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1、泓域咨询/延边半导体项目申请报告目录第一章 背景及必要性6一、 细分行业概况6二、 面临的机遇13三、 促进经济提质增效14第二章 行业、市场分析16一、 半导体行业产业链概况16二、 面临的挑战18第三章 总论20一、 项目名称及建设性质20二、 项目承办单位20三、 项目定位及建设理由21四、 报告编制说明22五、 项目建设选址23六、 项目生产规模23七、 建筑物建设规模23八、 环境影响23九、 项目总投资及资金构成24十、 资金筹措方案24十一、 项目预期经济效益规划目标24十二、 项目建设进度规划25主要经济指标一览表25第四章 产品方案与建设规划28一、 建设规模及主要建设内容2
2、8二、 产品规划方案及生产纲领28产品规划方案一览表29第五章 项目选址30一、 项目选址原则30二、 建设区基本情况30三、 突出抓好项目建设32四、 项目选址综合评价33第六章 发展规划34一、 公司发展规划34二、 保障措施35第七章 SWOT分析37一、 优势分析（S）37二、 劣势分析（W）39三、 机会分析（O）39四、 威胁分析（T）41第八章 人力资源分析49一、 人力资源配置49劳动定员一览表49二、 员工技能培训49第九章 原辅材料及成品分析52一、 项目建设期原辅材料供应情况52二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理52第十章 建设进度分析54一、 项目进度安排54项目实
3、施进度计划一览表54二、 项目实施保障措施55第十一章 投资方案分析56一、 投资估算的依据和说明56二、 建设投资估算57建设投资估算表59三、 建设期利息59建设期利息估算表59四、 流动资金60流动资金估算表61五、 总投资62总投资及构成一览表62六、 资金筹措与投资计划63项目投资计划与资金筹措一览表63第十二章 项目经济效益评价65一、 经济评价财务测算65营业收入、税金及附加和增值税估算表65综合总成本费用估算表66固定资产折旧费估算表67无形资产和其他资产摊销估算表68利润及利润分配表69二、 项目盈利能力分析70项目投资现金流量表72三、 偿债能力分析73借款还本付息计划表7
4、4第十三章 招标及投资方案76一、 项目招标依据76二、 项目招标范围76三、 招标要求77四、 招标组织方式77五、 招标信息发布81第十四章 项目综合评价说明82第十五章 附表83营业收入、税金及附加和增值税估算表83综合总成本费用估算表83固定资产折旧费估算表84无形资产和其他资产摊销估算表85利润及利润分配表85项目投资现金流量表86借款还本付息计划表88建设投资估算表88建设投资估算表89建设期利息估算表89固定资产投资估算表90流动资金估算表91总投资及构成一览表92项目投资计划与资金筹措一览表93第一章 背景及必要性一、 细分行业概况1、分立器件分立器件是指具有单一功能的电路基本
5、元件，如二极管、晶体管等，主要实现电能的处理与变换，是半导体市场重要的细分领域。受益于国家产业政策对新兴产业的大力支持和对传统行业的升级改造，我国半导体分立器件行业的市场规模稳步增长。2018年度至2020年度，我国半导体分立器件市场销售规模持续增长。根据中国半导体行业协会统计，2020年度我国半导体分立器件销售额达2,966.3亿元，同比增长7.0%。根据中国半导体行业协会预测，我国半导体分立器件市场销售规模将在2021年至2023年度继续保持增长，2021年度、2022年度和2023年度预测销售额分别为3,371.5亿元、3,879.6亿元和4,427.7亿元，分别较上年同期增加13.7%
6、、15.1%和14.1%。2、功率半导体能够进行功率处理的半导体器件为功率半导体器件，功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。功率半导体器件主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是弱电控制与强电运行间的桥梁。除保证设备正常运行以外，功率半导体器件还起到有效的节能作用。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括二极管、晶闸管、晶体管等产品。根据MordorIntelligence统计，2020年度，全球功率半导体市场规模为379.0亿美元，并且预计到2026年度，全球功率半导体市场规模将达到460
7、.2亿美元，2020年度至2026年度，全球功率半导体市场规模年华增长率为3.17%。MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖电源管理、计算机及外设设备、通信、消费电子、汽车电子、工业控制等多个领域。根据YoleDeveloppement统计，2020年度，全球MOSFET市场规模达到75亿美元，并且预测2020年度至2026年，全球MOSFET市场将会达到年化3.8%的增长。2020年度，用于消费品市场的MOSFET占据37%的市场份额，是目前占比最高的应用领域，但汽车应用市场，
8、特别是电动汽车应用市场的爆发将会极大带动MOSFET的应用，预计截至2026年，用于包括电动汽车在内的汽车市场的MOSFET占比将达到32%。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT的开关特性可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率，有逆变和变频的作用，可以应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。根据YoleDeveloppement统计，2020年度，全球IGBT市场规模达到54亿美元，并且预测202
9、0年度至2026年，全球IGBT市场将会达到年化7.5%的增长。2020年度，IGBT最大的应用领域为工业和家用领域。预计受益于碳减排等政府政策带来的电动汽车对内燃机汽车的替代趋势，应用于电动汽车领域的IGBT市场规模在2020年度至2026年度的年化增幅将达到23%，截至2026年，用于电动汽车的IGBT市场份额占比将超过2020年度市场规模占比的一倍占据37%的市场份额市场规模电动汽车，占比在2026年将超过2020年度占比的一倍。3、数字三极管与普通三极管相比，数字三极管是将三极管和一个或两个偏置电阻R1和R2集成在同一款芯片上，类同于小规模集成电路。数字三极管的R1电阻主要用来稳定三极
10、管的工作状态，R2电阻主要用来吸收降低输入端的漏电流和噪声，电阻R1和R2有不同的阻值搭配，形成了丰富的产品组合。数字三极管以中小功率为主，当前市场上主流数字三极管产品的最大输出电流为500mA。数字三极管技术发展的趋势是芯片尺寸向小型化方向发展，产品的输出电流不断增大，电阻要求更加精准，同时增加R1和R2的电阻组合，以满足客户使用时不同输入电压和电流的要求。数字三极管使用方便，同时可以节省外围使用电路的空间，在手机等对内部空间要求比较严格的电子产品中应用广泛。手机等移动终端对空间要求较高，为了节省空间，在电路设计时将更多选择将电阻集成在三极管内部，因此，随着手机等移动终端的发展，数字三极管的
11、市场需求将越来越大。据公开资料显示，2019年全球包括三极管、MOSFET和IGBT在内整个晶体管市场规模约为138.27亿美元，2020年则为147.88亿美元，同比增长6.95%。从竞争格局看，数字三极管国内市场参与者主要包括燕东微、日本Phenitec公司、杭州友旺电子有限公司等，市场格局相对固定。4、ECM前置放大器ECM（ElectretCondenserMicrophone，驻极体电容传声器）麦克风是一种将声音转换为电信号的电子器件，因外围电路结构简单、使用灵活、灵敏度高、指向性好和性价比高等特点，广泛应用于各类智能终端上，如耳机、音箱、遥控器和电视机等。外界的声波信号使驻极体薄膜
12、发生振动，振动使驻极体与另一极板的距离发生变化，进而使由驻极体振膜和另一极板组成的电容器两端的电压放生变化，ECM前置放大器将这一电压信号采集放大后输出。ECM前置放大器具有工作电压范围广、功耗低和外围配置简单等特点，是ECM麦克风的核心组成部分，其参数优劣决定了ECM麦克风的性能高低。目前麦克风领域主要有两条技术路线，分别为ECM麦克风和MEMS（微型机电系统）麦克风。其中MEMS麦克风为新兴路线，其基于MEMS技术将电容器集成制造在硅芯片上，与ECM麦克风相比，具有体积小、一致性好、抗干扰能力强和可使用回流焊技术进行表面贴装等优点，近年来在智能手机和平板电脑等消费类电子产品中得到越来越多的
13、应用。但由于二者各具特点，将在较长时期内共存。ECM麦克风由于其指向性强、工作电压范围广和性价比高等特点，广泛应用于专业音频、语音声控等领域。经过长期发展，ECM前置放大器业内已围绕放大器外形尺寸和电流大小等参数开发出一系列产品。ECM前置放大器今后将向更高的增益、更高的信噪比和更高的参数一致性等方向发展，以获得更高的拾音能力。同时，ECM前置放大器在技术上还呈现小型化趋势，以适应更小更薄的封装。根据YoleDeveloppement预测，ECM麦克风、MEMS麦克风、微型扬声器和音频IC市场规模2017年-2022年复合年增长率将达到6%，到2022年市场规模将达到200亿美元。新兴的MEM
14、S麦克风和ECM麦克风由于各具特点，将在较长时期内共存。由于ECM麦克风在专业音频和语音声控等领域具有的独特应用优势和性价比优势，以及TWS耳机、语音识别组件等下游市场发展带来的麦克风总体市场需求量的上升，近年来ECM麦克风的需求量呈增长趋势。此外，ECM前置放大器市场集中度较高，主要供应商包括燕东微、韩国RFsemi等，随着行业成熟度的提高，市场集中度可能进一步提升，对于出货量较大，已形成规模经济优势的厂商，将占据越来越大的市场份额。5、浪涌保护器件浪涌保护器件，是一种为各种电子设备、仪器仪表、通讯线路提供安全防护的半导体器件。TVS是一种二极管形式的高效能浪涌保护器件。当TVS的两极受到反
15、向瞬态高能量冲击时，它能在极短的时间内将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，使其免受各种浪涌脉冲的损坏。普通的TVS在20世纪80年代开始出现，由单个PN结构成，结构单一，工艺简单。与大多数二极管正向导通的特性不同，其基于反向击穿特性，通过对浪涌的快速泄放，可以起到对电子产品的保护作用，对初级浪涌防护效果较好。普通TVS主要采用台面结构技术。21世纪初期以来，普通的TVS因性能、精度、灵敏度等方面的限制已无法满足集成电路芯片发展中不断提高的防静电和浪涌冲击保护要求，于是兼具漏电小、钳位电压低、响应时间快、抗静电能力强且能够防浪涌等特点的新型TVS在近十几年开始出现并不断创新与升级。新型TVS对结构设计和工艺要求更高，结构更加复杂，一般设计成多路PN结集成结构，采用多次外延、双面扩结或沟槽设计。新型TVS能够确保小型化的集成电路芯片得到有效保护，代表着TVS小型化、更强的浪涌保护能力、更低的电容、多路集成的技术发展方向。随着半导体
