速主轴高速喷水时间吹气时间开门时间蜂鸣器延时参数205rpm430rpm30秒180秒10秒10秒更改标记数量更改单号签 名日 期签 名日 期第 3页拟 制审 核共8 页标准化批 准 旧底图总号 底 图 总
9、 号日 期 签 名SF工艺说明产品名称单晶硅电池片编号SF5.405.010GGS产品图号SF5.405.010版号01工位名称一次清洗工位编号YCQX需要人数第4张共8张流向KS11.2 大片盒放置硅片（同附表六）11.2.1 使用大片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置 111#槽工艺与使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的相同11.2.2 1214#槽工艺参数的设置：槽位12#槽13、14#槽功能慢拉烘干时间2 min17 min温度常温170211.3返工硅片腐蚀工艺参数的设置（同附表七）11.3.1根据“一次清洗检验工艺规程”，对清洗后的硅片进行表面检查，重量、厚度检验和绒面质量分类。检验不合格的
10、硅片，根据其厚度，按“11.1.1”选择相应的清洗腐蚀工艺。11.3.2 不合格的硅片，厚度200m直接转至扩散工序；200m厚度230m，按以下工艺返工：槽位1#槽2-4#槽功能去损伤层制绒时间0 min20 min温度65283212.运行12.1 根据一次清洗工艺操作规程，在手动工作状态下，按照“11 清洗腐蚀工艺参数的设置”，设定各槽时间，及相关的温度；12.2 根据一次清洗工艺操作规程，打到自动工作状态，运行清洗设备，对硅片进行清洗腐蚀。13 工艺安全及注意事项13.1 工艺安全：盐酸、氢氟酸和氢氧化钠都具有强腐蚀性，在配液过程中，操作人员接触化学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面
11、具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。13.2 硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类沾污硅片。13.3 硅片易碎，在操作过程中，操作人员要轻拿轻放，以减少碎片。14 引用文件SFQD-工艺-01一次清洗工艺操作规程 SFQD 工艺-12一次清洗检验工艺规程更改标记数量更改单号签 名日 期签 名日 期第4 页拟 制审 核共 8页标准化批 准 旧底图总号 底 图 总 号日 期 签 名SF工艺说明产品名称单晶硅电池片编号SF5.405.010GGS产品图号SF5.405.010版号01工位名称一次清洗工位编号YCQX
