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1、Bz: s sMVTHi，开始出现电流，Vout下降，VX下降，到一定值时M或M2进入线性区,增益（v out曲线的斜率）减小。1.2 输出摆幅：M1 工作在饱和区：VA=Vb-VGs2Vov1 = Vin-Vt1 VbVin+VGS2-Vt1M2 工作在饱和区：VoutVb-Vt2Vm+VGS2-Vt1-Vt2=Vovl + Vov2为了使M4工作在饱和区：voutvDD-vGS4-vTH41 所以输出摆幅为： Von1+Von2Voutgo 1-（Sm+Smh）roro2Ki上式表明串接了 M2使Mi的输出阻抗为原来(gm2+ gmb2)S2倍，即输出阻抗大大增大，这是共源共栅放大器的一个
2、最大特点，对提高放大器小信号增益、提高 电路源的恒流特性十分有利。3电流源负载的共源共栅级增益Gmgm 1R-（g+ g）r rout2mb2O 2 O 1A沁g （ g+g）r rV1m 2mb 2O 1 O 2由上式可知，电流源负载型共源共栅比电流源负载的共源级的增益增大了(g 2 + g b丿rO22mb 2 O 2倍。所以经常用共源共栅结构来提高增益。b 空L空4 增加L与采用共源共栅结构来提高增益的比较提高增益的两种方法：1、采用共源共栅增大增益；2、在给定的偏置电流情况下通过增大输入晶体管的长度来增大增益假设共源级的输入管的长度变为原来的四倍而宽度保持不变，I =（12）卩 C（W
3、.L）（V -Vn lfTZJTHn ox GSgrmO由上式可知：L增大四倍的结果只是使gmS的值增大两倍。缺点：为了保证电流 相等，在增大输入管的沟道长度时，必须增大输入管的过驱动电压。所以其最小 输出电压也提高，输出电压摆幅减小。而采用共源共栅结构却使得输出阻抗大约增大gmS倍。缺点是其输出电压的最小值为两个过驱动电压。5共源共栅级的屏蔽特性%tJT1O2AVXAVr + routo 2o1o 2AVoutVout端有的电压跳变时，表现在X点的电压跳变AV =?Xr1 +(g+ g 5m2mb 21tg+gm2mb2 o2由上式可知：当共源共栅的输出节点电压改变AVX时，由于共源共栅结构
4、具有高 输出阻抗特性，因此只会引起AVX发生很小的变化，即输入器件的工作状态不受 输出电压变化的影响，这就是所谓的共源共栅的屏蔽特性。!iii共源共栅级由共源级实现电压到电流的转换，然后电流信号加到共栅级的源端。因此，构成共源共栅级时共源管和共栅管类型可以不同。如左图所示，M1是输入器件，PMOSM2是共源共栅器件，NMOSI1为直流偏置电流源特点：l.Vin和Vout的电平可以是相近的；2. 增益和输出阻抗的计算跟共源共栅放大器相同, 略小一些。7折叠式共源共栅放大器大信号特性假定 Vin 从电源电压下降： 当VinVDD-IVTHll，那么Mi截止，电流11全部流过M2,即,I = I，V
5、 = V -IRD 21 out DD 1 D 当 Vin- UCYRY=C +DB 2=RdII (gC+L+gm2CGD 2) r rmb 2o 1 o 21outR (C+C+ C )D DB 2GD 2L在这三个极点中，其中一般不考虑，在设计电路时，选择在高频处。因此：是主x 极点，传输函数是单极点函数。out9共源共栅放大器频率特性的仿真prrcZpJ 阀IgndJvdo-intlC?oij3rifr=4-ftp-& ydd If网则崭轴A & Xfl.L目 ls-3t- fift1H m:lMFBlHprnw.3p tnlqFJI=43-0 诚 I .鹦一吕rf?l -rriLlpm込和Vddr n驱*jr ?,：.力：lr3(M.&卫匸10共源共栅级总结优点1输出阻抗高R如G,” 2 + GmB 2)7 : 2+gmb 2)r ro1 o 22增益高，常用来提高增益Av =1 7 Gm 23. 具有屏蔽特性不足1. 输出电压摆幅因层叠的MOS管而有所损失，这在低电源电压运用中是致命的缺 点八、2. 折叠式共源共栅级直流功耗大
