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1、SB3FRL1L2L3QFM13FRKM1M23KM2SB4SB1KM1SB2KM2KM2KM1KM2KM2第6章 检测题 (共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ,少数载流子为 空穴 ,不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ,少数载流子为 自由电子 ,不能移动的杂质离子带 负 电。2、三极管的内部结构是由 基 区、 发射 区、 集电 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出电极分
2、别是 基 极、 发射 极和 集电 极。3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向 相反 ,有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少子 的 漂移 ;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向 相同 ,有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ,这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子 空穴 向 N 区进行扩散,N型半导体中的多数载流子 自由电子 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ,其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立,对多数载流子的 扩散运动 起削弱作用,对少子的 漂移运动 起
3、增强作用,当这两种运动达到动态平衡时, PN结 形成。5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的 R1K 档位,当检测时表针偏转度较大时,则红表棒接触的电极是二极管的 阴 极;黑表棒接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被 击穿损坏 ;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经 绝缘老化不通。6、单极型晶体管又称为 MOS 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管,正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。8、MOS管在不使用时应避免 栅 极悬空,务必将各电极
4、短接。二、判断正误:(每小题1分,共10分)1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。 (错)2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 (错)3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R10K档位。 (错)4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。 (错)5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。 (错)6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。 (对)7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿损坏。 (错)8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,该管必被击穿。 (错)9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。 (错)10、
5、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。 (错)三、选择题:(每小题2分,共20分)1、单极型半导体器件是(C)。A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是(C)。A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1K,说明该二极管(C)。A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。A、
6、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE2.1V,VB2.8V,VC4.4V,说明此三极管处在(A)。A、放大区; B、饱和区; C、截止区; D、反向击穿区。7、绝缘栅型场效应管的输入电流(C)。A、较大; B、较小; C、为零; D、无法判断。8、正弦电流经过二极管整流后的波形为(C)。A、矩形方波; B、等腰三角波; C、正弦半波; D、仍为正弦波。9、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM; B、集射极间反向击穿电压U(BR)CEO;C、集电极最大允许耗散功率PCM; D、管子的电流放大
7、倍数。10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C)A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏;C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。四、简述题:(每小题4分,共28分)1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?答:这种说法是错误的。因为,晶体在掺入杂质后,只是共价键上多出了电子或少了电子,从而获得了N型半导体或P型半导体,但整块晶体中既没有失电子也没有得电子,所以仍呈电中性。2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚1
8、2V、管脚3V、管脚3.7V,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。答:管脚和管脚电压相差0.7V,显然一个硅管,是基极,一个是发射极,而管脚比管脚和的电位都高,所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚是发射极,管脚是基极,管脚是集电极。3、图6-23所示电路中,已知E=5V,V,二极管为理想元件(即认为正向导通时电阻R=0,反向阻断时电阻R=),试画出u0的波形。u/Vt0uiu0105图6-23答:分析:根据电路可知,当uiE时,二极管导通u0=ui,当uiE时,二极管截止时,u0=E。所以u0的波形图如下图所示:4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同?单极型和双极
9、型晶体管的导电情况又有何不同?答:金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电,而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子,它们同时参与导电,这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电,因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。图6-245、图6-24所示电路中,硅稳压管DZ1的稳定电压为8V,DZ2的稳定电压为6V,正向压降均为0.7V,求各电路的输出电压U0。答:(a)图:两稳压管串联,总稳压值为14V,所以U0=14V;(b)图:两稳压管并联,输出电压按小值计,因此U0=6V;(c)图:两稳压管反向串联,U0=8.7V;(d)图:两
10、稳压管反向并联,可认为DZ1截止不通,则U0=0.7V。6、半导体二极管由一个PN结构成,三极管则由两个PN结构成,那么,能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管?如不能,说说为什么?答:将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为,两个背靠背的二极管,其基区太厚,不符合构成三极管基区很薄的内部条件,即使是发射区向基区发射电子,到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉,根本不可能有载流子继续向集电区扩散,所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大倍数
11、大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大,且结面积也不同。五、计算分析题:(共17分)1、图6-25所示三极管的输出特性曲线,试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。(8分)(1)(2)(3)IC (mA)UCE (V)54321100A 80A 60A 40A 20AIB0图6-2501 2 3 4 5 6 7 8ABC解:A区是饱和区,B区是放大区,C区是截止区。(1)观察图6-25,对应IB=60A、UCE=3V处,集电极电流IC约为3.5mA;(2)观察图6-25,对应IC=4mA、UCE=4V处,IB约小于80A和大于70A;(3)对应IB=20A、UCE=3V处,IC
12、1mA,所以1000/2050。2、已知NPN型三极管的输入输出特性曲线如图6-26所示,当(1)(2)(3)图6-26IC (mA)UCE (V)108642100A 80A 60A 40A 20AIB001 2 3 4 5 6 7 8(b)输出特性)输入特性曲线IB (A)12080604020UBE (V)00.1 0.3 0.5 0.7 0.9 (9分)解:(1)由(a)曲线查得UBE=0.7V时,对应IB=30A,由(b)曲线查得IC3.6mA;(2)由(b)曲线可查得此时IC5mA;(3)由输入特性曲线可知,UBE从0.7V变到0.75V的过程中,IB30A,由输出特性曲线可知,I
13、C2.4mA,所以2400/3080。第7章 检测题 (共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共21分)1、基本放大电路的三种组态分别是: 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放大电路。2、放大电路应遵循的基本原则是: 发射 结正偏; 集电 结反偏。3、将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端,这部分信号叫做 反馈 信号。使放大器净输入信号减小,放大倍数也减小的反馈,称为 负 反馈;使放大器净输入信号增加,放大倍数也增加的反馈,称为 正 反馈。放大电路中常用的负反馈类型有 电压串联 负反馈、 电流串联 负反馈、 电压并联 负反馈和 电流并联 负反馈
14、。4、射极输出器具有 电压增益 恒小于1、接近于1, 输入信号 和 输出信号 同相,并具有 输入电阻 高和 输出电阻 低的特点。5、共射放大电路的静态工作点设置较低,造成截止失真,其输出波形为 上 削顶。若采用分压式偏置电路,通过 反馈环节 调节 合适的基极电位 ,可达到改善输出波形的目的。6、对放大电路来说,人们总是希望电路的输入电阻 越大 越好,因为这可以减轻信号源的负荷。人们又希望放大电路的输出电阻 越小 越好,因为这可以增强放大电路的整个负载能力。7、反馈电阻RE的数值通常为 几十至几千欧 ,它不但能够对直流信号产生 负反馈 作用,同样可对交流信号产生 负反馈 作用,从而造成电压增益下降过多。为了不使交流信号削弱,一般在RE的两端 并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容CE 。8、放大电路有两种工作状态,当ui0时电路的状态称为 静 态,有交流信号ui输入时,放大电路的工作状态称为 动 态。在 动 态情况下,晶体管各极电压、电流均包含 直流 分量和 交流 分量。放大器的输入电阻越 大 ,就越能从前级信号