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1、word模拟电子综合练习练习一一、填空(16分)1半导体二极管的主要特性是_ 。2三极管工作在放大区时，发射结为_ 偏置，集电结为_偏置；工作在饱和区时发射结为_偏置，集电结为_偏置。3当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的_倍，或者是下降了_dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_ 。4为提高放大电路输入电阻应引入_反应；为降低放大电路输出电阻，应引入_反应。5乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =_、静态时的电源功耗PDC =_。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_，但这种功放有_失真。6在串联型稳压电路中，引入了负反应；为了正常稳压，调整管
2、必须工作在_区域。二、选择正确答案填空(24分)1在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，如此这只三极管是( )。ANPN 型硅管 BNPN 型锗管 CPNP 型硅管 DPNP 型锗管2某场效应管的转移特性如图所示，该管为( )。 AP沟道增强型MOS管BP沟道结型场效应管CN沟道增强型MOS管DN沟道耗尽型MOS管3在图示2差分放大电路中，假如uI = 20 mV，如此电路的( )。A差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。B差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。C差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。D差模
3、输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。4通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。A输入电阻高 B输出电阻低 C共模抑制比大 D电压放大倍数大5在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。A减小C，减小Ri B减小C，增大RiC增大C，减小Ri D增大C，增大 Ri6如下列图复合管，V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，如此复合后的 b 约为( )。A1500 B80 C50 D307RC桥式正弦波振荡电路由两局部电路组成,即RC串并联选频网络和( )。A根本共射放大电路 B根本共集放大电路C反相比例运算电路 D同相比例运算
4、电路8某电路输入电压和输出电压的波形如下列图，该电路可能是( )。A积分运算电路 B微分运算电路 C过零比拟器 D滞回比拟器三、两级放大电路如下列图，三极管的参数：V1的 b1 、rbe1，V2的 b2 、rbe2，电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。1分别指出V1、V2的电路组态；2画出图示电路简化的H参数微变等效电路；3计算中频电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻Ro。(12分)四、图示运算放大电路中，u1 = 10 mV，u2 = 30 mV，求uO = ？(10分)五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如下列图，试分别求出电路的中频电压放大倍数与下限截止频率(8分)六
5、、分析图示两个电路的级间反应。回答：(12分)1它们是正反应还是负反应？2是直流反应、交流反应还是交、支流反应兼有？3它们属于何种组态？4各自的电压放大倍数大约是多少？七、电路如下列图。试回答：1该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件？2如不满足，应如何改动使之有可能振荡？如果满足，如此它属于哪种类型的振荡电路？3在满足振荡条件的情况下，电路的振荡频率为多少？(10分)八、电路如下列图，稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V，IZmin = 5 mA，IZmax = 40 mA，变压器二次电压有效值U2 = 20 V，电阻R = 240 W，电容C = 200 F。求：(8分)1整流滤波后的直流电
6、压UI(AV) 约为多少伏？2当电网电压在 10%的围内波动时，负载电阻允许的变化X围有多大？练习二一、 填空：(18分)1为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用_耦合方式，为了实现阻抗变换，使信号与负载间有较好的配合，放大电路应采用_耦合方式。2在三极管多级放大电路中，总的电压增益 = ；Au1是_放大器；Au2是_放大器；Au3是_ 放大器。3单相桥式整流电路中，假如输入电压U2 = 30V，如此输出电压Uo = V；假如负载电阻RL = 100 W，整流二极管ID(AV) =_A。4文氏桥正弦波振荡器用RC串并联网络选频，当这种电路产生正弦波振荡时，该选频网络的反应
7、系数(即传输系数) F = ？5在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用? 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用? 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用滤波器。6甲类放大电路是指放大管的导通角为 ；乙类放大电路如此其放大管的导通角为 ；在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为。二、选择正确答案填空(9分)1图示电路中二极管是理想的，电阻R为6 W。当普通指针式万用表置于R 1 W 档时，用黑表笔(通常带正电)接A点，红表笔(通常带负电)接B点，如此万用表的指示值为 。a18 W ； b9 W ； c3 W ； d2
8、 W ； e0 W 。2有两个放大倍数一样、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进展放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的 。a输入电阻大； b输入电阻小； c输出电阻大； d输出电阻小3某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V，接入3 kW 的负载电阻后输出电压降为3 V。这说明放大电路的输出电阻为 。a10 kW ； b2 kW ； c1 kW ； d0.5 kW 。三、判断如下管子的工作状态(10分)1测得各三极管静态时三个电极对地的电位如下列图，试判断它们分别工作在什么状态(饱和、截止、倒置)。设所有的三极管和二极管均为硅管。2电路如下列图，
9、分别指出它们工作在如下三个区中的哪一个区(饱和区、夹断区、可变电阻区)。四、图示差分放大电路中，调零电位器RP的动端处在中点位置， b1 = b2 = 50，UBE1 = UBE2 = 0.7 V，其它参数如下列图。1求静态工作点(IB、IC、UCE)；2画出半边对称放大电路的微变等效电路；3当uS1 = -uS2 = 10 mV时，求uO = ？(12分)五、集成运放的BWG = 1 MHz，试估算图示交流放大电路的下限频率和上限频率。(8分)六、图示电路中各运算放大器是理想的，试写出各输出电压Uo的值。(10分)七、电路如下列图，设满足深度负反应条件。1试判断级间反应的极性和组态；2试求其
10、闭环电压放大倍数Auf。 (10分)八、题图电路为两个三端集成稳压器，电流IQ = 5 mA。1写出图(a)中的I0的表达式，并算出具体数值；2写出图(b)中的Uo的表达式，并算出当R2 = 5 W 时的具体数值；3指出这两个电路分别具有什么功能。(9分)九、画出图中各电路的电压传输特性，要求uI的变化幅度足够大，并在图中明确有关数值。设所有集成运放具有理想的特性，所有电源电压为 12 V。(12分)练习三一、填空(26分)1杂质半导体有_型和_型两种；双极型晶体管的结构有_型和_型两种；场效应管根据导电沟道不同有_和_两种。2图中二极管为理想器件，V1工作在_状态；V2工作在_状态；UA为_
11、V。3三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V，如此三极管对应的电极是：A为_极、B为_极、C为_极，晶体管为_型三极管。4在图示电路中2CW5的参数为：稳定电压Uz = 12 V，最大稳定电流IZmax = 20 mA。图中电压表中流过的电流忽略不计。当开关S闭合时，电压表V和电流表A1、A2的读数分别为_、_ 、 ；当开关S断开时，其读数分别为_ 、 _、 。5假如三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB，Au3 = 20 dB，如此其总电压增益为_dB，折合为_倍。6差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE
12、，使电路的RiC_、Auc=_ 、共摸抑制比=_ 。7三端集成稳压器CW7912的输出电压为_ V，而CW7809的输出电压如此为_V。二、图示电路中的三极管 b = 60，rbb = 200 W,UBEQ = 0.7 V，RB1 = RB2 = 150 kW，RC = 5.1 kW，Rs = 300 W，Vcc = 12 V。试求：1静态工作点；2画出微变等效电路；3电压放大倍数 与输入电阻Ri、输出电阻Ro。(12分)三、判断图示电路的级间反应极性和组态；设满足深度负反应条件，试估算闭环电压增益 (8分)四、在图示电路中，设A1、A2、A3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为12 V。
13、1试说明A1、A2、A3各组成什么电路？2A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区？3假如输入为1 V的直流电压，如此各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大？(12分)五、电路如下列图。1正确连接A、B、P、N四点，使之成为RC桥式振荡电路；2电路的频率f0是多少？3假如R1 = 2 kW，求Rf的最小值。(12分)六、图为一高通有源滤波电路。设A为理想运算放大器，试推导传递函数Uo(jw)/Ui(jw) 的表达式，并求出截止频率fp。(8分)七、在图示两个电路中，A为理想运算放大器，输出电压的极限值为Uomax。1指出这是两个什么类型的电路；2画出它们的电压传输特性。(10分)八、在
14、图示电路中，Rf和Cf均为反应元件，设三极管饱和管压降为0 V。1为稳定输出电压uO，正确引入负反应；2假如使闭环电压增益Auf = 10，确定Rf = ？3求最大不失真输出电压功率Pomax = ？以与最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少？(12分)练习四一、填空(20分)1在常温下，硅二极管的门槛电压约为_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_V；锗二极管的门槛电压约为 _V，导通后在较大电流下的正向压降约为_V。2场效应管属于_控制型器件，而晶体三极管如此是_控制型器件。3某场效应管的转移特性曲线如下列图，由此可知该管是 (N或P)沟道 (增强或耗尽)型的 (结型或绝缘栅)场效应管，
15、图中UGS = 2 V称为该管的 电压。4某放大电路电压放大倍数的频率特性为：明确其下限频率为_，上限频率为 ，中频的电压增益为_dB，输出电压与输入电压在中频段的相位差为_ 。5在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中，假如两个输入电压 DUI1 = DUI2，如此输出电压 DUo = 。假如 DUI1 = +1500 mV，DUI2 = +500 mV，如此可知差动放大电路的输入差模电压 DUId = ，差模输入信号分别为 DUId1 = ，DUId2 = ，共模输入信号 DUIc = 。6设计一个输出功率为20 W的扩音机电路，假如用乙类推挽功率放大，如此应选至少为 W的功率管两个。二、两级放大电路如下列图，三极管 b1 =b2 =50，rbe1 = 1.6 kW，rbe2 = 1.3 kW，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路。 (共14分)1试说明V1和V2各组成什么电路组态？2画出中频区的H参数微变等效电路；3计算放大器的输入电阻Ri 和输出电阻Ro；4计算中频区源电压放大倍数Aus。三、图示电路中的模拟乘法器和运算放大器均为理想器件。(10分)1为对运算放大器形成负反应，应对uI2的极性
