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1、培训资料料前道一 制绒绒工艺制绒目的的1.消除除表面硅硅片有机机物和金金属杂质质。2.去处处硅片表表面机械械损伤层层。3.在硅硅片表面面形成表表面组织织，增加加太阳光光的吸收收减少反反射。工艺流程程来料，开开盒，检检查，装装片，称称重，配配液加液液，制绒绒，甩干干，制绒绒后称重重，绒面面检查，流流出。单晶制绒绒1号机槽号123456789 作用超声溢流制绒槽超声喷淋溢流成份柠檬酸/双氧水+氨水纯水NaOHH+IPPA+NNa2SiOO3纯水配液6瓶/225L+25LL5瓶+33瓶+3瓶补加液100-1500g+1L无温度90/6606080常温时间300/6000200/500012000s3
2、003004002号机槽号123456789 作用酸腐制绒绒槽酸洗溢流酸洗溢流溢流喷淋成份纯水HCL纯水HF纯水配液16L12L补加液时间440 4200 4000400200400200200300甩干喷水（SS）喷氮（SS）延时（SS）压力MPPa低速/高高速（rr/m）温度30320100.40.77200/3000128基本原理理1#超声声去除有机机物和表表面机械械损伤层层。目前采用用柠檬酸酸超声，和和双氧水水与氨水水混合超超声。3#4#5#66#制绒绒利用NaaOH溶溶液对单单晶硅片片进行各各向异性性腐蚀的的特点来来制备绒绒面。当当各向异异性因子子（1100）面面与（1111）面面单
3、晶硅硅腐蚀速速率之比比）=110时，可可以得到到整齐均均匀的金金字塔形形的角锥锥体组成成的绒面面。绒面面具有受受光面积积大，反反射率低低的特点点。可以以提高单单晶硅太太阳能电电池的短短路电流流，从而而提高太太阳能电电池的光光转换效效率。化学反应应方程式式：Sii+2NNaOHH+H2O=NNasiio3+2HH2影响因素素1.温度度温度过高高，首先先就是IIPA不不好控制制，温度度一高，IPA的挥发很快，气泡印就会随之出现，这样就大大减少了PN结的有效面积，反应加剧,还会出现片子的漂浮，造成碎片率的增加。可控程度度：调节节机器的的设置，可可以很好好的调节节温度。2.时间间金字塔随随时间的的变化
4、：金字塔塔逐渐冒冒出来；表面上上基本被被小金字字塔覆盖盖，少数数开始成成长；金金字塔密密布的绒绒面已经经形成，只只是大小小不均匀匀，反射射率也降降到比较较低的情情况；金金字塔向向外扩张张兼并，体体积逐渐渐膨胀，尺尺寸趋于于均等，反反射率略略有下降降。可控程度度：调节节设备参参数，可可以精确确的调节节时间。3.IPPA1.协助助氢气的的释放。2.减减弱NaaOH溶溶液对硅硅片的腐腐蚀力度度，调节节各向因因子。纯纯NaOOH溶液液在高温温下对原原子排列列比较稀稀疏的1100晶晶面和比比较致密密的1111晶面面破坏比比较大，各各个晶面面被腐蚀蚀而消融融，IPPA明显显减弱NNaOHH的腐蚀蚀强度，增
5、增加了腐腐蚀的各各向异性性，有利利于金字字塔的成成形。乙乙醇含量量过高，碱碱溶液对对硅溶液液腐蚀能能力变得得很弱，各各向异性性因子又又趋于11。可控程度度：根据据首次配配液的含含量，及及每次大大约消耗耗的量，来来补充一一定量的的液体，控控制精度度不高。4.NaaOH形成金字字塔绒面面。NaaOH浓浓度越高高，金字字塔体积积越小，反反应初期期，金字字塔成核核密度近近似不受受NaOOH浓度度影响，碱碱溶液的的腐蚀性性随NaaOH浓浓度变化化比较显显著，浓浓度高的的NaOOH溶液液与硅反反映的速速度加快快，再反反应一段段时间后后，金字字塔体积积更大。NaOOH浓度度超过一一定界限限时，各各向异性性因
6、子变变小，绒绒面会越越来越差差，类似似于抛光光。可控程度度：与IIPA类类似，控控制精度度不高。5.Naa2SiOO3SI和NNaOHH反应生生产的NNa2SiOO3和加入入的Naa2SiOO3能起到到缓冲剂剂的作用用，使反反应不至至于很剧剧烈,变变的平缓缓。Naa2SiOO3使反应应有了更更多的起起点，生生长出的的金字塔塔更均匀匀，更小小一点 Na22SiOO3多的时时候要及及时的排排掉，NNa2SiOO3导热性性差，会会影响反反应,溶溶液的粘粘稠度也也增加，容容易形成成水纹、花蓝印印和表面面斑点。可控程度度：很难难控制。4#酸洗洗HCL去去除硅片片表面的的金属杂杂质盐酸具有有酸和络络合剂的
7、的双重作作用，氯氯离子能能与多种种金属离离子形成成可溶与与水的络络合物。6#酸洗洗HF去除除硅片表表面氧化化层，SSiO22+6HHF=HH2siiF6+22H2O。控制点1减薄薄量定义：硅硅片制绒绒前后的的前后重重量差。控制范围围单晶1225，硅硅片厚度度在200025微米米以上，减减薄量在在0.550.22g；硅硅片厚度度在200025微米米以上，减减薄量在在0.440.22g。单晶1556，首首篮减薄薄量在00.70.22g；以以后减薄薄量在00.60.22g。2绒面面判断标准准：成核核密度高高，大小小适当，均均匀。控制范围围：单晶晶：金字字塔尺寸寸3110umm。3外观观无缺口，斑斑点
8、，裂裂纹，切切割线，划划痕，凹凹坑，有有无白斑斑，赃污污。异常处理理问题原因解决方法法硅片表面面大部分分发白，发发白区域域未出绒绒面1.NaaOH含含量偏低低，不能能充分进进行反应应，或者者IPAA含量过过高，抑抑止反应应进行。1.首先先判断原原因。2.增加加NaOOH的浓浓度，减减少IPPA的用用量。3.如果果不能调调节，重重新配制制溶液。2.如果果表现后后续返工工可以处处理发白白区域，则则可以断断定NaaOH浓浓度不够够。采用稀碱碱超声。3.表面面清洁度度不好。延长超声声时间。4.溶液液状态不不够均匀匀。1.对溶溶液进行行充分搅搅拌，补补加溶液液必须先先溶解，加加入之后后必须进进行溶液液充
9、分搅搅拌，使使用烧杯杯或竿进进行“8”字形状状搅拌溶溶液。2.查看看电源控控制柜相相应的加加热开关关是否都都在正常常工作。硅片表面面有白斑斑，部分分白斑区区域出现现在不同同硅片同同一位置置，白斑斑区域明明显表现现为被覆覆盖没有有出绒现现象硅片表面面的有机机物等污污染物粘粘附于硅硅片表面面，阻止止硅片制制绒。只使用柠柠檬酸进进行超声声，中间间对超声声槽溶液液进行更更换。硅片过腐腐，表现现为绒面面角锥体体过大，减减薄量过过大碱浓度过过大或反反应温度度过大，导导致在面上上反应速速率远大大于面面上反应应速率。测试温度度，确定定是否为为80度；稀释溶溶液浓度度，同时时保证溶溶液的均均匀性；降低下下次碱配
10、配制的浓浓度。单晶硅片片四边都都有白边边仍有白边边部份硅硅片反应应不够充充分，这这部份对对中间无无白边部部份偏厚厚。换言言之，整整个硅片片化学反反应不够够均匀，中中间部份份反应放放热不易易，导致致反应激激烈。保证溶液液均匀，控控制硅片片中心速速度，增增加缓冲冲剂。硅硅酸钠溶溶液可视视为缓冲冲剂。硅片两侧侧出现“花蓝印印”的白边边由于溶液液中硅酸酸钠的浓浓度过大大，粘稠稠度增加加，使得得承片盒盒与硅片片接触的的地方得得不到充充分反应应。视花蓝印印的严重重程度和和数量。通常需需要对溶溶液进行行部分排排放，并并进行补补对。鼓鼓泡此时时一定要要开启。雨点氢气泡粘粘附或氢氢气泡移移动缓慢慢形成。雨点处处
11、的绒面面相对正正常区域域主要表表现为制制绒不够够。1、 及早发现现，并进进行IPPA补加加，通常常会去掉掉或消弱弱痕迹。2、 即使形成成雨点状状不必继继续返工工，镀完完减反射射膜，可可以盖住住。但这这并不是是成为做做出雨点点而不加加以改善善的理由由。制绒时槽槽内硅片片区域性性发白溶液不均均匀或硅硅片本身身原因导导致。长时间制制绒未见见效果，对对相应区区域进行行少许NNaOHH补充，撒撒在相应应槽区域域即可；下次制制绒之前前需要对对溶液搅搅拌均匀匀。制绒时硅硅片漂浮浮制绒IPPA量不不足，导导致氢气气粘附于于硅片表表面，没没有及时时被带走走。补加相应应IPAA量即可可。返工处理理返工类型型返工方
12、法法减薄量实实测值小小于控制制计划规规定下限限重新制绒绒，制绒绒时间可可视实际际情况调调整各种硅片片表面异异常根据减薄薄量的大大小确定定返工二 扩散散工艺扩散目的的在来料硅硅片P型型硅片的的基础上上扩散一一层N型型磷源，形形成PNN结。扩散原理理POCll3在高温温下（6000）分解生生成五氯氯化磷（PCll5）和五氧氧化二磷磷（P2O5），其反反应式如如下：5POCCl3 =3PPCl55+P2O5生成的PP2O5在扩散散温度下下与硅反反应，生成二二氧化硅硅（SiOO2）和磷原原子，其反应应式如下下：2P2OO5 + 55Si = 55SiOO2 + 4PPOCll3热分解解时，如如果没有有
13、外来的的氧（OO2）参与与其分解解是不充充分的，生生成的PPCl55是不易易分解的的，并且且对硅有有腐蚀作作用，破破坏硅片片的表面面状态。但在有有外来OO2存在在的情况况下，PPCl55会进一一步分解解成P22O5并放出出氯气（Cl2）其反应式如下： 4PCCl5+5OO2 =22P2O5+100Cl22生成的PP2O5又进一一步与硅硅作用，生生成SiiO2和磷原原子，由由此可见见，在磷磷扩散时时，为了了促使PPOCll3充分分的分解解和避免免PCll5对硅片片表面的的腐蚀作作用，必必须在通通氮气的的同时通通入一定定流量的的氧气。就这样样POCCl3分解产产生的PP2O5淀积在在硅片表表面，P
14、P2O5与硅反反应生成成SiOO2和磷原原子，并并在硅片片表面形形成一层层磷-硅玻璃璃，然后后磷原子子再向硅硅中进行行扩散。扩散类型型1.恒定定源扩散散：在稳稳态扩散散的条件件下，单单位时间间内通过过垂直于于扩散方方向的单单位面积积的扩散散质量与与该截面面处的浓浓度梯度度成正比比。2.限定定源扩散散：在再再分布过过程中，扩扩散是在在限定源源的条件件下进有有的，整整个扩散散过程的的杂质源源，限定定于扩散散前积累累在硅片片表面的的无限薄薄层内的的杂质总总量，没没有外来来杂质补补充即在在硅片表表面处的的杂质流流密度。 车间使用用的是两两步扩散散：预淀淀积+扩扩散。预预扩散是是恒定源源扩散，主主要是使使得硅片片表面气气体浓度度一致，保保持整批批方块电电阻是均均匀性。主扩散散是限定定源扩散散，并且且在主扩扩散后通通入大氮氮气体，作作为推进进气体，加加大PNN结深度度。工艺流程程TemppresssStepp Noo.Stepp NaameMesssagee 说明明0Loadd/UnnloaadStannd BBy等待并准准备开始始，温度度为Teemp.Norrmall Reecippe:00，舟的的位置在在
