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1、泓域咨询/安庆引线框架项目申请报告安庆引线框架项目申请报告xx投资管理公司目录第一章 市场分析7一、 靶材7二、 硅片9三、 掩膜版14第二章 项目背景分析19一、 半导体材料行业规模19二、 湿电子化学品20三、 推进开发区高质量发展22四、 激发人才创新活力24第三章 总论25一、 项目概述25二、 项目提出的理由27三、 项目总投资及资金构成28四、 资金筹措方案28五、 项目预期经济效益规划目标29六、 项目建设进度规划29七、 环境影响29八、 报告编制依据和原则30九、 研究范围31十、 研究结论31十一、 主要经济指标一览表32主要经济指标一览表32第四章 选址方案分析34一、
2、项目选址原则34二、 建设区基本情况34三、 提升开放型经济发展水平39四、 坚定下好科技创新先手棋39五、 项目选址综合评价40第五章 建设内容与产品方案41一、 建设规模及主要建设内容41二、 产品规划方案及生产纲领41产品规划方案一览表41第六章 SWOT分析说明44一、 优势分析（S）44二、 劣势分析（W）46三、 机会分析（O）46四、 威胁分析（T）47第七章 发展规划分析51一、 公司发展规划51二、 保障措施57第八章 原辅材料分析60一、 项目建设期原辅材料供应情况60二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理60第九章 组织架构分析62一、 人力资源配置62劳动定员一览表62
3、二、 员工技能培训62第十章 安全生产分析65一、 编制依据65二、 防范措施66三、 预期效果评价72第十一章 环保分析73一、 环境保护综述73二、 建设期大气环境影响分析73三、 建设期水环境影响分析74四、 建设期固体废弃物环境影响分析75五、 建设期声环境影响分析75六、 环境影响综合评价76第十二章 工艺技术设计及设备选型方案77一、 企业技术研发分析77二、 项目技术工艺分析79三、 质量管理80四、 设备选型方案81主要设备购置一览表82第十三章 投资估算及资金筹措83一、 投资估算的编制说明83二、 建设投资估算83建设投资估算表85三、 建设期利息85建设期利息估算表85四
4、、 流动资金86流动资金估算表87五、 项目总投资88总投资及构成一览表88六、 资金筹措与投资计划89项目投资计划与资金筹措一览表89第十四章 经济收益分析91一、 经济评价财务测算91营业收入、税金及附加和增值税估算表91综合总成本费用估算表92固定资产折旧费估算表93无形资产和其他资产摊销估算表94利润及利润分配表95二、 项目盈利能力分析96项目投资现金流量表98三、 偿债能力分析99借款还本付息计划表100第十五章 项目风险防范分析102一、 项目风险分析102二、 项目风险对策104第十六章 项目总结106第十七章 附表附录107主要经济指标一览表107建设投资估算表108建设期利
5、息估算表109固定资产投资估算表110流动资金估算表110总投资及构成一览表111项目投资计划与资金筹措一览表112营业收入、税金及附加和增值税估算表113综合总成本费用估算表114利润及利润分配表115项目投资现金流量表116借款还本付息计划表117第一章 市场分析一、 靶材PVD技术是制备薄膜材料的主要技术之一，指在真空条件下采用物理方法，将某种物质表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基板材料表面沉积具有某种特殊功能的薄膜材料的技术。PVD技术已成为目前主流镀膜方法，主要包括溅射镀膜和真空蒸发镀膜。用于制备薄膜材料的物质，统称为PVD镀膜材料。溅射
6、镀膜是指利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基板材料表面的技术。被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜材料的原材料，称为溅射靶材。溅射靶材主要由靶坯、背板（或背管）等部分构成，靶坯是高速离子束流轰击的目标材料，属于溅射靶材的核心部分。溅射镀膜工艺可重复性好、膜厚可控制，可在大面积基板材料上获得厚度均匀的薄膜，所制备的薄膜具有纯度高、致密性好、与基板材料的结合力强等优点，已成为制备薄膜材料的主要技术之一，各种类型的溅射薄膜材料已得到广泛的应用，溅射靶材是目前市场应用量最大的PVD镀膜材料。真空蒸
7、发镀膜是指在真空条件下，利用膜材加热装置（称为蒸发源）的热能，通过加热蒸发某种物质使其沉积在基板材料表面的一种沉积技术。被蒸发的物质是用真空蒸发镀膜法沉积薄膜材料的原材料，称之为蒸镀材料。真空蒸发镀膜技术具有简单便利、操作方便、成膜速度快等特点，主要应用于小尺寸基板材料的镀膜。以金属靶材为例，高纯溅射靶材产业链上游为金属提纯，包括原材料和生产设备，其中高纯金属原材料生产成本可占到靶材生产成本的大约80%，国外厂商包括斯塔克、住友化学、霍尼韦尔、大阪钛业等，中国厂商包括东方钽业、宁波创润、紫金矿业等；生产设备包括靶材冷轧系统、等离子喷涂设备、热处理炉等30多种。中游为高纯溅射靶材制备，国外厂商主
8、要有日矿金属、霍尼韦尔、东曹、普莱克斯等，中国厂商主要有江丰电子、有研新材（有研亿金）、阿石创等。在溅射镀膜过程中，溅射靶材需要安装在机台中完成溅射反应，溅射机台专用性强、精密度高，市场长期被美国、日本公司垄断，主要厂商包括美国AMAT（应用材料）、日本ULVAC（爱发科）、日本ANELVA、美国Varian（瓦里安）等。下游应用主要包括半导体（占比20%）、平板显示（占比30%）、太阳能电池（占比18%）等，主要厂商有台积电、联电、SK海力士、中芯国际、华虹半导体、三星电子、LGDisplay、京东方、华星光电、SunPower（太阳能源）、天合光能等。二、 硅片硅基半导体材料是目前产量最大
9、、应用最广的半导体材料，通常将95-99%纯度的硅称为工业硅。沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，可制成纯度98%以上的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%（9-11个9）的超纯多晶硅；超纯多晶硅在石英坩埚中熔化，并掺入硼（P）、磷（B）等元素改变其导电能力，放入籽晶确定晶向，经过单晶生长，便生长出具有特定电性功能的单晶硅锭。单晶硅的制备方法通常有直拉法（CZ）和区熔法（FZ），直拉法硅片主要用在逻辑、存储芯片中，市占率约95%，区熔法硅片主要用在部分功率芯片中，市占率约4%。熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体
10、质量，掺杂的硼（P）、磷（B）等杂质元素浓度决定了单晶硅锭的电特性。单晶硅锭制备好后，再经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻、包装后，便成为硅片。根据纯度不同，分为半导体硅片和光伏硅片，半导体硅片要求硅含量为9N（99.9999999%）-11N（99.999999999%），而光伏用硅片一般在4N-6N之间即可，下游应用主要包括消费电子、通信、汽车、航空航天、医疗、太阳能等领域。硅片制备好之后，再经过一列热处理、光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP、测试等环节，便可成功制得硅晶圆，具体分为几部分：1）晶圆：制作半导体集成电路的核心原料板；2）Die：晶圆上有很多小方块，每一个正方形是一个集
11、成电路芯片；3）划线：这些芯片之间实际上有间隙，这个间距叫做划线，划线的目的是在晶圆加工后将每个芯片切割出来并组装成一个芯片；4）平区：引入平区是为了识别晶圆结构，并作为晶圆加工的参考线。由于晶圆片的结构太小，肉眼无法看到，所以晶圆片的方向就是根据这个平面区域来确定的；5）切口：带有切口的晶圆最近已经取代了平面区域，因为切口晶圆比平区晶圆效率更高，可以生产更多的芯片。半导体硅片通常可以按照尺寸、工艺两种方式进行分类。按照尺寸分类，半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要包括23mm、25mm、28mm、50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、125mm（5英寸）、150mm（6
12、英寸）、200mm（8英寸）与300mm（12英寸）等规格。自1960年生产出23mm的硅片之后，硅片尺寸就越来越大，到2002年已经可以量产300mm（12英寸）硅片，厚度则达到了历史新高775m。当硅片尺寸越大，单个硅片上的芯片数量就越多，从而能够提高生产效率、降低生产成本。300mm硅片是200mm硅片面积的2.25倍，生产芯片数量方面，根据SiliconCrystalStructureandGrowth数据，以1.5cm1.5cm的芯片为例，300mm硅片芯片数量232颗，200mm硅片芯片数量88颗，300mm硅片是200mm硅片芯片数量的2.64倍。根据应用领域的不同，越先进的工艺
13、制程往往使用更大尺寸的硅片生产。因此，在摩尔定律的驱动下，工艺制程越先进，生产用的半导体硅片尺寸就越大。目前全球半导体硅片以12英寸为主，根据SEMI数据，2020年全球硅片12英寸占比69%，8英寸占比24%，6英寸及以下占比7%。未来随着新增12英寸晶圆厂不断投产，未来较长的时间内，12英寸仍将是半导体硅片的主流品种，小尺寸硅片将逐渐被淘汰，但是8英寸短期仍不会被12英寸替代。目前量产硅片止步300mm，而450mm硅片迟迟未商用量产，主要原因是制备450mm硅片需要大幅增加设备及制造成本，但是SEMI曾预测每个450mm晶圆厂单位面积芯片成本只下降8%，此时晶圆尺寸不再是降低成本的主要途
14、径，因此厂商难以有动力投入450mm量产。全球8英寸和12英寸硅片下游应用侧重有所不同，根据SUMCO数据，2020年8英寸半导体硅片下游应用中，汽车/工业/智能手机分列前3名，占比分别为33%/27%/19%；2020年12英寸半导体硅片下游应用中，智能手机/服务器/PC或平板分列前3名，占比分别为32%/24%/20%。按照制造工艺分类，半导体硅片分为抛光片、外延片以及SOI硅片。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后，便得到抛光片。抛光片本身可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，此外也可作为外延片、SOI硅片的衬底材料。外延是通过CVD的方式在抛光面上生长一层或多层掺杂类
15、型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。因此外延片是抛光片经过外延生长形成的，外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度、含碳量和含氧量，能够改善沟道漏电现象，提高IC可靠性，被广泛应用于制作通用处理器芯片、图形处理器芯片。如果生长一层高电阻率的外延层，还可以提高器件的击穿电压，用于制作二极管、IGBT等功率器件，广泛应用于汽车电子、工业用电子领域。SOI是绝缘层上硅，核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层，能够实现全介质隔离，大幅减少了硅片的寄生电容以及漏电现象，并消除了闩锁效应。SOI硅片是抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成的，特点是寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强，因此适用于制造耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子
