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1、一、 填空1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。双向晶闸管的图形符号是 ，它的三个极分是第一阳极T1、第二阳极T2、和门极G。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率 、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波 。5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管 晶闸管、它的额定电压为 800V伏、额定
2、有效电流为100A。6、180导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在 同一桥臂 上的上、下二个元件之间进行；而120导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。8、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载 换流和强迫（脉冲）换流。9、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源 逆变器与无源逆变器两大类。10、有一晶闸管的型号为KK2009，请说明KK快速晶闸管； 200表示表示 200A ，9表示900V。11、单结晶体管产生的触发脉冲
3、是尖脉冲 脉冲；主要用于驱动小 功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲；可以触发大 功率的晶闸管。12、同步电压为锯齿波的触发电路锯齿波底宽可达240度；正弦波触发电路的理想移相范围可达 180度，实际移相范围只有150 。15、一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压，经常使用的保护方法是阻容保护 而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有压敏电阻和硒堆 。1、普通晶闸管的图形符号是 ，三个电极分别是阳极A ， 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是阳极加正电压，阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通；关断条件是当晶闸管阳极电流小于
4、维持电流IH时，导通的晶闸管关断 。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ；3、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在0180 变化，在阻感性负载时移相范围在 180变化。4、变流电路的换流方式有 器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流 等四种。5、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电 、设置补偿电容。6、在电力晶闸管电路中，常用的过电流保护有快速熔断器 ；电路串电抗器 ；过流时快速移相；和直流快速开关 等几种。7、晶闸管的换相重叠角与电路的触发角、变压器漏抗XB 、
5、平均电流Id 、电源相电压U2等参数有关。8、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为U2。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为U2 。（电源相电压为U2）9、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用大于60小于120的宽脉冲 触发；二是用脉冲前沿相差60的双窄脉冲 触发。10、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达240度；实际移相才能达0-180 度。11、软开关电路种类很多，大致可分成零电压 电路、零电流 电路两大类。12、逆变器环流指的是只流经两组反并联的逆变桥、而不流经负载的电流，环流可在电路中加采用串联电抗器 来限制。13、绝
6、缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极 作为栅极，以以电力晶体管集电极和发射极 作为发射极与集电极复合而成。14、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角，用 表示。15.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管_，属于半控型器件的是_晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力
7、二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 _ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT ，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率 、触发脉冲前沿要陡幅值要高 和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步 。3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法
8、是串专用均流电抗器。4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦，输出电流波形为方波 。5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为 800伏、额定有效电流为100安。6、180导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂 上的上、下二个元件之间进行；而120导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加 、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降 、正反向漏电流会增加 。8、 在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源 、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采用
9、控制角大于 的工作方式。9、常用的过电流保护措施有快速熔断器 、串进线电抗器、接入直流快速开关 、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有+ 、-、 、-四种 。11、双向晶闸管的触发方式有： I+ 触发：第一阳极T1接正 电压，第二阳极T2接负 电压；门极G接正 电压，T2接负电压。I- 触发：第一阳极T1接正 电压，第二阳极T2接负电压；门极G接负 电压，T2接正电压。 +触发：第一阳极T1接负 电压，第二阳极T2接正 电压,门极G接 正电压，T2接负 电压。-触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正 电压；门极G接负 电压，T2接正电压。12、由晶闸管
10、构成的逆变器换流方式有负载 换流和强迫（脉冲） 换流。13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。14、有一晶闸管的型号为KK2009，请说明KK快速晶闸管； 200表示表示200A，9表示900V。15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲 脉冲；主要用于驱动小功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲；可以触发大功率的晶闸管。16、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V，流过晶闸管的电流有效值为15A，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为；晶闸管的额定电流可选为。17、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在
11、软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为零电压电路与零电流电路 两大类。18、对异步电动机实施变频调速控制，通常的控制方式有恒压频控制、转差频率控制、矢量控制、直接转矩控制等四种。19、PWM逆变电路的控制方法有计算法 、调制法 、跟踪控制法 三种。其中调制法又可分为异步调控法、同步调控法 两种。20、通常变流电路实现换流的方式有器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流四种。21、在单相交流调压电路中，负载为电阻性时移相范围是 ，负载是阻感性时移相范围是 。22、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有避雷器 ；阻容吸收；硒堆；压敏电阻和整流式阻容吸收 等几种。23、提高变流置的功率因数的
12、常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容几种。24、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有GTO、GTR、MOSFET、IGBT几种。25、普通晶闸管的图形符号是 ，三个电极分别是阳极A ，阴极K和门极G 晶闸管的导通条件是阳极加正电压，阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通；关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流IH时，导通的晶闸管关断。26、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ；27、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极作为栅极，以电力晶体管集电极和发
13、射极作为发射极与集电极复合而成。28、在电力晶闸管电路中，常用的过电流保护有快速熔断器 ；电路串电抗器；过流时快速移相；和直流快速开关 等几种。29、晶闸管的换相重叠角与电路的触发角、变压器漏抗XB、平均电流Id 、电源相电压U2 等到参数有关。30、双向晶闸管的图形符号是 ，三个电极分别是第一阳极T1，第二阳极T2 和门极G ；双向晶闸管的的触发方式有 I+ 、 I- 、 III+ 、 III 31、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为U2。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为U2 。（电源相电压为U2）32、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用大于60小于120的宽脉冲 触发；二是用脉冲前沿相差60的双窄脉冲 触发。33、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达240 度；实际移相才能达0-180 度。34、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有恒压频比控制 、转差频率控制 、
