芯片原理 (2)

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1、芯片原理1. 芯片为什么要采用CMOS:CMOS,C:是互补的意思complementary,是指采用NMOS和PMOS管形成一个组合实现一个开关功能。也就是最小单元由至少两个MOS管组成。MO:是金属氧化物的意思,是指MOS管的G极的材质是金属氧化物的 上图中,如果采用图A所示,则有Ic这个电流,如果R很大,那么Vo的驱动能力就很弱,会造成芯片的反应速度很慢,如果R很小,则在MOS管开通时,电流Ic非常大,因此,这样的电路是没法应用于芯片的,经初步计算,如果采用图A所示的电路,要达到一定的处理速度,那么其功耗是100kW级别的,而采用图B的互补型(N和P型对称布置),则Vi高电平时上管关闭,

2、下管开启,低电平时则相反,这样就不存在电流,那么为什么芯片还是有很大的功耗呢,这就是MOS管的结电容引起的,因为G极就是一个电容效应。充放电虽然对于一个MOS管来说是很小的功耗,但是芯片的晶体管数量非常多,如一个CMOS开关为1uW,那么1000万个呢就是100W。芯片的功耗基本可以这样理解:P = N * C* f * V2 N:晶体管个数,C:MOS管及其他引起的电容,f为频率、V为电压 当频率很高时,为了降低功耗,现在芯片的工作电压一直在降低,如从3V降低到1V,那么功耗降低了9倍,如果通过改善晶体管结构和线路结构,能减少电容C,那么也可以降低芯片功耗。 注意:我们在设计单片机电路时,经

3、常性地采用如图A所示的下拉(或上拉)电阻形式,一般我们的被驱动电路的功耗是比较大的,因此经常会忽略该电路引起的功耗问题。2. 芯片制作芯片就如多层电路板,最低层为晶体管,然后往上几层就是连线(罗辑)。 切开一个晶片的小块,其中上层的导线连接就如这样,就如多层电路板,是一个三维连接体,导线之间会引起电容和信号干扰,而弯弯曲曲的导线,也会引起电感。第一步:制作晶圆。 晶圆现在一般为8寸、12寸、20寸等。 晶圆本身进行参杂,形成P型,或N型衬底。也就是基板。 晶圆的制作过程,在网上有很多视频。第二步:在晶圆上进行杂质注射,这里就需要模板。 模板中的孔,就是要变成PNP型MOS管的位置,这是在芯片设

4、计时就已经决定了的,由芯片的晶体管的布局决定。第三步,再在已经布局好的P和N基底上,注入杂质,形成N和P型半导体,这就是MOS管的S(源)极和D(漏)极形成的过程。要分两步:第一步注入N型杂质,然后换模板注入P型杂质。第四步、实现逻辑、就是门电路的互联:芯片制作时,会在原来的晶片的基础上,经过蚀刻去除一些部分,留下一些部分来制作P、N半导体,然后在在其上不断地增加层,每层都如电路板的一个层一样。如首先增加G极的绝缘层,就如上图,可以通过物理的或化学的方法,使每层都非常薄。一般越到上层,电流越大,是模块之间的连接,因此蚀刻的模板的孔也越大。芯片设计时: 首先是系统设计、逻辑设计(VDHL),那就

5、是类似软件开发一样。然后经过专门的软件进行逻辑仿真,这种软件相对来说便宜些。逻辑没有问题时,将设计转换成门电路图。(元胞:就是最小的可以作为一个整体被直接使用(就如软件开发的一个函数调用)的最小单元。一般芯片设计软件有很多成熟的库,而这也与具体的生产工艺有关,设计人员可以自己设计,就如PCB可以自己设计元件库)然后把门电路图转换成实际的晶体管布局图,这个过程要相当的经验了,这涉及到布局的合理性、电气性能。关系到最终的产品的稳定性。这个过程是有软件辅助设计的,类似PCB板的设计,元件定位、布线。然后就是输出版图,这个一般要专业的工具了,版图是直接可以给芯片加工厂生产的图纸,就如PCB的布线图、焊

6、盘图等,这样的工具非常贵,一般个人是买不起的从原理图到版图,这中间经过很多次的翻译,也就如软件编译一样,只是芯片的编译没软件那么规范,涉及的问题更加多些。对于一些小型的芯片,特别是量非常大的芯片,则芯片的布局图一般都采用手工进行,做到最优化。芯片设计并不如我们想想的那么神秘,虽然很难,但是原理并没有什么高深的理论。只是设计的工具和生产工具很难获得,因而能有机会进行芯片核心部分设计的人也很少,芯片设计人员的经验就变得非常珍贵。N年以后,或许你自己就可以在家里弄个设计平台,然后弄套设备进行芯片生产。一切只要技术和工艺成熟时。3. 芯片的绝缘填充材料为二氧化硅,由于二氧化硅的介电常数高,因此形成的电

7、容也大,目前采用碳化硅后,电性能就好很多。4. 在芯片上制作电阻有很多方式,直接进行参杂来形成电阻的,或直接注入电阻材料或金属。电阻可以做到很高阻值,因此芯片的外接电阻比较少,因为一般在内部就可以实现。但是芯片内制作大电容就不可能,即使是薄膜电容,虽然绝缘层可以做得非常薄,但是面积是非常有限的,稍微大一点的一般需要多层电路连接形成电容。电感一般可以通过弯曲的导线实现,但是也不可能做得很大,第一是空间问题,第二是干扰问题。而在芯片内部,如果只是布尔运算,一般不需要很大的电容电感的,电容电感仅做改善电路性能的用途,但是对于模拟芯片,则由于要进行信号处理,电容、电感是自然就很多了。但是要用到稍微大点的电容、电感一般就需要外部电路协作,即使是电阻,芯片内部做的功率一般非常小,因此在模拟芯片中,与功率有关的部分,必然要引用外部电路进行调节。在芯片内部的电子元件极易受到芯片温度影响,因此对于高精度要求的电路,其芯片的外围元件也必然会多,而且其精度也要求高。5. 在芯片内部的元件:MOS管、双极型三极管、电阻、电容、电感。

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