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1、电子电工专业试卷说明：本试卷分第 I卷（选择题）和第n卷（非选择题）两部分，第 I卷xxx页，第 n卷xxx页。两卷满分为100分，考试时间120分钟。I卷答案涂在答题卡上，n卷答案写 在试卷上。第I卷（选择题，共 35分）注意事项：每小题选出答案后， 用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，请用橡皮擦干净后，再选择其答案标号，如果答案不涂写在答题卡上，成绩无效。一、选择题（本大题共 10小题，每小题3分，共计30分。每小题只有一个正确答案。）1、半导体二极管加正向电压时，有（）A、电流大电阻小BC、电流小电阻小D、电流大电阻大、电流小电阻大A、反向偏置击穿状态C、正向偏置导通状态2
2、、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）B、反向偏置未击穿状态D、正向偏置未导通状态3、三极管工作于放大状态的条件是（A、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏4、三极管电流源电路的特点是（）B、发射结正偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏）A、输岀电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小B、输岀电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大C、输岀电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小D、输岀电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大VCc应当（）5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源A、短路 B 、开路 C、保留不变D、电流源6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的
3、配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）A、共射电路B 、共基电路C、共集电路D 、共集-共基串联电路7、 测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图2所示）则此三极管为（）A、PNP型锗三极管B、NPN型锗三极管C、PNP型硅三极管D、NPN型硅三极管8当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（)A、20 倍 B 、-20 倍C、-10 倍 D 、0.1 倍9、电流源的特点是直流等效电阻 （）A、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输岀电压的平均值约为()A U0=0.45UB 、U0=1.2 U
4、2C 、U)=0.9 UD 、U)=1.4U2二、判断题(本大题共5小题，每小题1分，共计5分。每小题叙述正确的在答题卡上选涂“ A”，叙述错误的在答题卡上选涂“B”。)1. P型半导体中，多数载流子是空穴 ()2环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降 ()3. 二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开 ()4. 稳压二极管工作在反向击穿区域 () 光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件 ()第口卷(非选择题部分，共65分)一、填空题(25分)1、 在常温下，硅二极管的门槛电压约为 _v ,导通后在较大电流下的正向压降约为 _v 锗二极管的门槛电压约为 _ _v ，导通后在较大电流下的
5、正向压降约为_ _v 。2、二极管的正向电阻；反向电阻 。3、 二极管的最主要特性是。PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。4、 二极管最主要的电特性是 ,稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个。5、 在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 电容，影响高频信号放大的是电容。6、 在NPN极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的B增加,则 I BQ, I CQ, UCeQ。7、 三极管的三个工作区域是，-,。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路。8、 某放大电路中的三极管， 在工作状态中测得它的管脚电压 Va=
6、 1.2V , Vb = 0.5V, VC = 3.6V, 试问该三极管是 管(材料)， 型的三极管，该管的集电极是 a、b、c中的 0图0 +Vi+Vo 放大电路的小信号等效电路如图5 1 （b）所示。（2分）rbe =300 (1 山)兰=300 (1 50)26 ： 1.6K-JP(Rci E Rl)VoAv =_y .9Virbe1.6（i分）（2分）R = rbe/ Fb = 1.6/256FF= R?= 3 k Q o-V_ V_V。二 R4R3Vi _V . V . _0R1R2V +=VV-V 5 r2 ViR3R4二R3100K100K100K=1.6 k100K(1 分)(1 分)100K - 100K V4ViV。=2V。=2 汇丄 V =V23、解：1 接 4; 2 接 6; 5 接 7、9; 3 接 8、11、13;10接12o如解图6所示。每连对一个一分，元件的位置摆布正确2分。o-220 V50llz解图6
