原边控制高精度恒压恒流PWM控制器

上传人:工**** 文档编号:510403809 上传时间:2023-09-26 格式:DOC 页数:12 大小:621KB
返回 下载 相关 举报
原边控制高精度恒压恒流PWM控制器_第1页
第1页 / 共12页
原边控制高精度恒压恒流PWM控制器_第2页
第2页 / 共12页
原边控制高精度恒压恒流PWM控制器_第3页
第3页 / 共12页
原边控制高精度恒压恒流PWM控制器_第4页
第4页 / 共12页
原边控制高精度恒压恒流PWM控制器_第5页
第5页 / 共12页
点击查看更多>>
资源描述

《原边控制高精度恒压恒流PWM控制器》由会员分享,可在线阅读,更多相关《原边控制高精度恒压恒流PWM控制器(12页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、CL1100深圳市流明芯半导体照明科技有限公司#深圳市民治街道梅龙路彩悦大厦406B(深圳北站旁)电话:0755-61335808 61348285 61348286 61348236 61348302传真:0755-29059280 Email:saleslumenchipcomCL1100原边控制高精度恒压/恒流PWM控制器 概述CL1100是一款应用于低功率AC/DC电池充电器和电源适配器的高性能隔离式PWM控制器.其 利用原边反馈工作原理。因此,TL431和光耦可以被省去.恒压和恒流控制综合属性如图1所示。在 恒流控制当中,电流和输出功率设置可以通过CS引脚的感应电阻进行外部检测.在

2、恒压控制当中,多 模式运作的使用实现了高性能和高效率.此外还可以通过输出线压降补偿达到良好的负荷调节,器件 工作在PFM下恒流模式的大负荷状态以及在轻/中型负栽中PWM脉宽讽制频率会减少.CL1100提供 电源的软启动控制和保护范围内的自动修复功能包括逐周期屯流限制,VDDOVP保护功能,VDD电 压钳位功能和欠压保护等。专有的频率抖动技术使得良好的EMI性能得以实现.所以CL1100可以达 到S粕度6勺恒庄和恒流.特性应用范 5%以内的恒压精度,5%以内的恒流精度.原边反馈省去TL431和光栩以降低成本。可调CV电压.CC电流及输出功率可调恒流输出电源设置内置的二次恒定电流控制与初级反馈内迅

3、的自适应电流调峰内置原边绕组电感补偿内置输出线压降补偿内JL软启动功能内置前沿消隐电賂(LEB)逐周期电流限制欠压保护(UVLO ) VDDOVP彳杲护功能 VDD电压钳位功能低功率的AC/DC离线开关电源应用于:手机/无绳电话充电器数码相机充电器小功率电源适配器电脑/电视辅助电源线性电源替代CL1100 采用 SOT23-6 封装.典型应用典型CC/CV曲线管脚分布图图1典型CCQV曲线Gl)GATESOT23-6CSJ 4VDDCOMPINVCHIPL /V/CSEMICONDUCTOR封装耗散等级封装ROJA CC/W)SOT23-6200最大额定值(注释1)泰数范围电源电压-0.3到V

4、DD电压钳位齐纳电压钳位连续电流10 mA补偿屯压0.3 to 7VCS输入屯压-0.3 to 7VIN V输入电压0.3 to 7V最高工作结温度T150 最小/最大存储温度Tstg55 to 150 X2焊接温度(焊锡JOsecs)260 C注释1:趙出-绝对最大额定值”可能损毁器件 推荐工作范因内器件可以工作,但不保证其特性 运行在绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。管脚描述管脚号管脚龙I/O描述1GNDp直接接地2GATEo图腾柱柵极驱动功率MOSFET3CSI电流检测输入. 连接到MOSFET的电流检测的电阻结点.4INVI辅助绕组进行电压反馈。连接电阻分压器和辅助绕组反

5、映输出电 压.PWM占空比周期由EA输出和引脚3的电流检测信号决定.5COMPI环路补偿提高恒压稳定性6VDDp屯源深圳市流明芯半导体照明科技有限公司#深圳市民治街道梅龙路彩悦大厦406B(深圳北站旁)电话:0755-61335808 61348285 61348286 61348236 61348302传真:0755-29059280 Email:saleslumenchipcomCL1100CHIPL INK_SEMICONDUCTOR结构框图深圳市流明芯半导体照明科技有限公司#深圳市民治街道梅龙路彩悦大厦406B(深圳北站旁)电话:0755-61335808 61348285 6134

6、8286 61348236 61348302传真:0755-29059280 Email:CL1100CHIPL INK_SEMICONDUCTOR电气特性(TA = 25r, VDD=16V,如呆没有特殊说明)符号测试条件聂小值典型值.最大值单位电源电压(VDD电压)I DD ST待机电流VDd=13V520uAI DD op工作电流操作电源电流V=2V,CS=0V,Vdd=18V23mAUVLO(ON)VDD欠压锁定时电压Vdd电压下降8.29.010.5VUVLO(OFF)VDD锁定退出时电压VDD电压上升13.514.816.0VVDD clamp电源最大工作屯压loD=10mA27

7、28.530VOVP过电压保护开始使VDD上升至栅板关 断2627.529V电流检测输入TLEBLEB时间625nsVth oc过电流闻值880910940mVTd ocOCP传播延迟110nsZsense IN输入阻抗50KohmT ss软启动时间17ms频率Freq MaxNo,1IC最高頻率657075kHzFreq Nom系统额定开关频率50KHzFreq startupINV=0V, Comp=5V14KHzf/Freq频率抖动范围+/-6%课崔放大器Vref EAEA枣考电压1.9722.03VGainE A直流增益60dBl_COMP_MAX当前最大输出线压降 补偿INV=2V,

8、 Comp=0/37.5uA栅极驱动器输出VOL输出低电平lo=20mA1VVOH输出高电平lo=20mA8VV clamp输出钳位电压16VT r输出上升时间CL=0.5nF650VT f输出下降时间CL=0.5nF40V注释:1. Freq.Max显示集成电路内部最大时钟频率.在系统的应用中.最高运行频率70kH乙 它出现在最 大输出功率或者恆压与恒流的过浪点上。深圳市流明芯半导体照明科技有限公司#深圳市民治街道梅龙路彩悦大厦406B(深圳北站旁)电话:0755-61335808 61348285 61348286 61348236 61348302传真:0755-29059280 Em

9、ail:CL1100CHIPL INK_SEMICONDUCTOR深圳市流明芯半导体照明科技有限公司#深圳市民治街道梅龙路彩悦大厦406B(深圳北站旁)电话:0755-61335808 61348285 61348286 61348236 61348302传真:0755-29059280 Email:CL1100CHIPL INK_SEMICONDUCTOR特性曲线l.vL0(OX) vs Temperature-1020SO 30o o o o o oI c 3 c so 9 9 8 8 7L v LO(OFFXV) vs Tciipcraturc(C)Temperature(C)Tei-

10、erature(C)Startup(叭)s Temperaoire(C)FrcqJUaxiKHz) vs Teniperature(C)Rdsor(ohrn) vs Temp er Mur e(C)(UHIOVCMPWO.4.06 Z6.0.3 2 11、XTLC2LCCPT U:Cn;jA)VI VCOV)23veere V)or9 Q -20 W5 4- 4 3 3 2o 3 Q 52 11深圳市流明芯半导体照明科技有限公司#深圳市民治街道梅龙路彩悦大厦406B(深圳北站旁)电话:0755-61335808 61348285 61348286 61348236 61348302传真:075

11、5-29059280 Email:CL1100CHIPL INK_SEMICONDUCTOR使用说明CL1100是一款应用于低功率AC/DC电池充电器和电源适配器的高性能离线式PWM控制器,应用 于电池充电器和适配器.它利用了原边反馈技术使系统应用由可以节省TL431和光耦以降低成本。专 置的频率抖动可以实现高精度恒流/恒压控制,可以满足适配器和充电器的应用需求.启动电流和启动控制CL1100的启动电流设计的非常低,使VDD充电电压高于UVLO闻值,并开始迅速增加.较大的启动 值电阻可以尽量的减少在应用中的功率损耗。工作电流CL1100的工作屯流低至2.5mA.,低工作屯流实现了多模式控制功

12、能的良好效率.软启动CL1100采用了内部软启动以尽量减少在电源启动时的部分电气过应力当VDD电压达到UVLO欠压 保护时,控制算法将使峰值电压间值逐渐从几乎为家的值上升到正常设X0.90V,而且每次重新启 动都是一个软启动恒压/恒流工作CL1100设计可以对恒流/恒压进行更好的控制,控制特性如图1所示,在充电器应用中,放电的电池 在恒流曲线时开始充屯直到充电结束,顺利开关运行至恒压曲线部分.只有在AC/DC适配器正常工作 时才会出现恒压曲线.恒流控制会对输出电流进行限制.在恒压模式运行中,则主要体现在原边控制 器通过对输出电压的调节进行控制,在恒流模式中,CL1100无论偷出电压下降与否都将训节输出电 流使其恒定.工作原理为了实现CL1100对于桓流/恒压的控制系统需要设计在DCM模式.反激式系统(参照典型应用图). DCM的反数变换器,可使输出电压通过辅助绕组进行检测.在MOSFET的导通期间,负栽电流由滤 波电容器供应.原边绕纽电流逐渐上升.当MOSFET关闭时,原边电流转换为副绕组电流:辅助电压反映了榆出电压如图2所

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 办公文档 > 解决方案

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号