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1、CMOS门电路组成的多谐振荡器结构和原理一种由CMOS门电路组成的多谐振荡器如图1所示。其原理图和工作波形分别如图2(a)、 所示。图(a)中D1.必巴、片均为保护二极管。CMOS门电路组成的多谐振荡器结构V02CUH图1由CMOS门电路组成的多谐振荡器CMOS门电路组成的多谐振荡器原理为了讨论方便，在电路分析中，假定门电路的电压传输特性曲线为理想化的折线，即开 门电平(V )和关门电平(V )相等，这个理想化的开门电平或关门电平称为门坎电平(或阈ONOFF值电平)，记为V且设V =V /2。thth DD(1)第一暂稳态及电路自动翻转的过程假定在t=0时接通电源，电容C尚未充电，电路初始状态
2、为=V，O1 OHv =v =V状态，即第一暂稳态。此时，电源V经G的T管、R和G的T管给电容C充电,1 O2 OLDD1P2N如图10.1.2(a)所示。随着充电时间的增加，v的值不断上升，当v达到V时，电路发生11th下述正反馈过程：5牛 一31 J %卄这一正反馈过程瞬间完成，使v =Vv =V，电路进入第二暂稳态。O1 OL O2 OHI1即)订fl(a)多谐振荡器原理图(b)多谐振荡器波形图图2多谐振荡器原理图和波形第二暂稳态及电路自动翻转的过程电路进入第二暂稳态瞬间，。由0V上跳至V，由于电容两端电压不断突变，则。也将上02DD1跳V ,本应升至V +V ，但由于保护二极管的钳位作用，。仅上跳至V +AV。随后，电容DDDD th1DD+C通过G的T、电阻R和G的T放电，使&下降，当&降至V后，电路又产生如下正反2P1N11th馈过程：从而使电路又回到第一暂稳态，v =V，v =V。此后，电路重复上述过程，周而复始O1 OH O2 OL的从一个暂稳态翻转到另一个暂稳态，在G2的输出端得到方波。由上述分析不难看出，多谐振荡器的两个暂稳态的转换过程是通过电容C充、放电作用 来实现的
