太阳能电池片生产工艺简介

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1、培训资料前道一 制绒工艺制绒目的1. 消除表面硅片有机物和金属杂质。2. 去处硅片表面机械损伤层。3. 在硅片表面形成表面组织，增加太阳光的吸收减少反射。工艺流程来料，开盒，检查，装片，称重，配液加液，制绒，甩干，制绒后称重，绒面检查，流出单晶制绒1 号机槽号123456789作用超声溢流制绒槽超声喷淋溢流成份柠檬酸/双氧水+ 氨水纯水NaOH+IPA+Na SiO23纯水配液6瓶/25L+25L5瓶+3瓶+3瓶补加 液100-150g+lL无温度90/606080常温时间300/600200/5001200s3003004002 号机槽号123456789作用酸腐制绒槽酸洗溢流酸洗溢流溢流喷

2、淋成份纯水HCL纯水HF纯水配液16L12L补加 液时间440420400400200400200200300甩干喷水（S）喷氮（S）延时（S）压力MPa低速/高速（r/m）温度30320100.4 0.7200/300128基本原理1#超声去除有机物和表面机械损伤层。目前采用柠檬酸超声，和双氧水与氨水混合超声。3#4#5#6#制绒利用 NaOH 溶液对单晶硅片进行各向异性腐蚀的特点来制备绒面。当各向异性因子（100） 面与（111）面单晶硅腐蚀速率之比）=10 时，可以得到整齐均匀的金字塔形的角锥体组成 的绒面。绒面具有受光面积大，反射率低的特点。可以提高单晶硅太阳能电池的短路电流， 从而提

3、高太阳能电池的光转换效率。化学反应方程式：Si+2NaOH+H O=Nasio+2H2 f2 3 2影响因素1.温度温度过高，首先就是IPA不好控制，温度一高，IPA的挥发很快，气泡印就会随之出现，这 样就大大减少了 PN 结的有效面积，反应加剧,还会出现片子的漂浮，造成碎片率的增加。 可控程度：调节机器的设置，可以很好的调节温度。2.时间 金字塔随时间的变化：金字塔逐渐冒出来；表面上基本被小金字塔覆盖，少数开始成长；金 字塔密布的绒面已经形成，只是大小不均匀，反射率也降到比较低的情况；金字塔向外扩张 兼并，体积逐渐膨胀，尺寸趋于均等，反射率略有下降。可控程度：调节设备参数，可以精确的调节时间

4、。3.IPA1协助氢气的释放。2减弱NaOH溶液对硅片的腐蚀力度，调节各向因子。纯NaOH溶液在 高温下对原子排列比较稀疏的100晶面和比较致密的111晶面破坏比较大，各个晶面被腐蚀 而消融，IPA明显减弱NaOH的腐蚀强度，增加了腐蚀的各向异性，有利于金字塔的成形。 乙醇含量过高，碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱，各向异性因子又趋于 1。可控程度：根据首次配液的含量，及每次大约消耗的量，来补充一定量的液体，控制精度不 高。4.NaOH形成金字塔绒面。NaOH浓度越高，金字塔体积越小，反应初期，金字塔成核密度近似不受 NaOH浓度影响，碱溶液的腐蚀性随NaOH浓度变化比较显著，浓度高的NaOH溶

5、液与硅 反映的速度加快，再反应一段时间后，金字塔体积更大o NaOH浓度超过一定界限时，各向 异性因子变小，绒面会越来越差，类似于抛光。可控程度：与IPA类似，控制精度不高。5叫9SI和NaOH反应生产的Na2SiO3和加入的Na2SiO3能起到缓冲剂的作用，使反应不至于很剧 烈，变的平缓。Na2SiO3使反应有了更多的起点，生长出的金字塔更均匀，更小一点Na2SiO3 多的时候要及时的排掉，Na2SiO3导热性差，会影响反应，溶液的粘稠度也增加，容易形成水 纹、花蓝印和表面斑点。可控程度：很难控制。4#酸洗HCL 去除硅片表面的金属杂质 盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与多种金属离子形

6、成可溶与水的络合物。6#酸洗HF去除硅片表面氧化层，SiO+6HF=H siF +2H Oo2 2 6 2控制点1 减薄量 定义：硅片制绒前后的前后重量差。控制范围单晶125,硅片厚度在20025微米以上，减薄量在0.50.2g；硅片厚度在20025微米以 上，减薄量在 0.40.2g。单晶156,首篮减薄量在0.70.2g；以后减薄量在0.60.2g。2绒面判断标准：成核密度高，大小适当，均匀。 控制范围：单晶：金字塔尺寸 310um。3外观 无缺口，斑点，裂纹，切割线，划痕，凹坑，有无白斑，赃污。异常处理问题原因解决方法硅片表面大部 分发白，发白区 域未出绒面l.NaOH含量偏低，不能充

7、分进行反应，或者IPA含 量过高，抑止反应进行。1首先判断原因。2. 增加NaOH的浓度，减少IPA 的用量。3. 如果不能调节，重新配制溶 液。2.如果表现后续返工可以 处理发白区域，则可以断 定NaOH浓度不够。米用稀碱超声。3.表面清洁度不好。延长超声时间。4.溶液状态不够均匀。1对溶液进行充分搅拌，补加溶 液必须先溶解，加入之后必须进 行溶液充分搅拌,使用烧杯或竿 进行“8”字形状搅拌溶液。2.查看电源控制柜相应的加热 开关是否都在正常工作。硅片表面有白 斑，部分白斑区 域出现在不同 硅片同一位置， 白斑区域明显 表现为被覆盖 没有出绒现象硅片表面的有机物等污染物粘附于硅片表面，阻止硅

8、片制绒。只使用柠檬酸进行超声，中间对 超声槽溶液进行更换。硅片过腐，表现 为绒面角锥体 过大，减薄量过 大碱浓度过大或反应温度过 大，导致在100面上反应 速率远大于111面上反 应速率。测试温度，确定是否为80度； 稀释溶液浓度，同时保证溶液的 均匀性；降低下次碱配制的浓 度。晶硅片四边都有白边仍有白边部份硅片反应不 够充分，这部份对中间无 白边部份偏厚。换言之， 整个硅片化学反应不够均 匀，中间部份反应放热不 易，导致反应激烈。保证溶液均匀，控制硅片中心速 度，增加缓冲剂。硅酸钠溶液可 视为缓冲剂。硅片两侧出现“花蓝印”的白 边由于溶液中硅酸钠的浓度 过大，粘稠度增加，使得 承片盒与硅片接

9、触的地方 得不到充分反应。视花蓝印的严重程度和数量。通 常需要对溶液进行部分排放，并 进行补对。鼓泡此时一定要开 启。雨点氢气泡粘附或氢气泡移动 缓慢形成。雨点处的绒面 相对正常区域主要表现为 制绒不够。1、及早发现,并进行IPA补加， 通常会去掉或消弱痕迹。2、即使形成雨点状不必继续 返工，镀完减反射膜，可以 盖住。但这并不是成为做出 雨点而不加以改善的理由。制绒时槽内硅片区域性发白溶液不均匀或硅片本身原 因导致。长时间制绒未见效果，对相应区 域进行少许NaOH补充，撒在 相应槽区域即可；下次制绒之前 需要对溶液搅拌均匀。制绒时硅片漂浮制绒IPA量不足，导致氢 气粘附于硅片表面，没有 及时被

10、带走。补加相应IPA量即可。返工处理返工类型返工方法减薄量实测值小于控制 计划规定下限重新制绒，制绒时间可视实际情况调整各种硅片表面异常根据减薄量的大小确定返工二 扩散工艺扩散目的在来料硅片P型硅片的基础上扩散一层N型磷源，形成PN结。扩散原理POC13在高温下（600C）分解生成五氯化磷（PC15）和五氧化二磷（P2O5）,其反应 式如下：5POCl3=3PCl5+P2O5生成的p2o5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下： 2P2O5 + 5Si = 5SiO2+ 4PPOCl3热分解时，如果没有外来的氧（02）参与其分解是不充分的，生成的PC15是不易分

11、解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来O2存在的情况下，PCl5会 进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2）其反应式如下：4PCl5+5O2 =2P2O5+10Cl2生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使POC13 充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。 就这样POCl3分解产生的p2o5淀积在硅片表面，p2o5与硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅 片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散。扩散类型1. 恒定源扩散：在稳态扩散的条件下，单位时间内通过垂直于扩散方向的单位面积

12、的扩散质 量与该截面处的浓度梯度成正比。2. 限定源扩散：在再分布过程中，扩散是在限定源的条件下进有的，整个扩散过程的杂质源， 限定于扩散前积累在硅片表面的无限薄层内的杂质总量，没有外来杂质补充即在硅片表面处 的杂质流密度。车间使用的是两步扩散：预淀积+扩散。预扩散是恒定源扩散，主要是使得硅片表面气体浓 度一致，保持整批方块电阻是均匀性。主扩散是限定源扩散，并且在主扩散后通入大氮气体， 作为推进气体，加大PN结深度。工艺流程TempressStep No.Step NameMessage说明0Load/UnloadStand By等待并准备开始，温度为 Temp.NormalRecipe:。，

13、舟的位置在起点，只通大N21Load InBoat In进舟2Paddle OutBoat Out出浆3RecoveryStabilize升高温度，等待温度达到扩散温度4StabilizeStabilize稳定温度5PrepurgePrepurge预扩散，大n2流量增加，通小n2和o26POCL3 DepDeposition扩散7PostpurgePostpurge再分布8Cool downCool down冷却，温度为 Temp.Normal Recipe:。，只 通大 N29Paddle InBoat In进浆10Load BoatBoat Out出舟11ReturnLoad/Unload

14、返回Step 0，等待开始12Critical Stop Stand By紧急停止跳步程序48 所rH 口步号时间ZonelZone2Zone3小N大N干215408508408402022500002600890880880025000036008908808801200320002200470089088088002500010005120089088088015003200025006120085084084002500010007300850850850025000085408508508500250000说明进舟，准备并升温，此时只通大 N2 将温度升到扩散的要 求，只通大 N2 预扩散，小量小 N2 和干 o2,大n2流量增加 将源气体反应完全，只 通干大N2和0