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1、撰写人：_日 期：_南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样一、页面设置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,页眉1.5cm,页脚1.75cm，行间距1.35倍。二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，页码从中文摘要、Abstract、目录用罗马数字(I，II，)编排，从正文第一章开始按照阿拉伯数字（1，2，3）编排。四、摘要1 中文摘要：标题小二号宋体加粗，“专业、准考证、姓名、指导教师”五号宋体，“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，“关键词”三字小四号宋体加粗，2
2、 英文摘要：标题小二号Times New Roman NANCHANG UNIVERSITY 毕 业 论 文PAPERS FOR BACHELOR（2008年2012年）题 目 专业班级： 学生姓名： 准考证号： 指导教师： 摘要页眉：中文宋体，五号，居中宋体，小二号，居中III-族氮化物及其高亮度蓝光宋体，五号，对齐居中LED外延片的MOCVD生长和性质研究专 业： 准考证 ：学生姓名： 指导教师： 标题：宋体，四号，两端对齐，1.35倍行距内容：中文宋体，外文字符Times New Roman，小四，两端对齐，1.35倍行距关键词：“关键词”三字加粗，关键词用“；”分隔 摘要宽禁带III族
3、氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCV
4、D系统上对III族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词：氮化物； MOCVD；
5、 LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱 IAbstract页眉：外文Times New Roman，五号，居中Times New Roman，小二号，居中Study on MOCVD growth and properties of III-nitrides and high brightness blue LED wafersAbstract标题：Times New Roman，四号，两端对齐，1.35倍行距内容：Times New Roman，小四，两端对齐，1.35倍行距关键词：“Keyword”三字加粗，关键词用“；”分隔 GaN based - nitrides have p
6、otential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten companies in America and Japan reporte
7、d to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 62” MOCV
8、D systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. T
9、his idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield min of GaN
10、 layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was supported by 863 program in China.Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorpti
11、on目录宋体，小三号，居中目录摘要Abstract第一章 GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）11 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用11. 2 III族氮化物的基本结构和性质41. 3 掺杂和杂质特性121. 4 氮化物材料的制备131. 5 氮化物器件191. 6 GaN基材料与其它材料的比较221. 7 本论文工作的内容与安排24第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺31 2. 1 MOCVD材料生长机理31 2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备32目录内容：中文宋体，英文和数字Times New Roman，小四页码编号：摘要,Abstract使用页
12、码“I,II,”；正文开始使用页码“1,2,3,”；小节标题左侧缩进1字符；页码数字居中对齐 参考文献（References）138致谢150第一章 GaN基半导体材料及器件进展章标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居中第一章 GaN基半导体材料及器件进展1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用节标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居左正文文字：中文宋体，英文Times New Roman，小四，两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符，行距1.35倍（段落中有数学公式时，可根据表达需要设置该段的行距），段前0行，段后0行。 在科学技术的发展进程中，材
13、料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年，前20年进展缓慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。 表标题
14、置于表的上方，中文宋体，英文Times New Roman ，五号加粗居中，表序与表名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文Times New Roman，五号，行距1.35。12 III族氮化物的基本结构和性质 表1-1 用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、ac和T0的值样品类型实验方法带隙温度系数dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)ac (eV/K)T0 (K)参考文献GaN/Al2O3光致发光-5.3210-43.5035.0810-4-99661GaN/Al2O3光致发光3.4897.3210-470059GaN/Al2O3光致发光-4.010-4-7.210-460062GaN/Al2O3光吸收-4.510-43.471-9.310-477263
