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1、编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页 共1页序号 设备名称 型号 制造商 数量1 LOC装片机 LOC-DB3 NICHIDEN 1TZ-2400硅片自动装片机应用行业：电子 TZ-2400硅片自动装片机是根据光伏产业和国际半导体产业的发展及市场需求而开发研制的新型自动化设备，可通过数控装置可靠地实现自动装片，并有连锁保护、工况显示、故障报警等功能。该设备主要用于硅片、太阳能电池片等类似形状的自动装片，整机采用3工位立式升降机构，由伺服电机、滚珠丝杠系统实现精确传动。是光伏、半导体产业实现自动化装片、大大降低装片破损率、提高效能的生产型设备。结构与特点1、设
2、备为整体式框架结构，布局合理，操作方便，外观新颖；2、工作原理是以流量和压力可调的水为介质柔性接触于硅片，利用水流动和斜面使硅片无阻力倒人盒内，有效避免人工装片时人为目素造成的破损，实现简易方便、准确快速地装盒；3、硅片装片前先放置于水槽，水槽内的水通过加热系统保持一定的温度，做到人性化操作；4、水系统为循环用水，经过初滤后再经滤袋式过滤机循环使用；系统控制1、采月PLc可编程控制器，程序运行可靠，功能齐全，各种运行模式均可在控制面板上调节、设定；2、设备配置全套进口交流伺服系统进行高精度定位；3、采月OMRON高灵敏度传感器进行扫描监控；4、设备具有零位和工作位置的校准功能，校准快速、准确、
3、精度高；5、操作面板简单清晰，并配有各种故障及状志指示灯，方便操作；安全与保障1、采用水工作状态监控，设有水位自动调节功能；2、运行过程设有极限位置报警；3、设有装料保护传感器，防止工位与滑片槽板的碰撞；4、设备设有紧急停止及复位停止功能；5、具有整机漏电保护装置和接地端子。反馈信息 2 LOC烘箱 IPHH-201M TabaiEspec 1划片机该机主要用于硅集成电路，发光二极管，铌酸锂、压电陶瓷、石英、砷化镓、蓝宝石、氧化铝、氧化铁、玻璃等材料的划切加工。主要技术特点1.Y轴采用滚动导轨，进口高密度定位电机，光栅尺闭环控制，无误差积累2.同时安装环形光和同轴光,CCD监视对准系统。3.简
4、单、友好的用户操作界面，具有刃具磨损自动补偿功能。4.进口空气静压主轴（交流），具有精度高、刚性好等特点。5.轴采用直驱交流伺服系统工作台，精度更高。主要技术指标轴转速300040000rpm 对准系统照明光源同轴环形输出功率1.5kW 放大倍率150XX轴切割行程 Max230mm显示器15彩色LCD切割速度0.1400mm/s 操作系统控制系统PC BaseY轴切割行程Max165mm操作系统Windows 2000单步步进精度0.003mm语言中文全程最大误差0.005/165mm 加工尺寸工作尺寸160mm 160mm或6Z轴有效行程/刀盘尺寸Max20mm/61 mm圆形工作台6重复
5、定位精度0.003mm方形工作台160mm 160mm刀具应用尺寸50mm61mm安装体积5008651700 (mm)轴转角范围Max320净重500Kg重复定位精度5电源AC 220V10%，三相3 键合机 FB-131 KAIJO 2WB-91D手动多功能键合机（邦定机）WB-91D是适合于特殊电子元器件封装生产中芯片内部引脚互连工艺应用的专用设备，是电子元器件封装生产中关键设备之一。 WB-91D是可配置为具有球焊、楔焊、深腔压焊功能的手动多功能压焊机。应用范围 混合电路、COB模块 MCM、MEMS器件 RF器件/模块 光电器件 微波器件功能球键合30、 45、 60 楔键合 90深
6、腔键合(腔深可达12mm) 手动完成各种线弧 存储30个器件的程序主要技术指标 键合头 手控Z行程：14mm 手控X-Y范围：15mm15mm（比率8:1） 升降台Z行程：18mm 升降台X-Y范围：250mm270mm 超声波功率：0-3w/0-5w 程控压力范围：10g-50g/10g-100g 焊线直径：铝线20m-76m金线 17m-50m 打火装置：N-EFO（-3500V） 成球大小：焊线直径的1.5倍到4倍 供线装置：1/2” 热台温度：室温-300 操作菜单：5”TFT彩屏，中文菜单 电源：AC220V10%（50/60Hz）400W 外形尺寸：650650400mm 重量：约
7、70kg标准配置 主机 1/2”线轴 LED 照明灯 体视显微镜 进口换能器 夹持台 温控盒（铝丝楔焊无） 打火盒（楔焊无）可选附件 各种特种夹具、热台 各种劈刀及金线、铝线 劈刀加热配件（300） 工具包（克力计、镊子、厚度塞尺等） 4 键合检查机 FBC-010 SANYU 15 塑封压机 FAMS-C NECLaserMaker 16 塑封模 54PTSOP NECLaserMaker 27 烘箱 NOI-3012FU 中央理研 18 去废料机 TC-705 NECLaserMaker 19 去废料模 54PTSOP NECLaserMaker 210 激光打标机 LM-664 NECL
8、aserMaker 111 切筋打弯机 SP-4342-NR 石井工作所 1“TO-220自动半导体封装设备冲切打弯机”的详细说明TO-220半导体封装设备冲切打弯机（自动）冲切方式：一次完成冲筋、分粒、底边上料方式：气动手指上料，三料盒自动换料，每盒65条送料方式：机械往复式运动送料，抓塑封体。所有导轨抛光处理，防止划伤锡层冲切频率：正常产量14000UPH换管方式：计数换管。双排料管待料，无管报警动力部分：12T的液压系统冲模结构：六导柱定位，三板式结构，上下刀均为硬质合金，寿命60万冲控制方式：三菱PLC+10.4寸全彩触摸屏次12 切筋打弯模 54PTSOP 石井工作所 213 插拔机
9、 TIR-700M NECLaserMaker 114 MBT PROFIT1100A JapanEngineering 315 TBT AF8630 安藤电气 216 分选机 M6721A ADVANTEST 217 分选机 M6741A ADVANTEST 218 老化测试板检查仪 TB-500 DODO 119 TBTHOST PC 安藤电气 120 可视检查系统 LI-700HS/T-GS2 安永 121 TESTEROPTION ADVANTEST 122 MEMORY测试系统 T5581H ADVANTEST 223 BakeOven NOI-3012FU TabaiEspec 1
10、合计 33塑料封装专用压机（简称塑封压机）用于集成电路芯片封装行业，是集机械、液压、电气为一体的机电一体化产品。主要是通过PLC来控制液压系统里的各阀件的开启并通过塑封压机的心脏部分液压模块来分配油路，并且通过电磁比例阀来控制流量与压力，从而达到控制合模和注射的速度与压力。 采用高集成度的液压模块和整体式结构的油缸（一主油缸和四辅油缸）减少了液压管路的使用，使得液压系统的渗漏可能性降低到最低点。 工作平台厚度为170，是特殊配比的金属铸造而成，且其热膨胀范围也只有0.02，从而实现小公差装配，这样不仅移动时不发生震颤，合模时对模具的损伤也大大减轻，不仅可以延长压机的寿命（其设计使用寿命为30年
11、），而且也大大延长了模具的使用寿命。 断电保护装置可以在突然断电时完成当次操作，避免了因断电而造成的损失；模具保护系统可以在0.2mm以上杂物或引线框架垂直方向变形量超过0.2mm时，发出报警并停止工作。 变速/变压控制系统，可实现设置多级速度/多级压力。可以完全调整控制塑封产品的各种缺陷，从而提高产品的合格率。 装有计时器，可方便记录合模次数；装有周计时器，可在一周内的任意时间里使加热棒多次定时开/关；装有光电安全保护系统，防止操作人员不慎被模具夹手等人体受伤情况的发生。 注塑头的行程是350,即放料空间加大50，使操作人员便于把料饼放入料筒。 合模上升和注塑时，为了保证各种安全性，合模和注
12、塑各自设置了2个合模操作键，只有当0.5秒内同时按住2个操作键时，设备才进行合模和注塑。另外所有安全保障系统在固化期内都不起作用。 其中电脑型压机的所有参数都可通过触模屏来设置和更改，简单、便捷；MGP系统实现了在一台设备上单注射系统与多注射系统（MGP系统）的兼用；集成电路制备主要工艺流程及关键设备发布时间：2007-7-5 阅读：2044次1 单晶拉伸：在适当的温度下，将特制的籽晶与熔化于坩埚内的高纯多晶材料相接触，在籽晶与坩埚相对旋转的同时，按一定速度向上提拉籽晶，使熔体不断沿籽晶晶向结晶，直接拉制成单晶。相关设备单晶炉 2 切片：将半导体单晶按所需晶向切割成指定厚度的薄片相关设备内圆切
13、片机 多刀切割机 3 倒角：由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。相关设备 倒角机 4 抛光：利用抛光剂对研磨后的晶片进行物理、化学的表面加工，以获取无晶格损伤的高洁净度、高平整度的镜面晶片。相关设备 单/双面抛光机 单/多头抛光机 5 清洗：合理的清洗是保证硅片表面质量的重要条件。在晶片制备过程中需要多次清洗，以去除残留在晶片表面或边缘的废屑等。相关设备 清洗机 冲洗甩干机 6外延：在单晶衬底晶片上生长一层具有与基片不同电子特性的薄硅层。相关设备外延炉7氧化：在高温下，氧和水蒸气跟硅表面起化学作用，形成薄博、均匀的硅氧化层。相关设备氧化炉8化学汽相淀积（CVD）：使一种或数种物质的气体以某种方式激活后，在衬底表面发生化学反应，并淀积所需固体薄膜。相关设备CVD设备 9溅射：正离子受强电场加速，形成高能量的离子流轰击靶材，当离子的动能超过靶原子的结合能时，靶表面的原子就脱离表面，溅射到对面的阳极上，淀积成薄膜。相关设备溅射台10光刻：将掩模图形转印到涂有光刻胶的衬底晶片上。对准和曝光是光刻工艺中最关键的
