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1、单结晶体管原理摘要：单结晶体管原理单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触 电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极bl和b2。在硅 片中间略偏b2 一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电呼如图1所示。图1、单 结晶体管一、单结晶体管的特性从图1可以看出，两基极bl与b2之间的电阻称为基极电阻：rbb=rb1+rb2 式中：rbl-第一基极与发射结之间的电阻，其数值目录单结晶体管原理单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅
2、片，两端分别用欧姆接触引出两个基极bl和b2。在硅片中间略偏b2 一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电 呼如图1所示。已如川剧卍宀心邑匸+图1、单结晶体管一、单结晶体管的特性从图1可以看出，两基极b1与b2之间的电阻称为基极电阻：rbb=rb1+rb2式中：rb1-第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流ie而变化，rb2为第二基 极与发射结之间的电阻，其数值与ie无关；发射结是PN结，与二极管等效。若在两面三刀基极b2、b1间加上正电压Vbb，则A点电压为：VA=rb1/(rb1+rb2)vbb=(rb1/rbb)vbb=nVbb式中：n-称为分压比，其值一般在0
3、.3-0.85之间，如果发射极电压VE由零逐渐增加， 就可测得单结晶体管的伏安特性，见图2图2、单结晶体管的伏安特性(1) 当Vevn Vbb时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏电流Iceo。(2) 当Venn Vbb+VD VD为二极管正向压降(约为0.7伏)，PN结正向导通，Ie显著增 加，rb1阻值迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特 性。管子由截止区进入负阻区的临界P称为峰点，与其对就的发射极电压和电流，分别称为 峰点电压Vp和峰点电流Ip和峰点电流Ip。Ip是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需 的最小电流，显然Vp=nVbb(3) 随
4、着发射极电流ie不断上升，Ve不断下降，降到V点后，Ve不在降了，这点V称为 谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压，Vv和谷点电流Iv。(4) 过了 V点后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所以uc继续 增加时，ie便缓慢地上升，显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压，如果Vev Vv，管子重新截止。二、单结晶体管的主要参数(1) 基极间电阻Rbb发射极开路时，基极bl、b2之间的电阻，一般为2-10千欧，其数 值随温度上升而增大。(2) 分压比n由管子内部结构决定的常数，一般为0.3-0.85。(3) eb1间反向电压Vcbl b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极bl与发射极e之间的 反向耐压。(4)反向电流Ieo bl开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。(5) 发射极饱和压降Veo在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。(6) 峰点电流Ip单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流
