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1、文档供参考，可复制、编制，期待您的好评与关注！ 太阳能光伏生产设备a) 硅棒硅锭生产设备：单晶炉，铸锭炉，坩埚，热场及其他相关设备；b) 硅片生产设备： 切割设备，清洗设备，检测设备及其他相关设备；c) 电池生产设备： 全套生产线，腐蚀清洗设备，扩散炉，减反射膜/沉积设备，丝网印刷机，测试仪和分选机，其他相关设备；d) 电池板/组件生产设备：全套生产线，测试设备，玻璃清洗设备，引线焊接设备及层压设备等；e) 薄膜电池生产设备：硅基薄膜电池，铜铟镓硒电池CIS/CIGS, 碲化镉薄膜电池CdTe,染料敏化电池生产技术及研究设备； 光伏电池：单晶电池，多晶电池，非晶电池，其他薄膜电池； 光伏相关零
2、部件：蓄电池，充电控制器，逆变器，监视器，转换器，记录仪，支架系统跟踪系统接线盒，电缆等； 光伏材料：硅料，硅锭/硅块，硅片，漿料，封装玻璃，封装薄膜及其他原料； 光伏产品：灯具类产品，移动充电器，光伏水泵，家用太阳能及其他太阳能应用产品； 光伏工程及系统：并网发电系统，独立发电系统，太阳能空气调节系统，农村光伏发电系统、太阳能检测及控制系统、太阳能光伏工程程序控制和工程管理及软件编制系统；太阳能光伏发电系统组成的四大件太阳能电池板分类多晶硅太阳能电池、单晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池、有机太阳能电池编辑本段太阳能发电系统 太阳能发电系统由太阳能电池组、太阳能控制器、蓄电池（组）组成。如输出电
3、源为交流220V或 110V，还需要配置逆变器。各部分的作用为：（一）太阳能电池板：太阳能电池板是太阳能发电系统中的核心部分，也是太阳能发电系统中价值最高的部分。其作用是将太阳的辐射能力转换为电能，或送往蓄电池中存储起来，或推动负载工作。太阳能电池板的质量和成本将直接决定整个系统的质量和成本。（二）太阳能控制器：太阳能控制器的作用是控制整个系统的工作状态，并对蓄电池起到过充电保护、过放电保护的作用。在温差较大的地方，合格的控制器还应具备温度补偿的功能。其他附加功能如光控开关、时控开关都应当是控制器的可选项。（三）蓄电池：一般为铅酸电池，小微型系统中，也可用镍氢电池、镍镉电池或锂电池。其作用是在
4、有光照时将太阳能电池板所发出的电能储存起来，到需要的时候再释放出来。 （四）逆变器：在很多场合，都需要提供220VAC、110VAC的交流电源。由于太阳能的直接输出一般都是12VDC、24VDC、48VDC。为能向220VAC的电器提供电能，需要将太阳能发电系统所发出的直流电能转换成交流电能，因此需要使用DC-AC逆变器。在某些场合，需要使用多种电压的负载时，也要用到DC-DC逆变器，如将24VDC的电能转换成5VDC的电能（注意，不是简单的降压）。编辑本段太阳能发电系统的设计需要考虑如下因素：Q1、 太阳能发电系统在哪里使用？该地日光辐射情况如何？Q2、 系统的负载功率多大？Q3、 系统的输
5、出电压是多少，直流还是交流？Q4、 系统每天需要工作多少小时？Q5、 如遇到没有日光照射的阴雨天气，系统需连续供电多少天？Q6、 负载的情况，纯电阻性、电容性还是电感性，启动电流多大?Q7、 系统需求的数量？什么是光伏发电?光伏发电产品用途光伏发电是根据光生伏特效应原理,利用太阳能电池将太阳光能直接转化为电能。不论是独立使用还是并网发电,光伏发电系统主要由太阳能电池板（组件）、控制器和逆变器三大部分组成，它们主要由电子元器件构成，不涉及机械部件,所以,光伏发电设备极为精炼,可靠稳定寿命长、安装维护简便。理论上讲,光伏发电技术可以用于任何需要电源的场合,上至航天器,下至家用电源,大到兆瓦级电站,
6、小到玩具,光伏电源无处不在。太阳能光伏发电的最基本元件是太阳能电池（片），有单晶硅、多晶硅、非晶硅和薄膜电池等。目前，单晶和多晶电池用量最大，非晶电池用于一些小系统和计算器辅助电源等。国产晶体硅电池效率在10至13左右，国外同类产品效率约12至14。由一个或多个太阳能电池片组成的太阳能电池板称为光伏组件。目前，光伏发电产品主要用于三大方面：一是为无电场合提供电源，主要为广大无电地区居民生活生产提供电力，还有微波中继电源、通讯电源等，另外，还包括一些移动电源和备用电源；二是太阳能日用电子产品，如各类太阳能充电器、太阳能路灯和太阳能草坪灯等；三是并网发电，这在发达国家已经大面积推广实施。我国并网发
7、电还未起步，不过，2008年北京奥运会部分用电将会由太阳能发电和风力发电提供。光伏发电的原理基本原理就是“光伏效应”光子照射到金属上时，它的能量可以被金属中某个电子全部吸收，电子吸收的能量足够大，能克服金属内部引力做功，离开金属表面逃逸出来，成为光电子。 “光生伏特效应”，简称“光伏效应”。指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子（光波）转化为电子、光能量转化为电能量的过程；其次，是形成电压过程。有了电压，就像筑高了大坝，如果两者之间连通，就会形成电流的回路。 光伏发电，其基本原理就是“光伏效应”。太阳能专家的任务就是要完成制造电压的工作。因为要制造
8、电压，所以完成光电转化的太阳能电池是阳光发电的关键。 太阳能电池，通常称为光伏电池。目前的主要的太阳能电池是硅太阳能电池。用的硅是“提纯硅”，其纯度为“11个9”，比半导体或者说芯片硅片“只少两个9”；又因为提纯硅结晶后里头的成分不同，分为多晶硅和单晶硅；目前，单晶硅太阳能电池的光电转换率为15左右，最高达到了24，使用寿命一般可达15年，最高达25年，比转换率仅12 左右的多晶硅太阳能电池的综合性能价格比高。什么是光伏效应?P-N结电流方程光生伏特效应简称为光伏效应，指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。 产生这种电位差的机理有好几种，主要的一种是由于阻挡层的
9、存在。以下以P-N结为例说明。 热平衡态下的P-N结同质结可用一块半导体经掺杂形成P区和N区。由于杂质的激活能量E很小，在室温下杂质差不多都电离成受主离子NA-和施主离子ND+。在PN区交界面处因存在载流子的浓度差，故彼此要向对方扩散。设想在结形成的一瞬间，在N区的电子为多子，在P区的电子为少子，使电子由N区流入P区，电子与空穴相遇又要发生复合，这样在原来是N区的结面附近电子变得很少，剩下未经中和的施主离子ND+形成正的空间电荷。同样，空穴由P区扩散到N区后，由不能运动的受主离子NA-形成负的空间电荷。在P区与N区界面两侧产生不能移动的离子区（也称耗尽区、空间电荷区、阻挡层），于是出现空间电偶
10、层，形成内电场（称内建电场）此电场对两区多子的扩散有抵制作用，而对少子的漂移有帮助作用，直到扩散流等于漂移流时达到平衡，在界面两侧建立起稳定的内建电场。 P-N结能带与接触电势差： 在热平衡条件下，结区有统一的EF；在远离结区的部位，EC、EF、E之间的关系与结形成前状态相同。 从能带图看，N型、P型半导体单独存在时，EFN与EFP有一定差值。当N型与P型两者紧密接触时，电子要从费米能级高的一方向费米能级低的一方流动，空穴流动的方向相反。同时产生内建电场，内建电场方向为从N区指向P区。在内建电场作用下，EFN将连同整个N区能带一起下移，EFP将连同整个P区能带一起上移，直至将费米能级拉平为EF
11、N=EFP，载流子停止流动为止。在结区这时导带与价带则发生相应的弯曲，形成势垒。势垒高度等于N型、P型半导体单独存在时费米能级之差： qUD=EFN-EFP 得 UD=(EFN-EFP)/q q：电子电量 UD：接触电势差或内建电势 对于在耗尽区以外的状态： UD=(KT/q)ln(NAND/ni2) NA、ND、ni：受主、施主、本征载流子浓度。 可见UD与掺杂浓度有关。在一定温度下，P-N结两边掺杂浓度越高，UD越大。 禁带宽的材料，ni较小，故UD也大。 光照下的P-N结 P-N结光电效应： 当P-N结受光照时，样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。但能引起光伏效应的只能是
12、本征吸收所激发的少数载流子。因P区产生的光生空穴，N区产生的光生电子属多子，都被势垒阻挡而不能过结。只有P区的光生电子和N区的光生空穴和结区的电子空穴对（少子）扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。光生电子被拉向N区，光生空穴被拉向P区，即电子空穴对被内建电场分离。这导致在N区边界附近有光生电子积累，在P区边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与热平衡P-N结的内建电场方向相反的光生电场，其方向由P区指向N区。此电场使势垒降低，其减小量即光生电势差，P端正，N端负。于是有结电流由P区流向N区，其方向与光电流相反。 实际上，并非所产生的全部光生载流子都对光生电流有贡献。设N区中空穴在寿命p
13、的时间内扩散距离为Lp，P区中电子在寿命n的时间内扩散距离为Ln。Ln+Lp=L远大于P-N结本身的宽度。故可以认为在结附近平均扩散距离L内所产生的光生载流子都对光电流有贡献。而产生的位置距离结区超过L的电子空穴对，在扩散过程中将全部复合掉，对P-N结光电效应无贡献。 光照下的P-N结电流方程： 与热平衡时比较，有光照时，P-N结内将产生一个附加电流（光电流）Ip，其方向与P-N结反向饱和电流I0相同，一般IpI0。此时I=I0eqU/KT - (I0+Ip) 令Ip=SE，则 I=I0eqU/KT - (I0+SE) 开路电压Uoc： 光照下的P-N结外电路开路时P端对N端的电压，即上述电流
14、方程中I=0时的U值： 0=I0eqU/KT - (I0+SE) Uoc=(KT/q)ln(SE+I0)/I0(KT/q)ln(SE/I0) 短路电流Isc： 光照下的P-N结，外电路短路时，从P端流出，经过外电路，从N端流入的电流称为短路电流Isc。即上述电流方程中U=0时的I值，得Isc=SE。 Uoc与Isc是光照下P-N结的两个重要参数，在一定温度下，Uoc与光照度E成对数关系，但最大值不超过接触电势差UD。弱光照下，Isc与E有线性关系。 a)无光照时热平衡态，NP型半导体有统一的费米能级，势垒高度为qUD=EFN-EFP。 b)稳定光照下P-N结外电路开路，由于光生载流子积累而出现光生电压Uoc不再有统一费米能级，势垒高度为q(UD-Uoc)。 c)稳定光照下P-N结外电路短路，P-N结两端无光生电压，势垒高度为qUD，光生电子空穴对被内建电场分离后流入外电路形成短路电流。 d)有光照有负载，一部分光电流在负载上建立起电压Uf，另一部分光电流被P-N结因正向偏压引起的正向电流抵消，势垒高度为q(UD-Uf)。 /
