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1、电力电子技术试题填空0000002、电子技术包括 _ 信息电子技术 _和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子 技术和数字电子技术就属于前者。0000001、电力变换通常可分为： 交流变直流 、 直流变直流 、 直流变交流 和 交流变交 流。0000002、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_开关 _状态。 当器件的工作频率较高时， _开关 _损耗会成为主要的损耗。0000001、电力变换通常分为四大类，即 交流变直流 、 直流变直流 、 直流变交流 、 交 流变交流 。0100004、过电压产生的原因 操作过电压 、 雷击过电压 ，可采取 RC 过电压抑制电路 、 压敏电阻
2、 等措施进行保护。0100002、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管 IGBT ； IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的 复合管。0100004、晶闸管对触发脉冲的要求是 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通 、触发脉冲 应有足够的幅度、触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额和 应有良好的抗 干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离 。（可作简答题）0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑均流 的问题，解决的方法是 挑选特性参数尽量一致的器件和采用均流电抗器 。0100004、抑制过电压的
3、方法之一是用电容 吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。0100001、型号为 KP100-8 的晶闸管表示其额定电压为 800 伏、额定有效电流为 100 安。0100003、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有避雷器 ； RC过电压抑制电路 / 阻容吸收 ； 硒堆 ； 压敏电阻 等几种。（写出 2 种即可）0100001、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有GTR 、 GTO 、 MOSFET 、 IGBT 几种。0100003、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是 阳极 A ， 阴极 K 和 门极 G 晶闸管的导通条件是 晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）
4、 。或者 UAK 0 且 UGK0 ；关断条件是 使流过晶闸管的阳极电流降到维持电流以下0100002、可关断晶闸管的图形符号是；电力场效应晶体管的图形符号是 ，绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ；0100003、绝缘栅双极型晶体管是以 电力场效应晶体管栅极 作为栅极， 以 电力晶体管发射 极和集电极 作为发射极与集电极复合而成。0100004、有一晶闸管的型号为 KK200 9，请说明 KK 快速晶闸管 ； 200 表示表示额定电流 200A ，9 表示 额定电压 900V 。0100004、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V，流过晶闸管的电流有效值为
5、15A，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为（1.52）1.414 220 ；晶闸管的额定电流可选 为 （1.5 2） 15/1.57 。0100003、常用的过电流保护措施有电子电路 、 快速熔断器 、 直流快速熔断器 、过电流继电器 。（写出 2 种即可）0100003、给晶闸管阳极加上一定的正向 电压；在门极加上 正向门极 电压，并形成足够的 门极触发 电流，晶闸管才能导通。0100002、晶闸管在触发开通过程中， 当阳极电流小于 擎住 电流之前， 如去掉 触发 脉冲， 晶闸管又会关断。0100002、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 GTR ；可关断晶闸管 GTO ；功率场
6、效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极 型晶体管 IGBT； IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管。0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑均流 的问题，解决的方法是 首要措施是挑选特性参数尽量一致的器件、采用均流电抗器 。0100003、由波形系数可知， 晶闸管在额定情况下的有效值电流IT等于 1.57 倍 I T（AV），如果I T（AV）=100 安培， 则它允许的有效电流为 157 安培。 通常在选择晶闸管时还要留出 1.5 2 倍的裕量。0100001、晶闸管的维持电流 I H是指在 40 度以下温度条件下，门极断开时，晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小
7、阳极 电流。0100001、普通晶闸管内部有 PN 结, ，外部有三个电极，分别是极 极和 极。1、两个、阳极 A、阴极 K、门极 G。0100001、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上 电压，晶闸管就导通。2、正向、触发。0100001、晶闸管的工作状态有正向状态，正向 状态和反向 状态。3、阻断、导通、阻断。0100002、某半导体器件的型号为 KP50 7的，其中 KP表示该器件的名称为 ，50 表示 ，7 表示 。4、普通晶闸管、额定电流 50A、额定电压 700V。0100001、只有当阳极电流小于 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。5、维持电流。0100003、在晶
8、闸管两端并联的 RC回路是用来防止 损坏晶闸管的。15、（关断）过电压。0100002、GTO的全称是 ，图形符号为 ； GTR的全称是 ，图形符号为 ；P-MOSFET的全称 是 ，图形符号为 ；IGBT 的全称是 ，图形符号为 。33、门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极型晶体管。0100003、 GTO的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。33、负脉冲、反向电流。0100001、大功率晶体管简称 。34、GTR。0100003、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是和 。35、电流不够大、耐压不够高。0100002、在 GTR、 GTO、 IGBT与 MOSFE
9、T中，开关速度最快的是 _MOSFET，_ 单管输出功率最 大的是 _GTO_，应用最为广泛的是 _IGBT_。0100003、 _GTR_存在二次击穿现象， _IGBT存在擎住现象。R是 均压 _措施。0100003、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻 0100003、同一晶闸管，维持电流 I H与掣住电流 I L在数值大小上有 I L_ 大于 _I H。0100003、常用的过电流保护措施有 电子电路 、 快速熔断器 。（写出二种即可） 0100001、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有 螺栓型 与 平板型 。 0100002、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至
10、少还要乘以 1.5 2 。 0100003、晶闸管的导通条件是 晶闸管承受正相阳极电压， 并在门极施加触发电流 （脉冲）。 或者 UAK 0 且 UGK0 。0100004 、晶闸管的断态不重复峰值电压UDSM与转折电压 UBO在数值大小上应为， UDSM I H。0100003、某晶闸管的型号为 KP200-5，其中 200表示 额定电流为 200A ，5 表示 额定电压 为 500V 。0100004、晶闸管串联时，给每只管子并联相同的RC电路是 均压 措施。0100001、晶闸管的三个电极分别是阳极 A 、 阴极 K 、 门极 G 。0100002、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的
11、最大电压大1.5 2 倍，使其有一定的电压裕量。0100002、当晶闸管加上正向 阳极电压 后，门极加上适当的正向 触发电流 ，使晶闸管导 通的过程，称为触发。0100003、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R 是 均压 措施。0100003、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn等于 1.57 倍 I T（AV），如果 I T（ AV） =100 安培，则它允许的有效电流为 157 安培。通常在选择晶闸管时还要留出 1.5 2 倍的裕量。0200004、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是_出现换相重叠角，整流输出电压平均值降低 _ 、_整流电路的工作状态增多 _、
12、 _使电网电压出现缺口，称为干扰源 _。 0200001、晶闸管一旦导通后流过其中的电流大小由_负载 _决定。0200004、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是给负载并联续流二极管 。0200004、单相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围0 180或 180 ；三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围0 150或 150 ；三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围 0 120或 120 。0200004、锯齿波同步的晶闸管触发电路由同步环节 、 锯齿波形成环节 、 脉冲形成与脉冲移相 及其它环节成。0200002、晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的导通角 。0200003、电阻性
13、负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFM 等于2U 2 （设 U2 为相电压有效值） 。0200004、三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角 /2 ，同时|E d| |U d| 。0200003、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为 换相重叠角0200003、在三相全控桥中，接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位应相差180 。0200004、在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角30 时，电流连续。0200002、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为触发角 。0200004、触发脉冲可采取 宽脉冲 触发与 双窄脉冲 触发两种方法， 目前采用较多的是 双 窄脉冲 触发方法。0200002、 三相半波 可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
