压电超声换能器简单介绍

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压电超声换能器(PMUT )简单介绍作者:王蕾硕孙文斌来源:科学与财富2020年第33期摘要:本文介绍了什么是压电超声换能器,压电超声换能器的优点及其作用,以及实际 生活中的应用,以及结构设计中两种常见的薄膜结构的分析,对其核心技术MEMS (微电子 技术)也有所概括。关键词:PMUT; MEMS ;氮化铝薄膜一.MEMS技术部分微细加工技术(MEMS)基于平面技术,其中两个主要方面的关键微制作技术:圆盘级工 艺(包括圆片键合)和图形转移(包括各向异性和各向同性刻蚀),图形转换包括两步:光学 曝光过程和物理/化学方法形成图形的过程。圆片级工艺 衬底:可选择单晶硅,单晶石英,玻璃,熔(非晶)石英,碑化镓 圆片清洗:1. 强氧化剂(如7:3混合的浓硫酸和双氧水)去除所有有机污染。2. 用比例5 : 1 : 1的水,双氧水和氢氧化铵组成的混合溶液去除无机剩余物污染,这一步 会产生薄氧化层,如有必要则用HF去除。3. 用6 : 1 : 1的水,盐酸和双氧水混合溶液去除各种离子型污染。 硅片氧化:硅可以表面形成一层高质量的氧化物(在纯氧,850-1150度进行),随着氧 化层增长,氧化速度越来越慢。 局部氧化:硅片局部覆盖氮化硅时该区域不会氧化,其他部分会覆盖上氧化硅。 掺杂:把少量杂质加到半导体晶体里替换原来位置原子的工艺,可改变材料的导电特 性。 薄膜积淀:

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