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19）中华人民共和国国家知识产权局汐（12 ）发明专利申请（10）申请公布号CN103441075A（43）申请公布日2013.12.11（21）申请号 CN201310336943.7（22）申请日 2013.08.02（71）申请人 上海华力微电子有限公司地址201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号（72）发明人 秦伟;高慧慧;杨渝书;黄海辉（74）专利代理机构 上海申新律师事务所代理人 竺路玲（51）Int.CI权利要求说明书 说明书 幅图浮栅MOS晶体管的制造方法（57）摘要本发明公开了一种浮动栅极的制造方法 包括以下步骤：于一硅衬底的表面依次沉积介质 层、多晶硅层和氮化物层；依次刻蚀所述氮化物 层、多晶硅层和所述介质层至所述硅衬底中，形 成 STI 沟槽；沉积一氧化层充满所述 STI 沟槽并 覆盖剩余氮化物层的表面；对所述氧化硅层进行 平坦化工艺，去除位于所述剩余氮化物层的表面 上的氧化硅层；回蚀部分位于 STI 沟槽中氧化硅 层后，去除所述剩余氮化物层。本发明发明先进
