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1、自测题一一、判断题1因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ）2在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ T ）3处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ）二、单选题1半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。A外电场 B内电场 C掺杂 D热激发2用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。A正、反向电阻相等 B正向电阻大，反向电阻小C反向电阻比正向电阻大很多倍 D正、反向电阻都等于无穷大3二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。(X 轴为电压)A右移 B左移 C上移 D下移
2、4当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。A增大 B减小 C不变 D不确定5三极管值是反映（ B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源）A电压控制电压 B电流控制电流 C电压控制电流 D电流控制电压6温度升高时，三极管的值将（ A ）。A增大 B减少 C不变 D不能确定7下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。A电流放大系数 B最大整流电流C集电极最大允许电流 D集电极最大允许耗散功率8某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。Ae, b, c Bb, e, c Cb, c, e Dc, b, e9晶体三极管的反向
3、电流是由（ B ）运动形成的。A多数载流子 B少数载流子C扩散 D少数载流子和多数载流子共同10三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（ D ）。（发正偏集反偏）APNP型硅管 BPNP型锗管 CNPN型锗管 DNPN型硅管11场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。A非饱和区 B饱和区 C截止区 D击穿区12增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（ B ）。A能够形成导电沟道 B不能形成导电沟道C漏极电流不为零 D漏极电压为零三、填空题1在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。2少数载流子在内电场力作用下有规则的运
4、动称为 漂移 。3PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的 单向导电性 性能。4PN结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 。5PN结正向偏置时，PN结的内电场被 削弱 。6三极管最重要的特性是 电流放大作用 。7温度升高时，晶体管的反向饱和电流将 增大 。8场效应晶体管属于 电压 控制器件。9场效应管的最大优点是 输入电阻高 。10时，不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS管 。11开启电压的是 N沟道增强型 场效应管。12开启电压的是 P沟道增强型 场效应管。4自测题二一、判断题1晶体管的输入电阻是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（ F ）2放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（
5、 T ）3只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（ F ）4在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。（ F ）5直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。（ F ）二、单选题1在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（ C ）。A增大 B减少 C不变 D不能确定2在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（ C ）。A增大 B减少 C不变 D不能确定3在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是（ C ）。A共射放大电路 B共基放大电路C共集放大电路 D不能确定4在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是（ B ）。A共射放大电路 B共基放
6、大电路C共集放大电路 D不能确定5在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时（无电流），则该管工作状态为（ B ）。A饱和 B截止 C放大 D不能确定6晶体管能够放大的外部条件是（ B ）。A发射结正偏，集电结正偏 B发射结正偏，集电结反偏C发射结反偏，集电结正偏 D发射结反偏，集电结反偏7组合放大电路的输出级采用射极输出（共集）方式是为了使（ D ）。A电压放大倍数高 B输出电流小C输出电阻增大 D带负载能力强8放大电路在低频信号作用下放大倍数下降的原因是（ A ）。A耦合电容和旁路电容的影响 B晶体管极间电容和分布电容的影响C晶体管的非线性特性
7、D放大电路的静态工作点设置不合适9当我们将两个带宽均为BW的放大器级联后，级联放大器的带宽（ A ）。A小于BW B等于BW C大于BW D不能确定10射极输出器的特点是（ A ）。A输入电阻高、输出电阻低 B输入电阻高、输出电阻高C输入电阻低、输出电阻低 D输入电阻低、输出电阻高11下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（ A ）。A共射组态 B共基组态 C共集组态 D共漏组态12在基本共射放大电路中，当输入中频小信号时，输出电压出现了底部削平的失真，这种失真是（ B ）。A截止失真 B饱和失真 C交越失真 D频率失真13当信号频率等于放大电路的和时，放大倍数的
8、数值将下降到中频时的（ B ）。(P55 ）A0.5倍 B0.7倍 C0.9倍 D1.2倍14在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（ B ）。A共发射极电路的最大、最小、最小B共集电极电路的最小、最大、最小C共基极电路的最小、最小、最大D共发射极电路的最小、最大、最大15已知某基本共射放大电路的，管子的饱和压降，则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为（ B ）。A1V B2V C5V D6V三、填空题 1要使三极管放大电路不失真，必须设置合理的 静态工作点 。2在三极管放大电路中，静态工作点过高会产生 饱和 失真。3若放大电路静态工作点选的过低，信号容易产生 截止 失真。4
9、基本共射放大电路，当温度升高时，Q点将向 上 移。5若三极管发射结正偏，集电结也正偏则三极管处于 饱和 状态。6共集电极放大电路输出电压与输入电压的相位 相同 。（共射相反）7放大器的输入电阻越大，表明放大器获取输入电压的能力越 强 。8在放大电路中，若负载电阻RL越大，则其电压放大倍数 越大 。9某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3KW的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 1KW 。10放大器的下限角频率，上限角频率，则带宽为 Hz。自测题三一、判断题1测得两共射放大电路空载电压放大倍数均为100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。（ F ）
10、2只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。（ F ）3阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。（ T ）4直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。（ F ）二、单选题1直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ C ）。A电阻阻值有误差 B晶体管参数的分散性 C晶体管参数受温度影响 D受输入信号变化的影响2组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（ D ）。A电压放大倍数高 B输出电流小C输出电阻增大 D带负载能力强3多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益和通频带（ D ）。A电压增益减小，通频带变宽 B电压增益减小，通频带变窄C电压增益提高，通频带变宽
11、 D电压增益提高，通频带变窄4有两个放大器，空载时的输出电压均为3V，当它们接入相同的负载时，甲放大器的输出电压为2V，乙放大器的输出电压为1V，则说明甲比乙的（ D ）。A输入电阻大 B输入电阻小 C输出电阻大 D输出电阻小三、填空题1在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载 。2在多级放大电路中，前级的输出电阻可视为后级的 信号源内阻 。3为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用 直接 耦合方式。4集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路，因此低频性能 好 。5多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要 窄 。6放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 放大器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。自测题四一、判断题1运放的共模抑制比 （ T ）2当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。（ T ）3互补输出级应采用共集或共漏接法。（ T ）4对于长尾式差动放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，射极电阻一概可视为短路。（ T ）二、单选题1放大电路产生零点漂移的主要原因是（ D ）。A放大倍数太大 B采用了直接耦合方式 C晶体管的噪声太大 D环境温度变化引起参数变化2为更好的抑制零漂，集成运放的输入级大多
