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1、高真空磁控溅射镀膜系统介绍1. 设备简介名称：高真空磁控溅射镀膜系统型号：JGP560 极限真空： 6.60E-05 Pa 最高可控可调温度：500C（1个样品位） 3 个靶位， 8 个样品位2. 真空简介 真空是一种不存在任何物质的空间状态，是一种物理现象。在“真空” 中，声音因为没有介质而无法传递，但电磁波的传递却不受真空的影响。 事实上，在真空技术里，真空系针对大气而言，一特定空间内部之部份 物质被排出，使其压强小于一个标准大气压，则我们通称此空间为真空 或真空状态。1真空常用帕斯卡（Pascal）或托尔（Torr）做为压力的单 位。目前在自然环境里，只有外太空堪称最接近真空的空间。 我
2、国真空区域划分为：粗真空、低真空、高真空、超高真空和极高真空。真空区域托（Torr）压强范围）帕（Pa）低真空760101013251333中真空1010-313331.33x10-1咼真空10-310-81.33x10-110-6超咼真空10-810-1210-610-10极咼真空10-1250 Wcm- 2，（Pd 为磁控靶功率， S 为靶表面 积）。高速溅射有一定的限制，因此在特殊的环境才能保持高速溅射，如 足够高的靶源密度，靶材足够的产额和溅射气体压力，并且要获得最大 气体的离化率。最大限制高速沉积薄膜的是溅射靶的冷却。高速率磁控 溅射的一个固有的性质是产生大量的溅射粒子而获得高的薄膜沉积速 率。高的沉积速率意味着高的粒子流飞向基片，导致沉积过程中大量粒 子的能量被转移到生长薄膜上，引起沉积温度明显增加。由于溅射离子 的能量大约 70%需要从阴极冷却水中带走，薄膜的最大溅射速率将受到 溅射靶冷却的限制。冷却不但靠足够的冷却水循环，还要求良好的靶材 导热率及较薄膜的靶厚度。同时高速率磁控溅射中典型的靶材利用率只 有20%30%，因而提高靶材利用率也是有待于解决的一个问题。
