《LED驱动MOS管RSM4953可替代APM4953,GT4953》由会员分享，可在线阅读，更多相关《LED驱动MOS管RSM4953可替代APM4953,GT4953（11页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、司乙科创述电弓IKECHUANGDA ELECTRONICS4953-30V双P沟道增强型MOSFETMar. 2011司乙科创述电弓IKECHUANGDA ELECTRONICS4953Mar. 2011司乙科创述电弓IKECHUANGDA ELECTRONICS49531.描述引脚排列Mar. 2011司乙科创述电弓IKECHUANGDA ELECTRONICS4953双P沟道增强型场效应管4953,在低栅极电荷下提供低导通 电阻，可在电源管理中，作为负栽开关或PWM应用.2. 特点 超高密度单元 低导通电阻 低栅扱电容 快开关速度 大功率和电潦输出能力 Vos=-30V, l=-5A,
2、Rm（）63mQ V=-10V, VOF-30V, l=-5A, R（oo95mQ Vu=-4.5V3. 应用领域 电源管理 负栽开关 电池保护 便携式设备框图Mar. 2011司乙科创述电弓IKECHUANGDA ELECTRONICS4953Mar. 2011司乙科创述电弓IKECHUANGDA ELECTRONICS4953Mar. 2011司乙科创述电弓IKECHUANGDA ELECTRONICS4953Mar. 2011司乙科创述电弓IKECHUANGDA ELECTRONICS49534. 订购信息工作温度范围（结温）封装订购型号包裝数量-55 C +175 CS0P8Pb-Fr
3、ee4953D4000片/卷5. 最大额定参数（应在推荐工作条件下实现功能）参数符号数值单位漏源电压Vre-30V栅源电压V.20V漏极连续电流（注2）|-5A漏极脉冲电流（注1）lM-30A双路功耗PeT=25 C2.5W单路功耗（注2）PoT=25 C1.6w工作结温Tj-55 * +175 c存借温度-55 * +175 c热阻，结到环境（注2）R JA78 c/w热阻，结到外売（注2）Rex40 c/w注仁脉冲宽度受最大结温限制注2:贴装在0.5平方英寸铜盘上，78C/W6. 电气特性(推荐工作条件：Ta = -40 C +85 C, V = +1.8V ” +5. 5V, G = 1
4、00 pF,徐非另有注明)符号测试条件載小值典型值載大值单位漏源击穿电压BVomVM = 0V, lD= -250VuA-30-V漏源导通电阻（注1）RoSCorOVM= -10V, lo= -5A5563mQV.s = -4.5V, L=-3.3A7095mQ橱极门限电压Ves(ooVw =V, lD= -250VpA-1-1.6-3V萼栅极电压漏极电流lossVM = -24V, V = OV-1M正向栅极截止电流IgssfVM = -20V, VBS = 0V-100nA反向栅极截止电流lmVM = 20V, VM = 0V100nA正向跨导GrsVM = -5V, lD= -5A10S
5、输入电容Ci”VM = -15V V = OV f=1 0MHz528pF输出电容CMS132反向传输电容Cras-70-符号测试条件最小值典型值最大值羊位导通延迟时间（注4）tdlan)Voo = -15V-714nsMar. 20113乙科创达电吕IKECHUANGDA ELECTRONICS4953导通上升时间trId = -1AVgs = -10VRm = 6Q1324关斷延迟时间1425关斷下降时间匕917橱极总电荷（注。OffVos = -15V l = -5A V = -5V69nC栅源极电荷Qgs2.2-柵漏极电荷Qgd2源漏 二极管正向导通 电压（注1）V.11. OA, V
6、=OV1)=25 C-0.8-1.2V漏源连续正 向电流Is-1.3A注仁脉冲宽度W300A s,占空比W2%Mar. 20113乙科创达电吕IKECHUANGDA ELECTRONICS4953Mar. 20113乙科创达电吕IKECHUANGDA ELECTRONICS4953图2.开关测试波形Mar. 20113乙科创达电弓BKECHUANGDA ELECTRONICS4953#Mar. 20113乙科创达电弓BKECHUANGDA ELECTRONICS49538.特性曲线图MlNaorHn。NRQKJ *B 3 4 2 11 1 40NV1SIS3M-NO wownoszVMO QW
7、NSXaoz012345V* DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)0.30612182430屯 DRAIN CURRENT (A)图3.导通区特性0 25图4.导通电阻Votg与濱极电浪和槪极电压的关系W0ZRS_S3HNO WOMnos.NNHOOWN32i065A 10V-/MHO) W02H8W.ZO-50-250255075100125150175Tj. JUNCTION TEMPERATURE (C)图5.导通电阻Vxs与湛度的关系?46810畑 GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)图6导通电阻Veg与需源极电压的关系) INaworno 2320
8、$V0B -5Vc/多21o O 1 1 1 11CO1 O0.OWO 1009 9.栅极充电转性100f 1 MHzV/OVjkCgJjCrbs051015202530Vw. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)00 10.电容特性3AlioaG OHZn VWGON g二DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)Vgs.10V SINGLE PULSE 135CAV叫sLIMIT1ms10ms12兀 + ooi1_LLLL01100msS 11.最大安全工作区域100ms :30NV1!1VWa3HllN3ISNVa1000r d-05 -:0 05:0.02-00
9、1SINGLEI” PULSE(M) MaMod .ir500 01SINGLE PULSE尺心=135-CAVTa s 25X10 100trTIME (MC)图12.脉冲聂大功耗Rm=r(t) * RmaRua = 135C/W一 P(Dk)Y -Lti J一- t2 *4= Tj - Ta = P Rm(t)Duty Cycle, D = ti/bI HUH1 1 1 11110.0001 0.001 0.01 0.1图13瞬态热阻001#Mar. 201149533乙科创述电吕Ikechuangda electronics9.封装尺寸S0P8A3 A1 A2 存十l.! iI7目目/目目XCDeiR202sR1B2D1#Mar. 20114953#Mar. 20114953符号尺寸（mm）符号尺寸（mm）最小值最大值最小值最大值A4.955.15C30.050.20A10.370.47040. 20 （典型值）A21.27 （典型值）D1.05 （典型值）A30.41 （典型值）010.400.60B5.806.20R10.07 （典型值）Bl3.804.00R20. 07 （典型值）
