内存常用颗粒识别

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1、内存颗粒编号识别内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内 存芯片上编号型号的。现在我们就详细列出内存编号的各项含义。(1) HYUNDAI (现代)现代的内存颗粒现在都改名为Hynix 了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。其SDRAM芯片编号格式为：HY 5 V - s,具体的编号含义可以在现代的网站 上找到：PROCESS 毎 POWER SUPPLYU;4即mil TSOP6I129:Normal Power257:Low 卩owerDEE GENERATIONDATA WIDTH:CMOS, 3.3V:CMOS, 2.5V;b

2、its. 4K ReF. :S4M hits, BK Ref.:4M bits, 4K Ref :12SM biis, 4K Ref.:2S6M bits, 8K Ref.Memory Prod netPRODUCT FAMILY:SDRAMs:DDRSDRAMsSPEED*5:&n別200耐z)55:S:gns(1&B!MHz)7;7ms(U3MHz)75:7Jns (133 MHz)B:9nsWPz 10nsCL2&310S;10ns E0IWN可 GL310:iOns (100MIHz)12:12fis (UM Hz)IS:15nsI : industrial TernperaturB

3、E: Ek馆ndect Tee 口Eratuiirm:IMPin-TQFPBANK:2Bank:iBankB Niote : 10P/ 10S PG10Q ConnpEiant10- PCS-1 CompliantBLANKINTERFACE:1st Generat ion:nd Generation:3rd Generation:4th Generation):5-th Generation!z LVTTL:SSTL:SSTL2其中HY代表现代的产品：5表示芯片类型(57=SDRAM, 5D=DDR SDRAM)；代表工作电压(空白=5V, V=3.3V,U=2.5V)； 代表容量和刷新速度

4、(16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref， 128=128Mbits、 8K Ref, 129=128Mbits、 4K Ref, 256=256Mbits、 16K Ref, 257=256Mbits、 8K Ref)；代表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；代表内存芯片内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幕次关系); 代表接口(0=LVTTL Low Voltage TTL接口)；代表内核版本(可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核

5、越新)代表功耗(L=低功耗 芯片,空白=普通芯片)；代表封装形式(JC=400mil SOJ, TC=400mil TSOP-II, TD=13mm TSOP-II, TG=16mm TSOP- II);代表速度(7=7ns 143MHz, 8=8ns 125MHz, 10p=10ns PC-100 CL2 或 3, 10s=10ns PC-100 CL3, 10=10ns100MHz, 12=12ns83MHz, 15=5ns66MHz)。另外，以前LGS(LG Semicon)也是韩国的一大内存芯片厂商，但后来被HY兼并。LGS SDRAM内存芯片编号格式为： GM72V 1 PRODUC

6、T GROUPSDRAMPROCESS & POWER SUPPL:CMOS, 3.3VDENSITY & REFRESHPREFIX OF LGSMemory IC161728646566:16M bits. 4K Ref.:16M bits. 2K Ref.:128M bits, 4K Ref. :64M bite: 16K Ref.:64M bits, 8K Ref.:64M bi!s. 4K Ref.ORGANIZATION4a1632BANK1:IBank:2Bank:4Bank:8BankI/O INTERFACE:LVTTL6:166MHz65:153MHz7:143MHz75:

7、133MHz81 125MHz7K:PC100. 2-2*2ft7J:PC100r 3-2-2AA10K:PC66*1OJ:PC66*12:B3MHz15:66MHzPACKAGETR:TSOP(Normal):TSOP(Reverse):BLP:StackPOWERBLANKL:Normal Power:Low PowerREVISION NO.BLANKABCDEF:Original:First:Second:Third:Fourth:Fifth:SixtfiNote)人7K nwans to meet tCK=1Ons: CL=2, lAC=6ns 7J means lo meet tC

8、K= 10ns, C L=3, tAG=6ns 10K means lo meet tCK= 15ns, CL=2: tA.C=9ns 10J means to neet tCK=10ri5, CL=3, tAC=9.5ns其中 GM 代表 LGS 的产品；72 代表 SDRAM； V 代表 3.3V； 12代表容量（16=16Mbits, 66=64Mbits）； 34表示数据位宽（一般为 4、8、16 等）；5代表 Bank （2=2 个 Bank, 4=4 个 Bank）； 1 代表 I/O 接口： LVTTL； 6表示内核版本；7代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；8代表封装（T=常见

9、的TSOPII封装，I=BLP 封装）；9.10代表速度（7.5=7.5ns 133MHz, 8=8ns 125MHz, 7K=10ns PC-100 CL2 或 3, 7J=10ns 100MHz， 10K=10ns100MHz， 12=12ns83MHz， 15=15ns66MHz）。以上的内存编号只是属于旧编号，下面是现代最新编号的规则，不过大体上还是相同，这里就不再重复了。最新SDRAM编号HY XX X XX XX X X XX XX X - XX XMBMBaaMaaaH MBBiHYMDC MEMORYI t Industrial Temperature E t Exteinde

10、d TemperatuneSPEEDPRODUCT FAMILY:2NMHz55:SDRAMsz USNIHz;IBBWIHz;1OMHzPROCESS 咨 POWER EUPPIL*:VDD = 3JV i VDDQ-:VDD = 3jDV it VDDQ=1 VDD = 2.5V4 VDDQ =:VDD = 2.5V & VDDQ =:VDD= 1.BV & VDDQ =DENSITY & REFRESH1632:16hl 2K Refresh:32M 4K Refreshi 64M 4K Refresh:12SM 4K Refresh3.3V3.0V2.5V18V1.BV:128M Wi

11、th TCS R. 4K Refresh:25fiM BK Refresh:512M SR Refresh:PC133.C-L2z PC133.CL3;125 MHz;PC1W4 CL2 z PC1W4 CL3;10DMHzPACKAGE MATERIALBLANKt fNonmaf1 Pb free; Halogen Iitm:Pb & Halogefi freePMKAGE TYPE:TSOP;ZBanks:4BanksINTERFACE:LVTTL;SSTL 3I 匚 tionGbBChn-iiLJ!BLANK:1st Gen.H:1st (SeimA:2nd Gen,HAi 2nd G

12、en.B;3rd GemHIBi 3rd Gen.C:4th GerixHC:4th GenZDIE GENERATION:Stack Package Type 1 :Stack Package Type2POWERBLANK : formal Power L: Low PowerBANK:Super Low Power Applicable Part List (ExamplES of 監4 Model)亠64MFHY57VG4420HFT (Cheong-ju)* 12SM 3rdHY57V2B420AT (Ichon)&HY57VM42?DHGT fCheong ju|lCHY&7V28

13、420HCT (ChBong-ju-256M1stHYS7VSG420T (ldion|2ndHY57V56420AT (khon)DHYS7V56420HDT Cheongu)最新 DDRRAM 编号u16D405HY XX X XX XX XX X x - xx x1: Industrial TemperatureE : Extended Temperature+ All DDR SDRAMs Follow above Part Numbeiring System except HY5DVB51622TC-seriesMEMORYPRODUCT FAMILYSPEEDDENSITY & REFRESHPACKAGE MATERIAL:TSOP:LQFP:FBGA:Stack PKG.tHynixJ:Stack PKG.flW&T):Stack PKG.(OtherE)# of BANKPOWER CONSUMPHONPROCESS 脛 RQWER SUPPLYORGANI 疋 ATEOIMPACKAGE:2Banks:4Banks:8BanksINTERFACEDIE GENERATION:VDD = 3.3V & VDDQ=2.5 V;VDD = 2.5V & V