MTK手机电路原理分析

《MTK手机电路原理分析》由会员分享，可在线阅读，更多相关《MTK手机电路原理分析（43页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。

1、MTK电路原理分析出处:第一价值网（IC网络超市）www.ic-转载请注明出处！MTK使用的是6229的BB芯片，Transeiver使用的是MT6140, PA为3159芯片。6229和6230的区别为CAMERA的支持像数，6229支持200万像数，6230只 支持30万像数。6229和6226, 6225等BB芯片的区别为6229内部多了一个DSP用于支持 EDGE，并且6229的主频为104M HZ,相对于传统的BB芯片52MHZ的主频处 理速度快了许多，所以6229不仅可以支持O TG,TVOUT,并且还支持WI-FI。OTG只支持USB11版本，OTG的数据线规范要求不能大于20C

2、M，如果过长 会对信号有较大的衰减和反射。手机里6229也使用的是32.768KHZ的晶振产生时序电路基准信号。32.768kHz是 RTC （实时时钟）晶振，用32.768是因为32768是2的15次幂，可以很方便的 分频，很精确的得到一秒的计时。所有的RTC晶振一般都是32.768或是其倍 频。在手机电路中还有一主时钟，一般为13MHz或是其倍频。之所以选用 13M这样的时钟是为了与基站同步。MTK和其他机种使用的FLASH也是不同的。MTK采用混合储存器的 方式不同于以往的N OR+NAND存储器方式。NOR+NAND存储器采用NOR来存储BIOS代码，采用N AND存储代 码（操作系统

3、和应用软件）和数据，易失性RAM被用来存储执行代码时 的变量和数据结构。这种存储器解决方案采用代码映射或请求调页来 执行存储在N AND中的操作系统和应用软件。混合存储器采用SRAM和NAND，采用NAND作为非易失性存储器， 所以这类解决方案的存储密度能做得很高。这些解决方案可以直接从 NAND引导，不再需要高端蜂窝手机中昂贵的引导NOR，因此可降低 总系统成本。它们还可以减少元器件数量，节省了电路板空间。但 是，这些混合解决方案的引导时间较长、复杂度较高、难以集成且需 要主机上有支持请求调页的先进操作系统。MIC电路MICBIASP和MICBIASN为MIC电路的正负两路偏置电压，一般为2

4、.4V-2.7V左右 的电压。C204, C205主要为滤除射频信号的干扰。如果有GSM900MHZ的干扰则使用33PF的电 容，如果有DCS1800MHZ的干扰可以使用12P F的电容，如果有WIFI 2.4GHZ的干扰则 使用8.2PF的电容。C206主要是抑制共模信号。C201,C202为100NF电容，主要作用为隔直通交，防止直流电使PA饱和，产生信号偏移， 主要滤除100HZ下的电流。B201, B202为磁珠，主要滤除高频部分的干扰。MIC偏置电流流向为从MICBIASP-MICBIASN，而不用公共的GND，主要是因为GND干 扰太大。磁珠有很高的电阻率和磁导率，他等效于电阻和电

5、感串联，但电阻值和电感值都随频率变 化。 他比普通的电感有更好的高频滤波特性，在高频时呈现阻性，所以能在相当宽的 频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果OUTPUTVSGROUNDShield caseC1=10pfC2=33PFRL=2.2KVS=2.0VMic有一个振动系统，该系统在声波的作用下产生振动，并通过不同的物理效应将振动转 换为相应的电压变化、电容变化或电阻变化，最终都以电压变化的形式输出。所以， 我们要Mic电路要采集的数据是Mic两端电压的变化。CP就是那颗能根据振动调整容值的电容，然后通过后面的场效应管放大信号，C1，C2为虑除900MHZ和1800MHZ影响的滤波

6、电容。耳机电路VDD未插入耳机时，A点断开，所以B点处于高电平，二极管截至，C处为高电平，所以 EINT为高电平。BB芯片判断耳机未插入。当插入耳机时，由于耳机一般为64欧姆，32欧姆，或者16欧姆（MTK使用的为32欧姆）。 相对于100K欧姆，分压仅为0.1 V左右，二极管导通，C处电压为0.1+0.2=0.3左右，EINT值 为低电平，BB芯片接受到中断。判断可能为耳机插入。但这样还是不够的，耳机插入还需 要满足下面另一个条件。MICBIOSXMICMICBIOSADCADC若满足1.ADC1V, 2. EIN为低电平。则表示耳机为插入。Right Left MIC GND若只插入一半，

7、耳机上MIC的一截就会因为错位而接到手机的GND上，然后XMIC信号 直接连接GND，ADC则为低电平。虽然现在的耳机已经不需要这个动作了，但是手机 研发还是保留了这个信号未删除，以免出现问题。MP3电路ssDni3QHR OEJTL干CM-14 .LIW101-l的忸卡i胡M2-M_!_ Mi*r KIP5 BHaaa 口AANN:n- dva-的vo-t/SDmi-33FC3IJMTK使用的一个D类功放，电容C243,C244,C245作用同前面MIC电路介绍的三个电 容，主要是为了消除900MHZ和1800MHZ的高频噪音以及共模干扰。VBAT经过电 感L204的过滤消除杂讯，并且加了一

8、个33pf的电容以消除高频噪音。其PA的功率为7-8倍左右，其计算方式为PA外面的电阻R255,R256 47K/PA内部的 匹配电阻10K*2 (因为是两路差分信号)=9.4倍左右。D类放大器理论是给定的小模拟信号作为功率放大器的输入。功率放大器内部调制器 将模拟转换成数字信号，如脉宽调制(PWM )或脉冲编码调制(PCM)(取决于器件采用 何种调制方式)。但它仍然是一个微弱的数字信号。然后，桥接放大器将数字信号的 振幅放大。为了将高幅度数字信号转换回模拟输出，还需要一个无源LC滤波器。D 类放大器比AB类放大器效率更高，因为D类放大器从电源获得所要求的输出功率， 而非从电源获得所要求的电流

9、，也不会在输出晶体管消耗剩余的功率。音频信号都是正弦波，AB类放大器末级放大电路一般使用2个功率管，一个工作在 正弦波的正半周，一个工作在负半周，然后合成一个完整的正弦波。B类放大器一个管子在正半周工作时，另一个管子“休息”（截止），轮到负半周工作 时，休息的那个工作，原来工作的则休息，轮流使劲。在这种B类工作状态下，每个功 率管都处在导通截止导通的状态中，都只工作180度。2个180度合成一个360 度的完整波形。它的优点是晶体管是从截止点开始向增大电流方向工作的，放大系数 很高，因此也就省电，效率高，它的缺点是存在非线性失真和交越失真。非线性失真 是晶体管本身固有的，从零电流到电流饱和，晶

10、体管的放大能力不是线性的，只有中 间一段是线性状态优良的，晶体管从零电流开始工作，必定要有一段工作在非线性的 区域内。交越失真是由于2个功率管各管一个180度，在交接处又是互相的非线性工作 区域，在交界处失真较大，互相接不住，产生波形失真A类放大器是指功率放大管无论在正半周还是负半周，无论有否放大信号，都是导通在 线性工作区域内的，这时给功率管设置了一个比较大的静态偏流，使它始终处在线性 工作区域内。A类工作状态下，放大器的非线性失真和交越失真都很小，但缺点是：放 大器功耗很大、效率很低、发热巨大。甲类放大器的功耗和声音大小几乎没有关系， 而B类放大器的功耗和声音大小成正比关系。FM电路FMM

11、i血-3 hjlz-圧3FI0-L3 如JJHm I km|1_他 MUT枫叫a口曇M.FM_LOUT,FM_ROUT为输入BB芯片的信号。GPIO42_FM_SDA为设置寄存器用于搜台 GPIO41 FM SCL为CLK信号，GPIO09 FM BUSEN为FM使能信号。T-FLAS H 电路T-FLASHTTT-TF CLK频率为24MHZ, 26, 25平台均使用的12MHZ的频率。上电后先有CLK信号，通过TF- CMD信号发送指令查看时何种类型的T卡，是单线的还是多线的。如果是单线的就用TF-CMD 通讯，如果支持多线就用TF-DAT-0，1, 2, 3，进行传输。HSP301-HS

12、P307为主板上的尖端放电点，和TVS管一起使用用来加快放电，消除ESD的干 扰键盘识别列平时为输入并有上拉，行输出低电平，如果没键按下，列输入为高。有任一键 按下，列输入就变低。但这是还不知道哪一行和哪一列被短路了。软件开始扫 描，先逐行送低，其他行送高。当轮到“按下键“所在的行时，列输入会低，这样 确定了行。再逐列送低，其他列送高。当轮到“按下键“所在的列时，行输入会低。 这样就找到“按下键“所在的行和列了。I220.2-If-l -IObiODUS lKey Pads ArraycSNDICC QU |-KCDLI |KCDLC |、swv3 aSVW 9VR12waW5+予HI,i7Q

13、QOF4| TlTcmQ QuTPX5 Q.TP303QVU3EIQfTR301为热敏电阻，当温度升高时，热敏电阻阻值降低,ADC2电压也降低，导致充电无效，停止充电。原先是V charger和USB两根线，现在是一根线。若I/O 口沁5祗 插入USB线，会产生一个USB-DM信号。若插入的是充电器，则会通过USB-PWR唤醒手机，然后打开V USB3.3 V电压，检测 ADC4-USB电压，若充电器插入则无USB-DM信号，USB插入 有U SB-DM信号，在D306处下拉一个15K V的电阻，然后二极 管D306会导通。USB电压小于1.4V,充电器电压大于1.4V,检测到后V USB3.

14、3 V信号会关闭，要不然 会有20-30mA的耗流，当下载软件时使用UTXD1和U RXD1两根数据线传输。MTK多了一个GPIO63-USBID信号，若OTG线插入会把GPIO63-USBID信号接 地，然后打开相应的电源。9PIN为FM天线，B302为磁珠，隔断FM信号，阻抗在98MHZ处达到12K欧姆。ESD器件放在磁珠之后。开机关机过程VCOREVMemoryVDD当按下按钮，VCORE VMEN VDD立即输出，然后ISRESET信号对芯片进行复位, 对输出寄存器进行初始化，然后检测KCOL6电压，如果长时间处于低电平，BB芯片 会发出一个BB Wake up信号，HOLD住各LDO信号，保证各个电路模块的供电电压 完成一个开机的过程。VS IMSIWVCC sikigeijSEMCLiK 3IMDATXPWM2_VIE_INSA1WG SiML SURE-T 总切亡L叹 sunALERERENSIM卡是带有微处理器的芯片卡，内有5个模块，每个模块对应一个功能：CPU (8位)、 程序存储器ROM (6-16kbit)、工作存储器RAM (1