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1、（设备技术性能指标及参数、目的、用途、环境要求等）1. 设备用途1.1. 可实现氧化硅、氮化硅、非晶硅（ n+ a-Si:H 和 intrinsic a-Si:H ）等介质 薄膜的化学气相沉积。1.2. 投标厂家提供多种工艺调试和开发的服务。2. 设备规格2.1. 反应腔体：2.1.1. 腔体由整块铝锭加工制成、无焊缝、低漏率。2.1.2. 真空窗口，可观察腔体内部状况。2.2. 上电极：2.2.1. 铝制电极。2.2.2. 配备气体喷淋环。2.3. 下电极：2.3.1. 铝制电极。2.3.2. 直径不小于 200mm 。2.3.3. 可承载 6 英寸晶圆或 4x4 cm 玻璃片。2.34采用
2、电阻式加热温控装置，晶圆最高温可达350 C。2.4. 射频电源：2.41采用进口射频电源，功率不低于300W，频率为1356MHz，可自动进 行匹配。（国际知名品牌例如： AE、ADTEC 等）25 反应气体模块：251 * 工艺气体：至少配置 6 路。252 采用进口质量流量控制器（ MFC ），精准度 1% 。（国际知名品牌例 如： MKS 、Brooks 等）253 采用美国 Swagelok 气动截止阀。254 采用 1/4 SUS316 电抛光 EP 管及 VCR 接头。26 真空测量控制系统：261 采用进口真空计，可进行等离子体工艺压力读取与控制。（国际知名品 牌例如： Edw
3、ards 、 Inficon 、 MKS 等）2.7. 反应腔体抽真空系统：2.7.1. * 采用进口干泵。（国际知名品牌例如： Alcatel 、HanBell 、Edwards 等）2.7.2. 6min 内，反应腔体可从大气抽真空至 5E-2 Torr 。2.7.3. 配备自动压力控制装置 （APC） 。2.8. 自动控制系统：2.8.1. 全自动智能化控制软件，并可切换为手动控制，可一键控制真空泵 抽气及排气以及所有挡板及阀门。3. 工艺要求3.1. SiO2 沉积工艺：311*沉积速率：三40 nm/min312*片内厚度均匀性：W 土 3% （6英寸）313*片间厚度重复性：W 土
4、 3%314 折射率： 145土005315薄膜应力：W 300 MPaBHF 刻蚀速率：W 300 nm/min （ +25oC ,316 10:1 ）32 Si3N4 沉积工艺：3.2.1. * 沉积速率：三 30 nm/min322. *片内厚度均匀性：W 土 5% （6英寸）323. *片间厚度重复性：W 土 3%324 折射率： 195 土0053.2.5.薄膜应力：W 300 MPaBHF 刻蚀速率：W 100 nm/min （ +25oC ,326 10:1 ）33 intrinsic a-Si:H 沉积工艺：331*片内厚度均匀性：W 土 5% （6英寸）4 用户培训41 交机安装完成后将免费提供设备操作的训练课程，训练课程包含介 绍系统特色、系统架构与说明、系统联机与保养及实际操作训练。4.2. 提供中文和英文标准作业流程（ SOP ）纸本各两份与电子文件。4.3. 提供简易工具箱，以方便未来设备维修使用。5. 交货日期合同签订后 4 个月可以完成交货 。
