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1、电子科技大学成都学院（微电子技术系）实验报告书课程名称：工艺模拟仿真学号:2840710113姓名：岳波教师：袁艺丹2011年06月20日、实验目的：学习并掌握LDMOS工艺仿真技术。二、实验仪器设备计算机一台三、实验原理仿真软件Dutoneslaicrono设置网格LINEYLOC=0SPAC=2LINEYLOC=7SPAC=2LINEYLOC=65SPAC=5LINEXLOC=0SPAC=2LINEXLOC=80SPAC=2工艺模拟是在给定的器件结构、工艺步骤和工艺参数的条件下求解半导体器件内部的结构变化和杂质分布。四、实验步骤及数据初始化INITIALIZEBORON=5E13初试氧化D
2、IFFUSETIME=25TEMP=750T.FINAL=1000F.N2=3-F.O2=O.O5DIFFUSETIME=5TEMP=1000DRYO2DIFFUSETIME=45TEMP=1000F.H2=3DIFFUSETIME=5TEMP=1000DRYO2F.O2=1.7DIFFUSETIME=25TEMP=45T.FINAL=1000Nwell光刻MASKIN.FILE=MASK.TL1DEPOSITPHOTOTHICK=1.2EXPOSEMASK=nwellDEVELOPETCHOXIDEETCHPOHOALLNwell注入氧化DIFFUSETIME=20TEMP=750T.FIN
3、AL=1000F.N2=3F.02=0.05DIFFUSETIME=5DIFFUSETIME=5TEMP=1000DRYO2TEMP=1000F.H2=3F.O2=1.7DIFFUSETIME=5TEMP=1000DRYO2DIFFUSETIME=20TEMP=1000T.FINAL=750Nwell注入80.00INERTee.0040.6.0Oislonc*(icrontl19.9901etones(BicronciDEVELOPQ-0QIMPLANTPHOSDOSE=9.8E11ENERGY=10ETCHPHOTOALLDEPOSITPHOTOTHICK=1.2EXPOSEMASK=nw
4、ellNwell推阱DIFFUSETIME=20TEMP=750T.FINAL=1000F.N2=3F.O2=O.O5DIFFUSETIME=30TEMP=1200F.N2=3DIFFUSETIME=170TEMP=1200INERTDIFFUSETIME=20TEMP=12007NWLWT.FINAL=750INERTF.O2=3.5.00st.00it.at光刻PBODY区DEPOSITPHOTOTHICK=1.2EXPOSEMASK=pwell1DEVELOPETCHOXIDETHICK=0.4o.eoPBODY注入20.004.0060.8001stone*Bicrona)IMPLAN
5、TBORONDOSE=1.1E13ENERGY=60ETCHPHOTOALL光刻P-注入区Dilonice(icron*)DEPOSTPHOTOTHICK=1.2EXPOSEMASK=pwell2DEVELOPP-注入se.ee40.00Dlctonesltcronc)IMPLANTBORONDOSE=1.2E13ENERGY=30T门弓H乜PP扩散T.FINAL=1100DIFFUSETIME=20TEMP=750DIFFUSETIME=20TEMP=750INERTDIFFUSETIME=20TEMP=750T.FINAL=750Si3N4下氧化层ETCHOXIDEDIFFUSETIME=
6、20TEMP=750T.FINAL=950ETCHPHOTOALL0.0080.09Dittonc*taicrns)INERTINERT0.0020.40.006.080.00Dlionc(aicronttDIFFUSEDIFFUSEDIFFUSEDIFFUSETIME=5TIME=12TIME=5TIME=20TEMP=950TEMP=950TEMP=950TEMP=750DRYO2F.N2=3F.O2=1.7DRYO2T.FINAL=750INERT沉积Si3N4Oittoncaicront)DEPOSIT刻蚀有源区DEPOSITNITRIDETHICK=0.15SPACES=3QO-*u
7、o.n一-elJUOEaPHOTOTHICK=1.2MASK=nitride.0060.00Oitionc*ETCHOXIDE0ETCHPHOTOALL.Duionce(aicron生长场氧DIFFUSETIME=20TEMP=750T.FINAL=950F.N2=3F.02=0.05DIFFUSETIME=5TEMP=1000DRYO2DIFFUSETIME=10TEMP=1000F.N2=1.7PROCESS=10DIFFUSETIME=5TEMP=1000DRYO2DIFFUSETIME=20TEMP=1000T.FINAL=750INERT刻蚀Si3N4+SiO2EXPOSEDEVEL
8、OPETCHNITRIDEETCHNIRIDEETCHOXIDE预氧+刻蚀氧预氧DIFFUSETIME=20F.02=0.05DIFFUSETIME=5DIFFUSETIME=6DIFFUSETIME=5DIFFUSETIME=20生长栅氧DIFFUSETIME=20F.02=0.05DIFFUSETIME=60DIFFUSETIME=200ltonc(BicronALL4VTHICK=0.04TEMP=750T.FINAL=950F.N2=3TEMP=950DRYO2TEMP=950F.H2=3F.O2=1.7TEMP=950DRYO2TEMP=950T.FINAL=750INERTTEMP
9、=750T.FINAL=1000F.N2=3TEMP=1000DRY0253UOTEMP=950T.FINAL=750INERTDMDittonc*leicront)沉积+刻蚀多晶硅DEPOSITPHOTOTHICK=1.2DEPOSITPHOTOTHICK=1.2EXPOSEMASK=polyDEVELOPETCHPOLYETCHPHOTOALL刻蚀N+spaces=2phos=20temp=60DEPOSITEXPOSEDEVELOPN+注入区PHOTOTHICK=1.4MASK=nimplantIMPLANTPHOSDOSE=2E15ENERGY=100I4ETCHPHOTOALLa光刻
10、P+注入区ie.esDitonc(lcronc)ee.aa80.00DEPOSITPHOTOTHICK=1.4EXPOSEMASK=nimplantDEVELOPP+注入IMPLANTETCH0.00ee.eeDittonce(lcrons)沉积SiO2+增密DEPOSTdiffusiondiffusiondiffusion刻蚀接触空DEPOSITEXPOSEDEVELOPETCHETCH蒸铝+刻铝DEPOSITDEPOSITBORONDOSE=3E15PHOTOALLOXIDETHICK=0.6time=20temp=750time=30temp=950time=20temp=950ENER
11、GY=60fw0:ALUMINIUMt.final=950inertt.final=750inertinertPHOTOTHICK=1.2MASK=omicontOXIDEPHOTOALLOitlonce(Bicront)Otclanc*laicrontlTHICK=1.2PHOTOTHICK=1.2EXPOSEDEVELOPETCHETCHMASK=metalALUMINIUMPHOTOALL五、结果及分析0,00E)11LoncfiC*rcroni*lmsTs,啟gm一wvuaLBI:口仿真结果图形:還u-啟HgoEKE9D.O0何正确使用这些器件打好基础。11.(50ElIfLnneci(tacroiifl
