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1、LED常用词汇中英文对照1 backplane 背板 : ?5 k3 c Z. ?- c n Y! 2 Band gap voltage reference 带隙电压参考 , g) x/ % |) n$ u7 3 benchtop supply 工作台电源 ! J$ B0 o# Y/ / h4 Block Diagram 方块图 5 Bode Plot 波特图 - A7 v7 t+ ?3 W5 |2 U6 Bootstrap 自举 # 6 C* 9 i& t- Q( z% X7 l7 Bottom FET Bottom FET 1 6 * 0 s6 h% y8 bucket capcitor
2、桶形电容 2 C. k# 5 x, w0 f# h9 chassis 机架 0 Z8 K5 l/ 9 k3 E10 Combi-sense Combi-sense 8 w, X. F5 t4 M11 constant current source 恒流源 # m2 U6 a1 f5 y t+ n3 e/ C. * l; J# 12 Core Sataration 铁芯饱和 . s& D2 I+ I13 crossover frequency 交叉频率 7 l! D! o* N; l14 current ripple 纹波电流 4 U0 ?* y+ h6 ?4 S6 i4 V15 Cycle b
3、y Cycle 逐周期 $ c! ? w3 v- B F16 cycle skipping 周期跳步 $ l& v) x, VD. M) F* D# t17 Dead Time 死区时间 t) X% V g& d. 9 x( 18 DIE Temperature 核心温度 e4 ( , f; ?. L+ V% l8 a19 Disable 非使能，无效，禁用，关断 & L( w4 o, C8 ( Z20 dominant pole 主极点 _: p5 P6 X8 % ( B21 Enable 使能，有效，启用 1 M9 N l2 8 H# f! C22 ESD Rating ESD额定值 4
4、I. B8 S& E+ Q% n( w: q: H23 Evaluation Board 评估板 0 8 T4 6 P0 z/ k24 Exceeding the specifications below may result in permanent damage to the device, or device malfunction. Operation outside of the parameters specified in the Electrical Characteristics section is not implied. . y3 v! H( m% v7 Y0 u9 B
5、6 A超过下面的规格使用可能引起永久的设备损害或设备故障。建议不要工作在电特性表规定的参数范围以外。 + g- y# O) e* K! k0 w% s25 Failling edge 下降沿 7 I4 l3 / v* z5 u J2 w26 figure of merit 品质因数 % D: o A9 Q! |, 27 float charge voltage 浮充电压 + 6 Q& OZL: G7 o28 flyback power stage 反驰式功率级 / k5 3 q2 fM/ e29 forward voltage drop 前向压降 U( Y9 H( u& a30 free-ru
6、nning 自由运行 xJ: T# X|0 ?6 J6 G$ u, z31 Freewheel diode 续流二极管 # X- % B! |0 w32 Full load 满负载 33 gate drive 栅极驱动 8 Q$ # m$ o6 T34 gate drive stage 栅极驱动级 0 % n U# ) Y9 O- n( T% y2 w35 gerber plot Gerber 图 2 k) Z$ M2 M8 / C$ X# w: |3 uH36 ground plane 接地层 7 f! A; T) k9 J$ N 37 Henry 电感单位：亨利 % D; J4 p6 d-
7、 PK7 p! o7 J4 Z38 Human Body Model 人体模式 0 N y1 C% f& N. J0 A; U4 E7 w39 Hysteresis 滞回 4 1 - 8 S/ N) 40 inrush current 涌入电流 7 _: Q5 a. m! z. e4 Z41 Inverting 反相 9 a: R5 k4 I7 v- L42 jittery 抖动 / e5 s: a* b, f7 g v43 Junction 结点 + P K* # Z, W1 _: O5 T44 Kelvin connection 开尔文连接 5 b$ % D8 I; C% ?45 Lead
8、 Frame 引脚框架 ) ) h7 |. S$ F# f9 h. e7 H, * T46 Lead Free 无铅 5 % wp) y F! p- h47 level-shift 电平移动 ) z$ c( 9 y$ a5 7 N0 ?48 Line regulation 电源调整率 - ! * L4 K3 49 load regulation 负载调整率 ! C4 3 B, s5 m8 u50 Lot Number 批号 W% _9 _9 W7 H/ O51 Low Dropout 低压差 6 R/ u$ N2 L/ N) L52 Miller 密勒 53 node 节点 G, l R* A
9、3 ?/ H# l X4 i! f1 54 Non-Inverting 非反相 ! P/ a, w+ o( Z1 F2 i9 a55 novel 新颖的 7 S/ I* R1 a! V56 off state 关断状态 _6 a2 i* s- F6 i57 Operating supply voltage 电源工作电压 2 n% k% d, n( Br/ C0 H58 out drive stage 输出驱动级 + R1 o- _6 . i1 p59 Out of Phase 异相 $ OX2 . o2 Ul3 yA- d$ S60 Part Number 产品型号 K& m/ v/ b7 R
10、7 Q) Y5 Q( V61 pass transistor pass transistor 3 H( ?5 W6 h8 A62 P-channel MOSFET P沟道MOSFET - X9 h4 G+ E0 t( H F6 Z: a$ uq7 C63 Phase margin 相位裕度 ) x; g! o. ! o! T4 7 4 s64 Phase Node 开关节点 & S1 S: P U- W0 C; & k4 Y4 j/ e65 portable electronics 便携式电子设备 j9 1 m; y L. M% O66 power down 掉电 5 u& m0 I- T5
11、ws+ 67 Power Good 电源正常 0 7 g# n& e* ) v- J68 Power Groud 功率地 0 S5 V/ ; n+ q. 6 ?/ J2 X69 Power Save Mode 节电模式 ( g: N& E3 8 M+ N0 Q) b4 y70 Power up 上电4 L0 l2 n3 l e. w( v( u) n 71 pull down 下拉 p6 O6 b! B4 L$ V72 pull up 上拉 ! q; o, q- p* ?; q73 Pulse by Pulse 逐脉冲（Pulse by Pulse） 8 m3 , c w4 l3 _74 pu
12、sh pull converter 推挽转换器 & u7 5 L3 X1 s75 ramp down 斜降 k; w: L$ f$ i! I9 x76 ramp up 斜升 ( hy8 6 d+ c2 m3 y! h9 Y77 redundant diode 冗余二极管 J0 iU9 w# + L78 resistive divider 电阻分压器 1 + B; , f: D+ J/ E79 ringing 振 铃 : j1 T, n5 s, N5 d& E3 f6 f80 ripple current 纹波电流 6 s2 c* , M3 J( c. d) k81 rising edge 上升
13、沿 7 J. y( l8 Z7 XK82 sense resistor 检测电阻 9 A7 n- b! S: g& Z! T) X83 Sequenced Power Supplys 序列电源 9 F1 U9 i0 V( b/ s84 shoot-through 直通，同时导通 S g3 y9 P6 L3 k: j85 stray inductances. 杂散电感 8 B V! M+ 2 4 s1 F86 sub-circuit 子电路 aW9 D1 t. V87 substrate 基板 ! c d9 * x |88 Telecom 电信 l/ C( D* E2 I* C$ u5 h5 ;
14、 l& V4 |89 Thermal Information 热性能信息 + z5 5 y9 / 2 u& h. x t6 90 thermal slug 散热片 : d# _( O3 O+ w NS$ N& X4 O2 I91 Threshold 阈值 2 X0 i/ K3 / ?4 s % c92 timing resistor 振荡电阻 $ t3 B( r* Q0 8 S, p/ q93 Top FET Top FET 0 V. q Q0 : o$ f B: v) 5 # q! A94 Trace 线路，走线，引线 / e8 8 Y7 t4 x95 Transfer function 传
15、递函数 $ x. b: R8 . E8 c0 d96 Trip Point 跳变点 ( C. ?5 s/ u5 z# L) _% i97 turns ratio 匝数比，Np / Ns。（初级匝数/次级匝数） % p8 e- Q# h$ y) 8 O$ v1 & D% v98 Under Voltage Lock Out (UVLO) 欠压锁定 0 T! P3 ?3 J. i( j1 w1 b7 : y% V6 99 Voltage Reference 电压参考 g. 4 H: Q6 w4 # R100 voltage-second product 伏秒积 9 Z7 S& 1 ; w# / x* q101 zero-pole frequency compensation 零极点频率补偿 : r2 C7 _1
