三极管的参数

上传人:枫** 文档编号:507360012 上传时间:2024-01-16 格式:DOCX 页数:27 大小:24.86KB
返回 下载 相关 举报
三极管的参数_第1页
第1页 / 共27页
三极管的参数_第2页
第2页 / 共27页
三极管的参数_第3页
第3页 / 共27页
三极管的参数_第4页
第4页 / 共27页
三极管的参数_第5页
第5页 / 共27页
点击查看更多>>
资源描述

《三极管的参数》由会员分享,可在线阅读,更多相关《三极管的参数(27页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、查看文章三极管常用参数2009-11-08 22:41-PrZ A/r 、也,三极管参数VCEO,基极开路,集电极一发射极反向击穿电压。VCBO, 发射极开路, 集电极基极反向击穿电压。VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。VDSO, 漏源击穿电压。ICM, 集电极最大允许电流。IDSM, 最大漏源电流。PCM, 集电极最大耗散功率。PDM, 漏极最大耗散功率。IC,集电极电流。ID,漏极电流。hFE, 共发射极静态放大倍数。gm, 低频跨导, 场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。fT, 特征频率。td, 延迟时间。tf, 下降时间。一、半导体二极管参数符号及其意义CT-势垒电容Cj-

2、结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极 管的总电容Cjv-偏压结电容Co-零偏压电容Cjo-零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容变化Cs-管壳电容或封装电容Ct-总电容CTV-电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度 的绝对变化之比CTC-电容温度系数Cvn-标称电容IF-正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电 压 VF 下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在 正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在 额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时 给定的电流IF(AV)-正向平均电流I

3、FM(IM)-正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通 过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH-恒定电流、维持电流。Ii- 发光二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工 作电流IF(ov)-正向过载电流IL-光电流或稳流二极管极限电流ID-暗电流IB2-单结晶体管中的基极调制电流IEM-发射极峰值电流IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流ICM-最大输出平均电流IFMP-正向脉冲电流IP-峰点电流IV-谷点电流

4、IGT-晶闸管控制极触发电流IGD-晶闸管控制极不触发电流IGFM-控制极正向峰值电流IR(AV)-反向平均电流IR(In)-反向直流电流(反向漏电流)。在测反向特性时,给定的 反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时, 所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流; 稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向 工作电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流IRR-晶闸管反向重复平均电流IDR-晶闸管断态平均重复电流IRRM-反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp-反向恢复电流Iz-稳定电压电流(反向测试电流)。测

5、试反向电参数时,给定的反 向电流Izk-稳压管膝点电流IOM-最大正向(整流)电流。在规定条件下,能承受的正向最大瞬时 电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管 的最大工作电流IZSM-稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF-正向总瞬时电流iR-反向总瞬时电流ir-反向恢复电流Iop-工作电流Is-稳流二极管稳定电流f-频率 n-电容变化指数;电容比Q-优值(品质因素)(5 vz稳压管电压漂移di/dt-通态电流临界上升率dv/dt-通态电压临界上升率PB-承受脉冲烧毁功率PFT(AV)-正向导通平均耗散功率PFTM-正向峰值

6、耗散功率PFT-正向导通总瞬时耗散功率Pd-耗散功率PG-门极平均功率PGM-门极峰值功率PC-控制极平均功率或集电极耗散功率Pi-输入功率PK-最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温不高于150 度所能承受的最大功率PMP-最大漏过脉冲功率PMS-最大承受脉冲功率Po-输出功率PR-反向浪涌功率Ptot-总耗散功率Pomax-最大输出功率Psc-连续输出功率PSM-不重复浪涌功率PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大 功率RF(r)-正向微分电阻。在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下,电压增加微小量 V,正向 电流相应增加【,

7、则厶V/AI称微分电阻RBB-双基极晶体管的基极间电阻RE-射频电阻RL-负载电阻Rs(rs)串联电阻Rth热阻R(th)ja结到环境的热阻Rz(ru)-动态电阻R(th)jc-结到壳的热阻r(5-衰减电阻r(th)-瞬态电阻Ta-环境温度Tc-壳温td-延迟时间tf-下降时间tfr-正向恢复时间tg-电路换向关断时间tgt-门极控制极开通时间Tj-结温Tjm-最高结温ton-开通时间toff-关断时间tr-上升时间trr-反向恢复时间ts-存储时间tstg-温度补偿二极管的贮成温度a-温度系数入p发光峰值波长入-光谱半宽度n -单结晶体管分压比或效率VB-反向峰值击穿电压Vc-整流输入电压V

8、B2B1-基极间电压VBE10-发射极与第一基极反向电压VEB-饱和压降VFM-最大正向压降(正向峰值电压)VF-正向压降(正向直流电压)VF-正向压降差VDRM-断态重复峰值电压VGT-门极触发电压VGD-门极不触发电压VGFM-门极正向峰值电压VGRM-门极反向峰值电压VF(AV)-正向平均电压Vo-交流输入电压VOM-最大输出平均电压Vop-工作电压Vn-中心电压Vp-峰点电压VR-反向工作电压(反向直流电压)VRM-反向峰值电压(最高测试电压)V(BR)-击穿电压Vth-阀电压(门限电压)VRRM-反向重复峰值电压(反向浪涌电压)VRWM-反向工作峰值电压V v-谷点电压Vz-稳定电压

9、Vz-稳压范围电压增量Vs-通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压av-电压温度系数Vk-膝点电压(稳流二极管)VL -极限电压二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc-集电极电容Ccb-集电极与基极间电容Cce-发射极接地输出电容Ci-输入电容Cib-共基极输入电容Cie-共发射极输入电容Cies-共发射极短路输入电容Cieo-共发射极开路输入电容Cn-中和电容(外电路参数)Co-输出电容Cob-共基极输出电容。在基极电路中,集电极与基极间输出电容Coe-共发射极输出电容Coeo-共发射极开路输出电容Cre-共发射极反馈电容Cic-集电结势垒电容CL-负载电容(外电路参数)Cp-并联电容(外电

10、路参数)BVcbo-发射极开路,集电极与基极间击穿电压BVceo-基极开路,CE结击穿电压BVebo-集电极开路EB结击穿电压BVces-基极与发射极短路 CE 结击穿电压BV cer-基极与发射极串接一电阻,CE结击穿电压D-占空比fT-特征频率fmax-最高振荡频率。当三极管功率增益等于1 时的工作频率 hFE-共发射极静态电流放大系数hIE-共发射极静态输入阻抗hOE-共发射极静态输出电导h RE-共发射极静态电压反馈系数hie-共发射极小信号短路输入阻抗hre-共发射极小信号开路电压反馈系数hfe-共发射极小信号短路电压放大系数hoe-共发射极小信号开路输出导纳IB-基极直流电流或交流

11、电流的平均值Ic-集电极直流电流或交流电流的平均值IE-发射极直流电流或交流电流的平均值Icbo-基极接地,发射极对地开路,在规定的VCB反向电压条件下的 集电极与基极之间的反向截止电流Iceo-发射极接地,基极对地开路,在规定的反向电压VCE条件下, 集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo-基极接地,集电极对地开路,在规定的反向电压VEB条件下,发射极与基极之间的反向截止电流leer-基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规 定值时,集电极与发射极之间的反向截止电流Ices-发射极接地,基极对地短路,在规定的反向电压VCE条件下, 集电极与发射极之间的反向截止电流Icex

12、-发射极接地,基极与发射极间加指定偏压,在规定的反向偏压VCE 下,集电极与发射极之间的反向截止电流ICM-集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。IBM-在集电极允许耗散功率的范围内,能连续地通过基极的直流电流 的最大值,或交流电流的最大平均值ICMP-集电极最大允许脉冲电流ISB-二次击穿电流IAGC-正向自动控制电流Pc-集电极耗散功率PCM-集电极最大允许耗散功率Pi-输入功率Po-输出功率Posc-振荡功率Pn-噪声功率Ptot-总耗散功率ESB-二次击穿能量rbb-基区扩展电阻(基区本征电阻)rbbCc-基极-集电极时间常数,即基极扩展电阻与集电结电容量的乘 积rie-发射极接地

13、,交流输出短路时的输入电阻roe-发射极接地,在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻RE-外接发射极电阻(外电路参数)RB-外接基极电阻(外电路参数)Rc -外接集电极电阻(外电路参数)RBE-外接基极-发射极间电阻(外电路参数)RL-负载电阻(外电路参数)RG-信号源内阻Rth-热阻Ta-环境温度Tc-管壳温度Ts-结温Tjm-最大允许结温Tstg-贮存温度td延迟时间tr-上升时间ts-存贮时间tf-下降时间 ton-开通时间 toff-关断时间VCB-集电极-基极(直流)电压VCE-集电极-发射极(直流)电压VBE-基极发射极(直流)电压VCBO-基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下 的最高耐压VEBO-基极接地,集电极对地开路,发射极与基极之间在指定条件下 的最高耐压VCEO-发射极接地,基极对地开路,集电极与发射极之间在指定条件 下的最高耐压VCER-发射极接地,基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在 指定条件下的最高耐压VCES-发射极接地,基极对地短路

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 学术论文 > 其它学术论文

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号