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1、泓域咨询/三门峡碳化硅项目商业计划书三门峡碳化硅项目商业计划书xxx（集团）有限公司目录第一章 项目绪论10一、 项目名称及项目单位10二、 项目建设地点10三、 建设背景、规模10四、 项目建设进度13五、 建设投资估算13六、 项目主要技术经济指标13主要经济指标一览表14七、 主要结论及建议15第二章 市场分析17一、 乘碳中和之东风，2025年市场规模有望较2020年翻5倍17二、 新能源汽车：800V架构下的甜蜜时刻，SiC渗透的核心驱动力18三、 OBC：SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低19第三章 项目投资主体概况21一、 公司基本信息21二、 公司简介21三、 公司竞
2、争优势22四、 公司主要财务数据24公司合并资产负债表主要数据24公司合并利润表主要数据24五、 核心人员介绍24六、 经营宗旨26七、 公司发展规划26第四章 项目背景、必要性33一、 碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求，下游应用领域广泛33二、 海外厂商普遍看好SiC市场空间，相关业务业绩展望乐观34三、 预计2025年全球新能源汽车SiC市场规模将达到30.1亿美元35四、 坚持深化改革开放，建设更高水平开放型经济新体制36五、 打造国内大循环、国内国际双循环的重要支点38第五章 创新驱动41一、 企业技术研发分析41二、 项目技术工艺分析43三、 质量管理44四、 创新发展总结4
3、5第六章 SWOT分析47一、 优势分析（S）47二、 劣势分析（W）49三、 机会分析（O）49四、 威胁分析（T）50第七章 运营模式分析58一、 公司经营宗旨58二、 公司的目标、主要职责58三、 各部门职责及权限59四、 财务会计制度62第八章 法人治理结构68一、 股东权利及义务68二、 董事73三、 高级管理人员77四、 监事79第九章 发展规划分析81一、 公司发展规划81二、 保障措施87第十章 项目风险防范分析89一、 项目风险分析89二、 项目风险对策91第十一章 建筑技术分析94一、 项目工程设计总体要求94二、 建设方案95三、 建筑工程建设指标95建筑工程投资一览表9
4、5第十二章 项目进度计划97一、 项目进度安排97项目实施进度计划一览表97二、 项目实施保障措施98第十三章 产品方案分析99一、 建设规模及主要建设内容99二、 产品规划方案及生产纲领99产品规划方案一览表99第十四章 项目投资分析101一、 投资估算的依据和说明101二、 建设投资估算102建设投资估算表104三、 建设期利息104建设期利息估算表104四、 流动资金106流动资金估算表106五、 总投资107总投资及构成一览表107六、 资金筹措与投资计划108项目投资计划与资金筹措一览表108第十五章 经济效益评价110一、 经济评价财务测算110营业收入、税金及附加和增值税估算表1
5、10综合总成本费用估算表111固定资产折旧费估算表112无形资产和其他资产摊销估算表113利润及利润分配表115二、 项目盈利能力分析115项目投资现金流量表117三、 偿债能力分析118借款还本付息计划表119第十六章 总结说明121第十七章 附表附录123营业收入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表123固定资产折旧费估算表124无形资产和其他资产摊销估算表125利润及利润分配表126项目投资现金流量表127借款还本付息计划表128建设投资估算表129建设投资估算表129建设期利息估算表130固定资产投资估算表131流动资金估算表132总投资及构成一览表133项目投资计划与
6、资金筹措一览表134报告说明碳化硅衬底应用逐步成熟，主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录（2021年版），碳化硅衬底可分为两类，一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，经GaN外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”，去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率（电阻率1530mcm）的导电型碳化硅衬底，经SiC外延生长可进一步制成SiC二极管、SiCMOSFET等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标，在PVT法下，相较半绝缘型衬底其生产难度更低，但在
7、生产过程中，电阻率易发生分布不均情况，仍需更好扩径及掺杂控制技术。国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头，但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数，可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产4英寸和6英寸碳化硅衬底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿，各厂商都在致力于未来降低微管密度，部分龙头碳化硅企业如II-VI可将4-6寸产品的微管密度稳定
8、控制在0.1cm-2以下，国内厂商的产品微管密度基本在0.5-5cm-2，存在差距。同时，国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟，预计国产碳化硅产品种类不断丰富，产品质量将比肩国际龙头企业。国内外厂商大规模扩产，但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段，海内外厂商均加速扩产，但应避免重复建设的问题，造成产能无序扩张。本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐，投资金额超240亿元、规划年产能超420万片。中国企业呈现小而散的局面，综合Yole等第三方机构
9、数据，2020年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动，我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐，积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计，截至21年底国内厂商对衬底环节的投资超过240亿元，规划产能超过420万片/年（等效6寸），对比CASA的数据，2020年底国内衬底产能仅为25.8万片/年（等效6寸）。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力，且以4寸衬底为主。虽然国内企业大幅扩产，但受衬底良率及质量等因素影响，实际产能或严重不足。根据谨慎财务估算，项目总投资9438.24万元，
10、其中：建设投资7827.52万元，占项目总投资的82.93%；建设期利息199.23万元，占项目总投资的2.11%；流动资金1411.49万元，占项目总投资的14.96%。项目正常运营每年营业收入16600.00万元，综合总成本费用13652.60万元，净利润2149.93万元，财务内部收益率16.35%，财务净现值2052.62万元，全部投资回收期6.44年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。经初步分析评价，项目不仅有显著的经济效益，而且其社会救益、生态效益非常显著，项目的建设对提高农民收入、维护社会稳定，构建和谐社会、促进区域经济快速发展具有十分重要的作用。
11、项目在社会经济、自然条件及投资等方面建设条件较好，项目的实施不但是可行而且是十分必要的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目绪论一、 项目名称及项目单位项目名称：三门峡碳化硅项目项目单位：xxx（集团）有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约23.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 建设背景、规模（一）项目背景展望二三五年，三门峡市将建
12、强省际区域中心城市，与洛阳都市圈的对接融合程度显著提升，在黄河金三角地区发挥重要辐射带动作用，在郑洛西高质量发展合作带发挥重要支撑作用，在黄河流域生态保护和高质量发展中发挥重要先行示范作用，基本建成“五个强市、五个崤函”。在经济强市建设上，经济实力、综合实力、发展质量和效益大幅提升，人均地区生产总值基本达到中等发达国家水平，基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化，建成现代化经济体系；在生态强市建设上，生产空间安全高效，生活空间舒适宜居，生态空间山清水秀，基本实现人与自然和谐共生的现代化；在文化强市建设上，社会主义精神文明和物质文明协调发展，公民素质和社会文明程度达到新高度，文化事业繁荣
13、，文化产业发达，文化软实力显著增强；在开放强市建设上，融入共建“一带一路”水平大幅提升，开放平台更加完善，开放优势和营商环境达到全国先进、中西部一流；在科教强市建设上，科技进步对经济增长的贡献率大幅提升，创新创业蓬勃发展，各项创新指标走在中西部地级市前列；在法治崤函建设上，市域治理体系和治理能力现代化基本实现，人民平等参与、平等发展权利得到充分保障，基本建成法治政府、法治社会，全社会尊法学法守法用法氛围更加浓厚；在平安崤函建设上，安全发展体制机制更加健全，政治安全、社会安定、人民安宁、网络安靖全面实现；在智慧崤函建设上，数字政府、数字城市、数字社会建设取得重大突破，智能化手段对可持续发展、民生
14、服务、城市运营效率的支撑有效增强，成功创建新型智慧城市示范市；在信用崤函建设上，政务诚信、商务诚信、社会诚信和司法公信建设水平进一步提高，社会信用体系建设更加完善，重信守诺的城市形象进一步“擦亮”；在幸福崤函建设上，城乡居民人均收入迈上新的大台阶，基本公共服务实现均等化，居民主要健康指标优于全国全省平均水平，人的全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和开关管（IGBT、MOSFET等）是OBC中主要应用的功率器件，采用SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC中采用SiC二极管整体损耗低且
15、耐高温能力更强。OBC的前级PFC电路和后级DC/DC输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1）影响二极管损耗的指标包括正向导通压降（VF）、反向恢复电流（IR）、输入电容（QC）和开通关断速度等。相比于硅基SBD，SiCSBD的最大优势在于IR可以忽略不计，使得反向恢复损耗极低，在PFC电路使用SiCSBD可有效提升PFC电路效率。同时，QC、VF两个主要参数相比硅基二极管也具有优势，在后级输出电路中使用SiCSBD可以进一步提升输出整流的效率。同时，由于SiC材料的优势，SiC二极管的结温更高，其可在更高温度下保持正常工作状态，在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外，SiC二极管可实现更高频率及功率密度，从而提升系统整体效率。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积15333.00（折合约23.00亩），预计场区规划总建筑面积25377.05。其中
