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1、1. 材料是由物质构成的，因而物质就是材料。J XX2. 材料是指用来制造某些有形物体的基本物质。J XJ3. 按照化学组成，可以把材料分为三种基本类型(A) 金属材料、硅酸盐、有机高分子材料(B) 陶瓷材料、高分子材料、钢铁(C) 有机高分子材料、金属材料、无机非金属材料(D) 有机材料、无机非金属材料、金属材料C4. 在四个量子数中，ms是确定体系角动量在磁场方向的分量(ml)。X5. 在四个量子数中，ml决定电子自旋的方向(ms)。X6. 在四个量子数中， n 是第一量子数，它决定体系的能量。J7. 在四个量子数中， l 是第二量子数，它决定体系角动量和电子几率分布的空间 对称性。J8.
2、 原子中每个电子必须有独自一组四个量子数。 n,l,ml,msJ9. 泡利不相容原理、能量最低原则和洪特规则是电子在原子轨道中排列必须遵 循的三个基本原则。J10. Na原子中11个电子的填充方式为Is22s22p53s2。Is22s22p63slX11. 按照方框图，N原子中5个价电子的填充方式为2s2pX12. Cu 原子的价电子数是_3_个。X13. S原子的价电子数是5个。X1. 晶体物质的共同特点是都具有金属键。X2 .金属键既无方向性，也无饱和性。J3. 共价键中两个成键电子的自旋方向必须相反。J4. 元素的电负性是指元素的原子在化合物中把电子引向自己的能力。5. 两元素的电负性相
3、等或接近，易形成离子键，不易形成共价键。X6. 两元素的电负性差较大，易形成离子键，不易形成共价键。V7. 离子键的基本特点是以离子而不是以原子为结合单元。V8. 范德华力既无方向性亦无饱和性，氢键有方向性但无饱和性。X9. 范德华力既无方向性亦无饱和性，氢键有方向性和饱和性。V10. 绝大多数金属均以金属键方式结合，它的基本特点是电子共有化。X11共价键既有饱和性又有方向性。V12. 两种元素电负性差值决定了混合键合中离子键的比例。V XV13. 范德华力包括取向力、色散力和氢键三种类型。V XX14. 原子的基本键合中不一定存在着电子交换。V XX15. 氢键具有方向性，但无饱和性。V X
4、X16. 三种基本键合的结合强弱顺序为金属键离子键共价键。V XX17. 金属键是由众多原子最(及次)外层电子释放而形成的电子气形成的，因而 具有最咼的键能。V XX1. 随着两个原子间距离减小，相互间的吸引力下降，排斥力增加。V XX2两个原子处于平衡间距时，键能最大，能量最咼。V XX3同一周期中，原子共价半径随价电子数的增加而增加。V XX (C-0.771, N-0.70, O-0.66, F-0.64)4同一族中，原子共价半径随价电子到原子核的距离增加而减小。V XX5. 正离子的半径随离子价数的增加而减小。V XV6. 原子半径大小与其在晶体中配位数无关。 V XX7. 所谓原子间
5、的平衡距离或原子的平衡位置是吸引力与排斥力的合力最小的位 置。V XX8. 共价键是由两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。J xJ ? x （只能是两个原子间）9. 离子化合物的配位数取决于离子最有效的堆积。J Xx10. 在氧化物中，02-的配位数主要有4、6、12三种类型。J Xx11. 金属原子的配位数越大，近邻的原子数越多，相互作用越强，原子半径越小。Jxx12. 金属原子半径随配位数增加而增加。J XJ13. 金属半径是原子间平衡间距的一半。（A） J, （B） X, （C）, （D）A1. 当中心原子的杂化轨道为Sp3dx2时，其配位原子的空间排列为（A）
6、四方锥形（B）三方双锥形（C）八面体形B2. 原子轨道杂化形成杂化轨道后，其轨道数目、空间分布和能级状态均发生改 变。J XX3. 杂化轨道是原子不同轨道线性组合后的新原子轨道，而分子轨道则是不同原 子轨道线性组合成的新轨道。J XJ4. 6轨道是由两个d轨道线性组合而成，它们是（ A） dx2、 dx2（ B） dx2-y2、 dx2-y2（ C） dxy、 dxyB5. 费米能级是对金属中自由电子能级填充状态的描述。J XX （T = 0K 时）6. 费米能级是，在T = 0K时，金属原子中电子被填充的最高能级，以下能级全满，以上能级全空。J XX7. 按照费米分布函数,TH0时，f （E
7、）=1/2（A） E=Ef（B） EVEf（C） EEfA8. 在固体的能带理论中，能带中最高能级与最低能级的能量差值即带宽，取决于聚集的原子数目。J XX9. 能带是许多原子聚集体中，由许多原子轨道组成的近似连续的能级带 J XJ ？X （原子轨道裂分的分子轨道）10. 价带未填满（A）绝缘体，（B）导体，（C）半导体，（D）B11. 满带与空带重叠（A）绝缘体，（B）半导体，（C）导体，（D） C12. 满带与空带不重叠（A）绝缘体，（B）导体，（C）半导体，（D）A，C13. 能带宽度与原子数目无关，仅取决于原子间距，间距大，带宽大。 (A)V, (B) X, (C), (D)B14.
8、原子数目越多，分裂成的能带宽度越大。(A)V，(B)X，(C)，(D)B15. 能带宽度与原子数目无关，仅取决于原子间距，间距小，带宽大。 ( A)V (B)X，(C)，(D)A1. 具有一定有序结构的固态物质就是晶体。 V XX2. 同一晶面族的晶面形状相同,面上原子密度相同，彼此相互平行。 V XX3. 在实际应用的工业金属中都存在各向异性。 V XX4. 空间点阵相同的晶体，它们的晶体结构不一定相同。 V XV5. 空间点阵有14种，它们每个点阵都代表一个原子。V XX6. 如果空间点阵中的每一个阵点只代表一个原子时，则空间点阵与晶体点阵是 同一概念。 V XV7. 由液态转变为固态的过
9、程称为凝固亦称结晶。 V XX8. 在立方晶系中点阵(晶格)常数通常是指。a)最近的原子间距，(B)晶胞棱边的长度，(C)棱边之间的夹角B9. 空间点阵中每个阵点周围具有等同的环境。 V XV10空间点阵只可能有种型式。(A) 12, (B) 14, (C) 16, (D) 18B11. 空间点阵结构中只可能划分出个晶系。(A) 5, (B) 6, (C) 7, (D) 8C12. 晶格常数常用表示。(A) a,b,c； (B) a,B, Y; (C) a,b,c 和 a,B, Y;(D) 都不是C13. 晶胞中原子占有的体积分数称为 。(A)配位数，(B)致密度，(C)点 阵常数，(D)晶格
10、常数B1. fcc密排面的堆垛顺序是。( A) A BA B,( B) A BCD,( C) A BCAC2. fcc 结构的致密度为_。A) 0.62,( B) 0.68,( C) 0.74,( D) 0.82C3. fcc 结构的配位数是_。（A）6，（B）8，（C）10，（D）12D4. fcc 晶胞中原子数为_。 （A）6，（B）4，（C）3，（D）2B5. fcc 晶胞中原子的半径是。（A）21/2 a / 2， （B）21/2 a / 4，（C）31/2 a / 2，B6. 以原子半径R为单位，fee晶体的点阵常数a是。（A）2 （2）1/2 R ， （B）4 （2）1/2 R ，
11、（C）4 （3）1/2 R ，A7. bee 结构的致密度为_。（A）0.62，（B）0.68，（C）0.74，（D）0.82B8. bee 结构的配位数是_。（A）6，（B）8，（C）10，（D）12B9. bee 晶胞中原子数为_。（A）6，（B）4，（C）3，（D）2D10. bee 晶胞中原子的半径是_。（A）21/2 a / 2， （B）21/2 a / 4，（C）31/2 a / 4，C11. 以原子半径R为单位，bee晶体的点阵常数a是。（A）2 （2）1/2 R ， （B）4 （2）1/2 R ，（C）4 （3）1/2 R/2 ，D12. hep密排面的堆垛顺序是。（A）A B
12、A B，（B）A BCD，（C）A BCA A13. hep 结构的致密度为_。（A）0.82，（B）0.74，（C）0.68，（D）0.62B14. hep 结构的配位数是_。（A）12，（B）10，（C）8，（D）6A15. hep 晶胞中原子数为。（A）3，（B）4，（C）5，（D）6D16. 在体心立方晶胞中，体心原子的坐标是。（A）1/2， 1/2， 0；（B）1/2， 0， 1/2； （C）（D）0， 1/2， 1/2C17. 在 fee 晶胞中，八面体间隙中心的坐标是。(D)31/2 a / 4D)4 (3)1/2 R / 3(D)31/2 a / 2D)4R / (3)1/21
13、/2， 1/2， 1/2；0， 1/2， 1/2；（A）1/2， 1/2， 0；（B）1/2， 0， 1/2； （C）（D）1/2，1/2，1/2D18. 每个面心立方晶胞有14个原子。J XX19. 密排六方晶胞共有十七个原子。 J XX1. 下图为简单立方点阵晶胞，其中 ABC 面的指数是A）（111），（B）（110），（C）（101），（D）（011）C2. 下图为简单立方点阵晶胞，其中 ABCD 面的指数是A）（111），（B）（110），（C）（101），（D）（011）C3. 下图为简单立方点阵晶胞，AD的晶向指数是.4.下图为简单立方点阵晶胞，AB的晶向指数是D)0015.下图
14、为简单立方点阵晶胞，A C的晶向指数是.D)0106.在下图的简单立方晶胞中，指数为（0 1 -1）的晶面是（A）ADE，（B）CDE，（C）ACE，（D）CHFC =CEG （F为原点），以F为原点若X轴为FB,则C正确。7. 在下图的简单立方晶胞中，指数为（1 1 -1）的晶面是（A）AFD，（B）ACH，（C）ACE，（D）CHE BEGB乘负号（-1,-1,1）,原点为D,由于是晶面族，X轴方向变，可 （1, 1, -1）, 原点为 F, BEG8. 在下图的简单立方晶胞中，的晶向指数为1 1 -1。（A）AF，（B）HA，（C）CE，（D）FDD9.在下图的简单立方晶胞中，的晶向指数为1 - 0。（A）BG，（B）CH，（C）CE，（D）GE HAA X, F为原点可？ （ HA H为原点，A点坐标为1,-1, 0） 也可是GB, G点为原点，B点坐标为1,-1, 0 ）10. 在简单立方晶胞中画出的（1-2 1）晶面为D)AFNC11. 在简单立方晶胞中画出的2 2 -1晶向为B12. 在简单
