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1、薄膜电路在抛光的陶瓷基片、微晶玻璃基片或者Si基片上溅射电阻播磨和导电薄膜，经电镀、 光刻、形成具有部分无源组件和导体电路的基片，贴装芯片和各种片状组件，键合无相连接 成特定功能的电路模块。电路组件：晶体管、二极管、电阻、电容、电感等以及引线。尺寸小于lum。材料：金属半导体、金属氧化物、多金属混合相、合金、绝缘介质等 工艺：真空蒸发、溅射、电镀工艺。各种材料：基片：高频损耗（随温度和工作频率升高而增加）、介电常数（越大电路尺寸越小，利于集 成，不利于加工）、表面光洁度（影响电路损耗，薄膜附着力，线条分辨率）基片平整度和 翘度（小于0.0001in/jn）、化学稳定性（微晶玻璃避免Ti/Pt/
2、Au系统）、热膨胀系数、热导率、 加工难度。A12O3陶瓷基片、微晶玻璃BeO基片AlN基片复合介质 基片75%95-96%99-99.5%光敏微晶 玻璃微波 低端粉末毒，适于 高功率电路和 有源器件热沉太贵聚四氟乙 烯掺假陶 瓷粉8.09.39.75.5-66.8-7.110介质损 耗10*10-43*10-41*10-425.8*10-45-2*10-42*10-3热导率W/m.K122133.5（37）0.91250140-230热膨胀 系数CTE7*10-6711*12.65 *10-6光洁度 12-A 13光洁度 咼、易于 加工主要尺 寸mm35*35*0.5，40*40*0.4，3
3、0*60*0.835*35,38* 38,40*40, 厚0.30.4加工:超声波打孔激光打光优点质量好、壁直、圆滑，可打陶瓷基 片、微晶玻璃，最小0.5mm位置精准、可编程、效率高，可打异型孔， 尺寸可为0.2mm缺点定位差、效率低设备贵。清洗：去油去腊（甲苯、丙酮、乙醇超声5min以内），去金属离子（酸碱煮），水洗，乙醇 洗、烘干。金属层用于多层金属化工艺，制备电路和组件（1）电阻膜TaN、NiCr合金及金属陶瓷TaN （氮化钽）NiCr(80:20)耐高温，有自然钝化层TaO，负电阻温度系 数，电阻可调整掺入微量AlSiFeAu等电阻温度系数接近0。电阻率100p Q .cm（2）导体膜
4、微薄损耗小（电阻和趋肤深度）、较高分辨率、基片附着力好、焊接能力好、耐候性好金属快金属电阻率（p Q .cm）趋肤深度f=1GHz(p m)膜厚1000A方块电阻（p Q / ）Ag1.622.030.18Cu1.732.090.20Au2.442.490.27Al2.682.610.33多层金属化系统:常用 系统NiCr/Au 系统TiW/Au系统TaN/TiW/Au系统Cr/Cu/Ni/Au系统TaN/TiW/Au/Ni/Au 系统特点小于500A，目前 2.5um，工艺简单、 不适合高温，会降 低与基片的附着 力小 于 500A,1u m无电 阻,工艺 简单，无 高温扩 散不可焊 锡50
5、0A/4um/1um/500ACu为导电 层，Ni为 阻挡层电阻层/粘附层/导电层/阻挡层/ 防氧化可键合层25100Q/300500A/0.57.6um/0.91.8u m/0.52.5u m,良好高温性能， 400450C稳定不扩散。可焊 PbSn,Au/SuNiCr（TaN）/TiW/Au层使用溅射工艺，电阻一致均匀性好电镀金层（有氰电镀和无氰电镀）工艺参数镀液温度PH值电流密度阴极移动速率时间55 C左右6-70.5-1.0Ma/cm220-30次/分根据实际情况微晶玻璃基片金层厚度大于2.5um氧化铝陶瓷基片金层厚度大于3.5um光刻和制版需要三层板1负板、正胶电镀成金条的部分要透光
6、正胶易做厚，去胶简单，形成的针孔小岛少，成品率 高2证板、正胶保护镀金层，刻去溅射的金属3正板、正胶保护镀金层和电阻区，刻去溅射空白区的NiCr层，形成电路图形。4 Kr -f -V r- -.- .-r1. T-r- j -.- f-j r - ffF制板规范 线条粗细与镀层厚度有关国外金条12um间距12um电阻间距不小于130um，长度不小于50um宽度不小于50um划线槽宽 微晶玻璃片200um氧化铝陶瓷基片300um退火NiCr电阻膜退火温度325，时间15-20min,使用温度250C, 1/2hTaN电阻膜退火温度400C，时间1h,使用温度350C, 1/2h组装基片、组件、芯片、MOS电容、管壳导电胶主要使用导电环氧，电阻率100-500Q .cm,导热率2-7W/m.K,使用最高温度250C,短时 350C。常用 ABLESTIK84-1A,83-3J,ME7156, DAD-87, ME8550DA绝缘胶主要环氧树脂，导热率0.2W/m.K,电阻率1014其他贴片：Au/SiAu/SnAu/GePbSn 基片焊接AuGe38010C, 5Min，氢气保护管芯烧结（GaAs, （Au/Sn贴片30010C，氮气保护）Si （Au/Si390 10C，氮气保护）基片烧结Au/Sn300 10C，氢气保护或真空炉键合镜检封帽
