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1、1. acceptancetesting(WAT :waferacceptancetesting)2. acceptor：受主，如B,掺入Si中需要接受电子3. Acid：酸4. Activedevice：有源器件，如MOSFET (非线性，可以对信号放大)5. Alignmark(key)：对位标记6. Alloy：合金7. Aluminum：铝8. Ammonia：氨水9. Ammoniumfluoride： NH4F10. Ammoniumhydroxide： NH4OH11. Amorphoussilicon： ce-Si,非晶硅(不是多晶硅)12. Analog：模拟的13. Ang
2、strom： A (lE-10m)埃14. Anisotropic：各向异性(如POLYE亿15. AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质 量标准(不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率)16. ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层(用于 METAL 等层的光刻)17. Argon(Ar)氮18. Arsenic(As)碎19. Arsenictrioxide(As203)三氧化二碎20. Arsine(AsH3)21. Asher：去胶机22. Aspectration：形貌比(ETCH中的深度
3、、宽度比)23. Autodoping：自搀杂(外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延 层)24. Backend：后段(CONTACT 以后、PCM 测试前)25. Baseline：标准流程26. Benchmark：基准27. Bipolar：双极2& Boat：扩散用(石英)舟29. CD： (CriticalDimension)临界(关键)尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLYCD为多 晶条宽。30. Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。31. Chemical-mechanicalpolish (CMP)
4、:化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方 法。32. Chemicalvapordeposition (CVD):化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工-PP21 O33. Chip：碎片或芯片。34. CIM： computer-integratedmanufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种 综合方式。35. Circuitdesign：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。36. Cleanroom： 一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。37. Compensationdoping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施
5、主杂质或向N型掺入受主杂质。38. CMOS： complementarymetaloxidesemiconductor 的缩写。一种将 PMOS 和 NMOS 在 同一个硅衬底上混合制造的工艺。39. Computer-aideddesign (CAD):计算机辅助设计。40. Conductivitytype：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P 型材料中多数载流子是空穴。41. Contact：孑L。在工艺中通常指孔1,即连接铝和硅的孔。42. Controlchart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。43. Correlation：
6、相关性。44. Cp：工艺能力， 详见 processcapabilityo45. Cpk：工艺能力指数，详见 processc 叩 ability index。46. Cycletime：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。47. Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以 叫做损伤。48. Defectdensity：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。49. Depletionimplant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。(耗尽 晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。)50. Depl
7、etionlayer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。51. Depletionu/idth：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。52. Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一 种方法。53. Depthoffocus (DOF):焦深。54. designofexperimerrts(DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的 统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。55. develop：显影(通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程)56. developer：
8、I )显影设备；II)显影液57. die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上 的部分划片槽区域。5& dielectric： I )介质，一种绝缘材料；II)用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电 绝缘功能。59. diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形 成与衬底材料反型的杂质离子层。60. drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。61. dryetch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物 理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。62. effect
9、ivelayerthickness:有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅 锭前端的深度。63. EM： electromigration,电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩 散过程。64. epitaxiallayer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材 料，这一单晶半导体层即为外延层。65. equipmentdou/ntime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。66. etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。67. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。6& fab：常
10、指半导体生产的制造工厂。69. featuresize：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。70. field-effec卄ransistor (FET):场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的 多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。71. film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。72. flat：平边73. flou/velocity：流速计74. flowvolume：流量计75. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数76. forbiddenenergygap：禁带77. four-pointprobe：四点探针台78. functionalarea：功能区7
11、9. gateoxide：栅氧80. glasstransitiontemperature：玻璃态转换温度81. gowning：净化服82. grayarea： 灰区83. grazingincidenceinterferometer：切线入身寸干涉仪84. hardbake：后烘85. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法86. high-currentimplanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产87. hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉 99.97%的大 于0.3um的颗
12、粒88. host：主机89. hotcarriers：热载流子90. hydrophilic：亲水性91. hydrophobic：疏水性92. impurity：杂质93. inductiveco叩ledplasma(TCP)：感应等离子体94. inertgas:惰性气体95. initialoxide： 一氧96. insulator：绝缘97. isolated line：隔离线98. implant：注入99. impurityn：掺杂100. junction：结101. junctionspikingn：铝穿刺102. kerf：划片槽103. landingpadn：PAD1
13、04.lithogr叩hyn 制版105. maintainabi lity,equipment：#/*it106. mairrtenancen：保养107. major itycarriern：多数载流子108. masks,deviceseriesofn：成套光 刻版109. materialn：原料110. matrixnl：矩阵111. meann：平均值112. measuredleakraten：测得漏率113. mediann冲间值114. memoryn：记忆体115. metaln：金属116. nanometer(nm)n：纳米117. nanosecond(ns)n：纳秒
14、118. nitrideetchn：氮化物刻蚀119. nitrogen(N2)n：氮气，一种双原子气体120. n-typeadj： n 型121. ohmspersquaren：欧姆每平方:方块电阻122,orientationn：晶向，一组晶列所指的方向123.overl叩n：交迭区124.oxidationn：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应125. phosphorus(P)n：磷，一种有毒的非金属元素126. photomaskn：光刻版，用于光刻的版127. photomask,negativen：反亥U128.images：去掉图形区域的版129. photomask
15、,positiven：正亥U130. pilotn：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子131. plasman：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体132. plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PEC/D)n：等离子体化学气相淀积，低温条件 下的等离子淀积工艺133. plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn： TEOS 淀积，淀积 TEOS 的一种工艺134. pnjunctionn： pn 结135. pockedbeadn：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠136. polarizationn：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语137. polyciden：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构138. polycrystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高浓度掺杂(5E19)的硅，能导电。139. polymorphismn：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象140. probern：探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。141. p
