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1、版图学习笔记】一. Candence操作二. DESIGNRULE三. 各器件简述四. 版图技巧五. 布局布线六. 版图流程七.ELLA的心得Candence操作一. 进入版图工作环境：1. 进入unit:Xmangerl.3.9=Xbrowser=EDA4=用户名=密码2. 界面上右键toolsterminal3. 在layout目录输入icfb登陆Candenceicfb后面加“&”的作用是之后可以继续在Shell窗口操作命令4. 在icfb窗口tools一librarymanager选择library,cell,view。如果是新建，则FILE一new里面新建。5. 在icfb窗口的to
2、ols一librarypath可以加库二. 最常用快捷键:f:全景图ctrl+z:放大shift+z：缩小shift+f：详细版图（非symbol）u:undow：上一界面i：调用器件q：看属性r：画矩形P：固定长度的可折线l：lable标注端口、电源、地等。所标识的金属层，用该层TEXT层标识。如，M6层金属则选择M6TEXT层。s:拉伸收缩Shift+C：把线断开（注意：先选中线，再操作）Shift+M:merge（同上，先选中线）k：标尺shift+k：取消标尺器件旋转：q选rotate度数一Apply对于已选器件：“M“左键右键旋转g：格点鼠标在各格点移动一般不用如果取消，则再按一次“
3、g”shift+x:进入调用器件的下层shift+b：返回上层F3：在选择了操作命令后，按F3可以显示旋转，宽度调整等被操作器件特性。该键很有用。Undo默认为一步。若要增加次数，在ICFB窗口的OPTIONS里选择USERPREFERENCES改变undo次数。三.Layout环境界面常用操作W11EHI4-To礙D囲即1kmXiMga詁删.VerifyCm曲附封伸恤惟脑頂eB:nnu.M-FnAJp(jKLtJ1iDelr!fcsi()Hn-KIITt3-0(ytWU)ircnie-Larru.?-ri5ingle5riLiKtPt左边的窗口为“LSW”窗口。AV:allviewNV:no
4、viewAS:allselectNS:noneselect（在连线时，可以先选NV,所有层次都看不见，再选中需要连线的层次，则版图上只显示该层，方便连线。需要修改时，可以选NS,再选择需要修改的层次，方便改动。按右键选择活动的层次。）Ihtub崗口IKTUIntiItU1胡皿|dg1bt1ioirr1魏EFTteft1黏JTTbrutIIrTMP|dgcollEhSUEFSlPOLTL1旳SlfQLYl-i.HKCTT|rlHIERARCHY-FLATTEN-FLATTENPCELLS完成版图后标端口：CREAT-PINSFROMLABLESDRC以后找错误：VERITY-MARKERS-FI
5、NDS操作中，先按“s”，再选择需要strentch的部分，再拉伸。Shift+c操作中，需要先选中需要CUT的线条。在做GUARDRING里面，可以选择NDIFF_M1,选择一定的row和coloum,注意此时选择其中的”CONTACT“的行和列，这样就可以直接构成guardingo二.DESINGRULES根据各不同工艺，DESIGNRULES各不相同。但大致尺寸仍然类似。规则也基本相同。经过DRC，最容易出问题的：1. 最小延伸：主要指多晶硅必须伸出有源区2. 最小宽度：在线画好后，添加CONTACT与VIA等时，可能会因为位置摆放问题导致最小线宽不符合要求。3. 最小间距：不仅要注意各
6、层自己的间距，如METEL1与METEL1连线间间距，还要注意不同层之间间距符合设计规则。4. 最小包围：由于要满足内层的最小宽度以及外层与内层的最小包围，因此在连接部分等处要求内层材料比原先宽度增加一些。5. PSUBWITHOUTTAB:P衬底需要接地本次DRC下来总结：Via四周距离一端必须大于规则距离，另三端大于最小包围。P衬底接地和NWELL里接高必须和器件小于20UM最高层金属间距稍大0.44其他为0.28电容两极板需要用第六层引线出来，若用第五层，则它会认为是电容板的一层，报错。三各器件简述1. MOS管2. 三极管3. 电容4. 电阻5. 电感在很多工艺库中，以上器件都是可以调
7、用的。因此不需要自己画。如果没有可以调用的器件就按照designrule中对各层的定义，自己绘制器件。本次流片所用到的器件：四版图技巧Z1对敏感线的处理对敏感线来说，至少要做到的是在它的走线过程中尽量没有其他走线和它交叉。因为走线上的信号必然会带来噪声，交错纠缠的走线会影响敏感线的信号。对于要求比较高的敏感线，则需要做屏蔽。具体的方法是，在它的上下左右都连金属线，这些线接地。比如我用M3做敏感线，则上下用M2和M4重叠一层，左右用M3走，这些线均接地。等于把它像电缆一样包起来。2匹配问题的解决电路中如果需要匹配，则要考虑对称性问题。比如1：8的匹配，则可以做成3X3的矩阵，“1”的放在正中间，
8、“8”的放在四周。这样就是中心对称。如果是2：5的匹配，则可以安排成AABABAA的矩阵。需要匹配和对称的电路器件，摆放方向必须一致。周围环境尽量一致。3噪声问题的处理噪声问题处理的最常用方法是在器件周围加保护环。Nmos管子做在衬底上因此周围的guardring是Pdiff,在版图上是一层PPLUS,上面加一层DIFF,用CONTACT连M1。Pdiff接低电位。Pmos管子做在NWELL里面因此周围的GUARDING是Ndiff，在版图上先一层NPLUS，上面加一层DIFF,用CONTACT连M1。Ndiff接高电位。在一个模块周围为了和其他模块隔离加的保护环，用一圈NWELL，里面加ND
9、IFF，接高电位。电阻看类型而定，做在P衬底上的周围接PDIFF型guarding接地；做在NWELL里面的则周围接NDIFF型guarding接高电位。各种器件，包括管子，电容，电感，电阻都要接体电位。如果不是RF型的MOS管，则一般尽量一排N管一排P管排列，每排或者一堆靠近的同类型管子做一圈GUARDING，在P管和N管之间有走线不方便打孔的可以空出来不打。4版图对称性当电路需要对称的时候，需要从走线复杂度，面积等方面综合考虑。常见的对称实现方式：一般的，画好一半，折到另一半去，复制实现两边的对称。如果对称性要求高的，可以用质心对称的方式，把管子拆分成两个，四个甚至更多如把一个管子拆成两个
10、可以ABBA的方式如果有四个管子，可以各拆成三个，用ABCDABCDABCD的方式五布局布线布局布线是一个全局问题。在画较大的电路时候是很重要的。首先确定各模块的位置，在确定位置的时候需要考虑的问题主要有：各输入输出之间的连线最短，最方便；各模块接出去连PAD的各端口方便；高频线距离尽量短；输入输出之间相隔比较远等。这些问题需要在着手画各模块之前先有个安排。在画好各模块后摆放时会做调整，但大局不变。连线一般的规则是单数层金属和双数层金属垂直，比如一三五层连水平；二四六层连垂直。但这样的主要目的是各层能方便走线，排得密集。所以也不是死规则，在布线较稀疏的情况下可以做适量变通。在布线时最重要的问题
11、是考虑电路的各支路电流问题。首先要明确各支路电路的峰值，这样就能确定金属线的最小宽度。确保整条支路不会被电流过大而烧断。当然连线也不能太宽，这样的话电容会大。电路中如果画到电流源可以离得较远，因为电流源理想的时候电阻无穷大，这就意味着电流源连出来的线可以长一些，因为不需考虑连线太长电阻太大的问题。六版图流程整体布局各模块布局模块布线各模块通过DRC,LVS整体布线整体通过DRC,LVS,通过天线效应DRC提取后仿参数DRC：在线的有DIVA只需把.rul文件放在相应目录下直接在线跑Dracula：非在线LVS:也有DIVA,DRACULA等。本次使用calibre进行lvs。具体流程如下：1.
12、 版图生成GDS文件。在icfb窗口的“file”中选“export”的“stream”2. 生成netlist。在ADS中的“tool”里export网表3. 用LVS文件,修改其中对应的layyout和netlist文件名称。把以上三个文件放在同一目录下。EDA中在该目录下跑CALIBRE命令：calibre（空格）一lvs（空格）做lvs的文件名在生成的lvs.rep中找错误。注意：layout中，gnd和vdd作为pin。Pin只用.txt对应的metal标识。在跑好LVS后，要在版图上对应的地方找到可能的错误，需要以下步骤:在icfb窗口：load“/calivre.skl”Cali
13、bre一Setup一Socket.在lvs路径caliber一rvesvdb&在【svdb】窗口setuplayoutviewer七.ELLA的心得1关于电路的问题画模拟版图首先要注意的是线宽问题。每条支路上的电流是多少要问清电路设计者。对于比较大电流的支路，线宽一定要满足电流，但也不能太宽，否则寄生电容肯定会大。可以采用几条金属线上下重叠并联的方式，这样的话宽度小了电流又能满足。画版图的时候也不能一味埋头苦画，远抱着质疑的态度。比如判断设计者给出的电流是否正确可信，给出的结构和器件尺寸是否合理等。这就需要对电路知识有很好的了解，懂电路来画版图才有意思。2.关于ESD的问题一般的工艺模型里可能
14、会提供ESD模型。但是本次流片并没有。ESD需要自己画。参考文件中给出ESD的设计规则，有些是DRC做不出来的，需要自己注意。ESD需要在输入输出口，电源和地之间，不同的电源之间等都做，而且结构不同。冒MmMls場lEBIIillHiNiE：卅強社瘗窓诽與M11；HI旳IHEniNi；r IliIK卫I上ll：Klfil：5maiKHiSSIIINltSr；11：HIRSIT!i；i!S8；;； IIIHIKHI.f!il9!i9：1|縫|绸乂HiBiiN!援磁血I；!砂创尿liBIBCIIi!制狎!尿liHIESlIrliisiiiIB.-J!i；ti!iR：EHi!S：i3!ISBil!ilipntsiiiiiaisci，湖专霁|a严;；:；出训U-rE-frKA-ywsrafi.1-1广广WET玄耕iM刖川bucjiianiriin!2IE!llikvaism
