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紫外固化纳米压印技术紫外固化纳米压印技术由德州大学CGWillson教授提出。主要工艺过程：先制备高精度 掩模板，而且要求掩模板对紫外光是透明的，一般采用SiO2材质作为掩模版；在基板上旋涂一 层液态光刻胶，光刻胶的厚度为600nm700nm,光刻胶要求黏度低，对紫外光敏感；利用较低 压力将模板压在光刻胶之上，液态光刻胶填满模板空隙，从模板背面用紫外光照射，紫外光使 光刻胶固化；脱模后用反应离子蚀刻方式除去残留光刻胶，将图案从模板转移到基板上。压 印过程如图2-2所示。紫外固化纳米压印技术与热塑压印技术相比不需要加热，可以在常温下进行,避免了热 膨胀因素，也缩短了压印的时间；掩模板透明，易于实现层与层之间对准，层与层之间的对准 精度可以达到50 nm,适合半导体产业的要求。但紫外固化纳米压印技术设备昂贵，对工艺和 环境的要求也非常高；没有加热的过程，光刻胶中的气泡难以排出，会对细微结构造成缺陷。 生产中常常采用紫外固化纳米压印技术和步进技术相结合，形成步进式快闪纳米压印技术， 工艺过程如图2-3所示。该方法采用小模板分步压印紫外固化的方式，大大提高了在基板上大 面积压印转移的能力，降低了掩模板制造成本，也降低了采用大掩模板带来的误差。但此方法 对位移定位和驱动精度的要求很高。
