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1、文档供参考，可复制、编制，期待您的好评与关注！ 浮点存储：1若浮点数x的754标准存储格式为(41360000)16，求其浮点数的十进制数值。解：将16进制数展开后，可得二制数格式为 0 100 00010011 0110 0000 0000 0000 0000 S 阶码(8位) 尾数(23位)指数e=阶码-127=10000010-01111111=00000011=(3)10包括隐藏位1的尾数1.M=1.011 0110 0000 0000 0000 0000=1.011011于是有x=(-1)S1.M2e=+(1.011011)23=+1011.011=(11.375)10 2. 将数(
2、20.59375)10转换成754标准的32位浮点数的二进制存储格式。解:首先分别将整数和分数部分转换成二进制数：20.59375=10100.10011 然后移动小数点，使其在第1，2位之间 10100.10011=1.01001001124 e=4于是得到： S=0, E=4+127=131, M=010010011 最后得到32位浮点数的二进制存储格式为：01000001101001001100000000000000=(41A4C000)16 3. 假设由S,E,M三个域组成的一个32位二进制字所表示的非零规格化浮点数,真值表示为（非IEEE754标准）：(1)s(1.M)2E128问
3、：它所表示的规格化的最大正数、最小正数、最大负数、最小负数是多少？ (1)最大正数0 1111 1111 111 1111 1111 1111 1111 11111(12-23)2127(2)最小正数 000 000 000000 000 000 000 000 000 000 001.02128(3)最小负数111 111 111111 111 111 111 111 111 111 111(1223)2127(4)最大负数100 000 000000 000 000 000 000 000 000 001.02128 4.用源码阵列乘法器、补码阵列乘法器分别计算xXy。 （1）x=1100
4、0 y=11111 (2) x=-01011 y=11001（1）原码阵列x = 0.11011, y = -0.11111符号位: x0y0 = 01 = 1x原 = 11011, y原 = 111111 1 0 1 1* 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 11 1 0 1 0 0 0 1 0 1 x*y原 = 1， 11 0100 0101带求补器的补码阵列x补 = 0 11011, y补 = 1 00001乘积符号位单独运算0111 1 0 1 1* 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1
5、1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 11 1 0 1 0 0 0 1 0 1尾数部分算前求补输出X11011，y11111XY-0.1101000101(2) 原码阵列x = -0.11111, y = -0.11011符号位: x0y0 = 11 = 0x补 = 11111, y补 = 110111 1 1 1 1*1 1 0 1 11 1 1 1 11 1 1 1 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 x*y补 = 0,11010,00101带求补器的补码阵列x补 = 1 00001, y补 = 1
6、00101乘积符号位单独运算110尾数部分算前求补输出X11111，y110111 1 1 1 1*1 1 0 1 11 1 1 1 11 1 1 1 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1XY0.1101000101 5. 计算浮点数x+y、x-yx = 2-101*(-0.010110), y = 2-100*0.010110 x浮= 11011,-0.010110 y浮= 11100,0.010110 Ex-Ey = 11011+00100 = 11111x浮= 11100,1.110101(0)x+y 1 1. 1 1 0
7、 1 0 1 + 0 0. 0 1 0 1 1 00 0. 0 0 1 0 1 1 规格化处理: 0.101100 阶码 11010 x+y= 0.101100*2-6x-y 1 1.1 1 0 1 0 1 + 1 1.1 0 1 0 1 01 1.0 1 1 1 1 1 规格化处理: 1.011111 阶码 11100 x-y=-0.100001*2-4 6. 设过程段 Si所需的时间为i,缓冲寄存器的延时为l,线性流水线的时钟周期定义为maxilml 流水线处理的频率为 f1/。一个具有k 级过程段的流水线处理 n 个任务需要的时钟周期数为Tkk(n1)，所需要的时间为： TTk 而同时，
8、顺序完成的时间为：Tnkk级线性流水线的加速比：*Ck = TL nk Tk k(n1)内部存储器*闪存：高性能、低功耗、高可靠性以及移动性编程操作：实际上是写操作。所有存储元的原始状态均处“1”状态，这是因为擦除操作时控制栅不加正电压。编程操作的目的是为存储元的浮空栅补充电子，从而使存储元改写成“0”状态。如果某存储元仍保持“1”状态，则控制栅就不加正电压。如图(a)表示编程操作时存储元写0、写1的情况。实际上编程时只写0，不写1，因为存储元擦除后原始状态全为1。要写0，就是要在控制栅C上加正电压。一旦存储元被编程，存储的数据可保持100年之久而无需外电源。读取操作：控制栅加上正电压。浮空栅
9、上的负电荷量将决定是否可以开启MOS晶体管。如果存储元原存1，可认为浮空栅不带负电，控制栅上的正电压足以开启晶体管。如果存储元原存0，可认为浮空栅带负电，控制栅上的正电压不足以克服浮动栅上的负电量，晶体管不能开启导通。当MOS晶体管开启导通时，电源VD提供从漏极D到源极S的电流。读出电路检测到有电流，表示存储元中存1，若读出电路检测到无电流，表示存储元中存0，如图(b)所示。擦除操作：所有的存储元中浮空栅上的负电荷要全部洩放出去。为此晶体管源极S加上正电压，这与编程操作正好相反，见图(c)所示。源极S上的正电压吸收浮空栅中的电子，从而使全部存储元变成1状态。*cache：设存储器容量为32字，
10、字长64位，模块数m=4，分别用顺序方式和交叉方式进行组织。存储周期T=200ns，数据总线宽度为64位，总线传送周期=50ns。若连续读出4个字，问顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少?解：顺序存储器和交叉存储器连续读出m=4个字的信息总量都是：q=64b4=256b顺序存储器和交叉存储器连续读出4个字所需的时间分别是：t2=mT=4200ns=800ns=810-7st1=T+(m-1)=200ns+350ns=350ns=3510-7s顺序存储器和交叉存储器的带宽分别是：W2=q/t2=256b(810-7)s=320Mb/sW1=q/t1=256b(3510-7)s=730Mb/s*C
11、PU执行一段程序时，cache完成存取的次数为1900次，主存完成存取的次数为100次，已知cache存取周期为50ns，主存存取周期为250ns，求cache/主存系统的效率和平均访问时间。解：h=Nc/（Nc+Nm）=1900/(1900+100)=0.95r=tm/tc=250ns/50ns=5e=1/(r+(1-r)h)=1/(5+(1-5)0.95=83.3%ta=tc/e=50ns/0.833=60ns *存储器：已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用256K16位的DRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用模块板结构形式，问：（1） 每个模块板为102
12、4K64位，共需几个模块板？（2） 个模块板内共有多少DRAM芯片?（3）主存共需多少DRAM芯片? CPU如何选择各模块板？(1) (2) 每个模块要16个DRAM芯片 (3)64*16 = 1024块由高位地址选模块*用16K8位的DRAM芯片组成64K32位存储器，要求：(1) 画出该存储器的组成逻辑框图。(2) 设存储器读/写周期为0.5S, CPU在1S内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？解：(1)根据题意，存储总容量为64KB，故地址总线需16位。现使用16K*8位DRAM芯片，共需16片。芯
13、片本身地址线占14位，所以采用位并联与地址串联相结合的方法来组成整个存储器，其组成逻辑图如图所示，其中使用一片2：4译码器。(2)根据已知条件，CPU在1us内至少访存一次，而整个存储器的平均读/写周期为0.5us，如果采用集中刷新，有64us的死时间，肯定不行如果采用分散刷新，则每1us只能访存一次，也不行所以采用异步式刷新方式。假定16K*1位的DRAM芯片用128*128矩阵存储元构成，刷新时只对128行进行异步方式刷新，则刷新间隔为2ms/128 = 15.6us，可取刷新信号周期15us。刷新一遍所用时间15us1281.92ms指令系统*某计算机字长16位，主存容量为64K字，采用单字长单地址指令，共有40条指令，试采用直接、立即、变址、相对四种寻址方式设计指令格式。解：40条指令需占用操作码字段（OP）6位，这样指令余下长度为10位。为了覆盖主存640K字的地址空间，设寻址模式（X）2位，形式地址（D）8位，其指令格式如下：寻址模式定义如下：X= 0 0 直接寻址 有效地址 E=D（直接寻址为256个存储单元）X= 0 1 立即寻址 D字段为操作数X= 1 0 变址寻址 有效地址 E= (RX)D （可寻
