《模拟集成电路》由会员分享，可在线阅读，更多相关《模拟集成电路（10页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、密封线以内答题无效电子科技大学二零零七 至二零零八 学年第 二 学期期终考试模拟集成电路原理 课程考试题 卷（_!20分钟）考试形式：一开卷考试日期200_8年月日课程成绩构成：平时10分，期中0分，实验10分，期末80分一二三四五六七八九十合计一 选择题（共20题，每题2分，共40分）1. 对于M0S管，当W/L保持不变时，M0S管的跨导随过驱动电压的变化是（A ）A.单调增加B.单调减小C.开向上的抛物线D.开向下的抛物线.2. 对于M0S器件，器件如果进入三极管区线性区），跨导将（B ）A增加B减少C不变D可能增加也可能减小3. 在W/L相同时，采用噺叠”几何结构的M0S管较普通结构的M
2、0S管，它的漏结电容（C ）A大 B相同C小 D不一定4. 关于衬底PNP，下列说法不正确的是（B ）A衬底PNP 般耐压较高.B衬底PNP 般共射电压增益较高.C衬底PNP 般容易实现大电流D衬底PNP不能采用n+埋层.5. 对于扩散电阻，杂质的横向扩散，会导致电阻值（ C ）A变小，B不变，C变大，D可大可小.6. 在NM0S中，衬底上加上负电压偏置，会使阈值电压（A ）A.增大 B不变 C减小 D可大可小7. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比，它的（ B ）较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率密封线以内答题无效D.功耗8. 对CMOS PTAT源，器件是工作
3、在( D )A. 饱和区和线性区 B.都是饱和区C.线性区和亚阈区D.饱和区和亚阈区9. 下图示出的剖面图 ( C )A. A 是纵向 pnp, B 是纵向 pnpB. A 是横向 pnp, B 是纵向 pnpC. A 是纵向 pnp, B 是横向 pnpD. A 是横向 pnp, B 是横向 pnp10. 对于电流镜的要求, 那种说法正确(C )A. 输出阻抗高 B 输出阻抗低 C 交流输出阻抗高 D 直流输出阻抗高11. 通常模拟运算放大器由输入级、中间级、输出级和( D )组成。A.有源负载B.基准电压源C.差分对 D.偏置电路12. 差分放大器差动输入差动输出时的差模电压增益为(A )
4、A. -g R B. g R C. -2g R D. 2g R m c m c mc m c13. 在下列防止CMOS IC中闩锁效应的办法中，( C )不可采用。A. 让NMOS和PMOS在许可的范围尽可能远离；B. 降低寄生NPN、PNP的0；C. 增加 RS、RW；D. 采用深槽隔离。14.对于共源共栅放大电路, 如果考虑器件的衬底偏置效应, 则电压增益会( B )密封线以内答题无效A 增大 B 不变 C. 减小 . D 可能增大也可能减小15. 在CMOS差分输入级中，下面的做法哪个对减小输入失调电压有利(A )A. 减小有源负载管的宽长比.B. 提咼静态工作电流.C. 减小差分对管的
5、沟道长度和宽度D. 提高器件的开启(阈值)电压16. 有源电流镜为负载得差动对，有(B )A. 一个极点， 没有零点B. 两个极点， 一个零点C. 一个极点， 一个零点D. 两个极点， 没有零点17. 和共源极放大器相比较， 共源共栅放大器的密勒效应要(A )A.小得多B相当，C大得多.D不确定18. 电阻的版图中， 直角拐角处的电阻为(B )A. 0.25方 B. 0.5方 C. 1 方 D. 1.5方19. 差分放大器差模电压增益与(B )有关A. 双端输入还是单端输出；B. 双端输出还是单端输出C. 双端输入还是单端输入D. 与输入输出形式无关20. 差分对中， 不影响其共模抑制比的因素
6、为(C )A. 差分管的对称性B. 电流源的交流阻抗C. 输入电压幅度D. 电阻RC1和RC2的对称性二. 简答题(共 5题，每题4分， 共 20分)密封线以内答题无效1. 运算放大器输入级的主要要求有哪些？ 答: 要求有低输入失调电流、低输入失调电压、低输入偏置电流、高输入阻抗、低输出阻抗、高共模输入电压范围。2. 试用四层结构模型表示 NPN 晶体管. 并说明其寄生晶体管及其影响. 答：BCEC - BOI丫？丫3. 在采用电阻负载的共源极放大器中。如何才能使得共源极的增益最大？答：=-2 卩 Cn oxa. 当v V 时，漏电流显著增大，如果R V 时， 跨导开始增大。在线性区， V V
7、 时跨导会下降。当工作在饱和区和线性区的临 in TH in TH界点时， 跨导最大。b. 但是，这在实际中是不现实的。（a）如果工作在临界点，则对正负半周信号跨导会出现不均匀；（b）考虑带宽和电压摆幅的限制，也不建议工作在此工作点。4. 采用二极管连接的负载的共源级，考虑体效应后负载管的小信号等效电阻的值有何变化？ 详述 其原因。答：a。这个MOS管可以起到一个小信号电阻的作用。B.其等效电阻表示为：J = 一1，可以看出当考虑体效应后，该管的源极看入的阻I g + gXmmb抗变得更小。密封线以内答题无效5. 简述工作在线性区的MOS为负载的共源级放大器的小信号电压增益与输入偏压的关系。答
8、：利用M1跨导和Rs的结果，当Vin稍微大于Vth时，1/g r ，所以，a g R 。 mSVm D随着Vin增大，g 1/R，所以，A = - r / r，然而，如果VinWut+Vth,也就是说，如果mSVD SR I V + V - V ， M1将进入线性区同时Av会下降。D D THDD in三 (10 分)对如下电路结构，确定输出电流温度系数最小时，二极管的个数n和电阻R的值假定：齐纳管击 穿电压为7V，Vbe=0.7V输出电流为100gA，电流镜M1和M2面积比为2比1,并且BE对于齐纳管：亠 =2.5 mV/fd T对于电阻： 丄竺 =2000 ppm?C,ppm =百万分之一
9、R d T对二极管及正偏pn结： Vbe = - 2 mV/Cd T答:M4为了使该电路温度系数最小,PN 结电压的负温度系数相等，由回路方程得到：V = (n + 2)V + I RZBEm 1由于 Vz=7V, Vbe=0.7V,篇=5卯A则 n10对该公式对温度求导：密封线以内答Q VQ VQ RQIZ := ( n+ 2)BE+ I+Rm 1QTQTm1 QTQT贝QI1Q V+ 2)Q V1Q Rm 1:=(Z一 (n)+IQTRQTQTm1 RQT又V - (n + 2)VR = ZBEI m1则d IId V_ Q V1 d R=m1( 厂(n + 2)BE) + IQT V (
10、n + 2)VQTQT m 1 R QTZB E1Q V=I ( Zm 1 V (n + 2)VQ TZB EQ V1 Q R(n + 2) be ) +QTR QT代入数据得令 f (n) =1Q V(ZV (n + 2)V Q T ZBEQ V1 Q R(n + 2)吋)+QTR QT对该函数对n求导化简可得0.4 9 n 2 7.8 4 n + 15.6 1 = 0解该方程可得n = 1 3.9 5, n = 2.3 7 9 12由于 n 小于 10，所以 n=2贝 IR = 84 k Q四（15 分）下图所示电路，若I= 1mA，且所有晶体管的（W / L）= 50/0.5SS（1）
11、确定电压增益V为多少时，I = I = 0.8（I/ 2 ）?bD5D 6SS如果I上的电压降至少为0.4V,求最大差动输出摆幅.SS密封线以内答题无效丁I葩呻t答:密封线以内答题无效(卜0”“ 乙丿 m/c =( 9十。工qq , 3一 n d)二 I.航MfZJt SS竹 寸= 乂 (d.) 一 i- T ? ) = 0.S 今五（15 分） 在下图给出的电路中，（W / L）= 50/0.5 , R = 1K Q , R = 2 K Q .如果I = 1 mA ,确定该电路的极1 S DD 1点和零点.答:、线7T (Tox kj L 十 C* v Vv%p,_ 5 ；3孑盯幻0 7斤( o, f_o. o&x Qy g 十 3,刃，乂/L C 0X7o 匕 C二。牛浙。,yox/o n R 愴_仏0, Vxzo X/6 十=:.7/4x(Accomac To e 弄(-x)pde i i -tkz re o/ o y 直补(牛s ( QtsC*8 十 Cci Cota 3f E(Z% 局&说-*?r 分s*关Q(分* *Gp(j7s V- / -八/wt % .專m 2，勺亍 X 心亠十 /. / 2 X fcTl,SfS 4 I ： Dfz J 乡“,心严 一22.册乂 /o*
