半导体导带位置(ECB)计算

《半导体导带位置(ECB)计算》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体导带位置(ECB)计算（2页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。

怎样由禁带宽度Eg粗略计算半导体的导带位置（ECB，Vs NHE）经验公式：ECB=X - Ec - Eg/2EVB=ECB+Eg其中， Ec是相对于标准 H 电极的一个常数，Ec=4.5eV；Eg 是半导体的禁带宽度（以实际测量结果为主）； X 是半导体内各原子绝对电负性的几何平均值。计算实例如下：对 ZnO，Eg=3.2eV，通过后面的附表可查得，X(Zn)=4.45，X(O)=7.54，所以 X=4.451?7.451=5.79，所以， ECB=5.79-4.5-3.2/2=-0.31eV，EVB=-0.31+3.2=2.89eV;再如对 Fe2O3，Eg=2.2eV，X=1 / 24.062?7.453=5.88eV，所以， ECB=5.88-4.5-2.2/2=0.28eV，EVB=0.28+2.2=2.48eV.与文献给出的数据几乎完全一致，读者可自行验算其他物质。原子绝对电负性附表如下：2+31+12 / 2