茂名负性光刻胶项目申请报告

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1、泓域咨询/茂名负性光刻胶项目申请报告目录第一章 市场分析7一、 芯片短缺,上游原材料供应偏紧,国产材料导入进度加快7二、 半导体工业发展的基石光刻技术7三、 聚4-羟基苯乙烯(PHOST)10第二章 项目概述12一、 项目名称及项目单位12二、 项目建设地点12三、 可行性研究范围12四、 编制依据和技术原则12五、 建设背景、规模13六、 项目建设进度15七、 环境影响15八、 建设投资估算15九、 项目主要技术经济指标16主要经济指标一览表16十、 主要结论及建议18第三章 项目选址19一、 项目选址原则19二、 建设区基本情况19三、 深入实施创新驱动发展战略,支撑引领经济高质量发展22

2、四、 建设融入“双循环”新发展格局,打造实力雄厚的产业强市24五、 项目选址综合评价29第四章 建筑工程方案分析31一、 项目工程设计总体要求31二、 建设方案32三、 建筑工程建设指标33建筑工程投资一览表33第五章 法人治理结构35一、 股东权利及义务35二、 董事40三、 高级管理人员44四、 监事46第六章 运营模式分析48一、 公司经营宗旨48二、 公司的目标、主要职责48三、 各部门职责及权限49四、 财务会计制度52第七章 发展规划分析58一、 公司发展规划58二、 保障措施59第八章 人力资源分析61一、 人力资源配置61劳动定员一览表61二、 员工技能培训61第九章 建设进度

3、分析63一、 项目进度安排63项目实施进度计划一览表63二、 项目实施保障措施64第十章 项目环境影响分析65一、 编制依据65二、 环境影响合理性分析65三、 建设期大气环境影响分析65四、 建设期水环境影响分析69五、 建设期固体废弃物环境影响分析70六、 建设期声环境影响分析70七、 建设期生态环境影响分析71八、 清洁生产72九、 环境管理分析73十、 环境影响结论75十一、 环境影响建议75第十一章 技术方案76一、 企业技术研发分析76二、 项目技术工艺分析78三、 质量管理79四、 设备选型方案80主要设备购置一览表81第十二章 投资方案82一、 投资估算的依据和说明82二、 建

4、设投资估算83建设投资估算表85三、 建设期利息85建设期利息估算表85四、 流动资金87流动资金估算表87五、 总投资88总投资及构成一览表88六、 资金筹措与投资计划89项目投资计划与资金筹措一览表89第十三章 经济效益分析91一、 经济评价财务测算91营业收入、税金及附加和增值税估算表91综合总成本费用估算表92固定资产折旧费估算表93无形资产和其他资产摊销估算表94利润及利润分配表96二、 项目盈利能力分析96项目投资现金流量表98三、 偿债能力分析99借款还本付息计划表100第十四章 招标及投资方案102一、 项目招标依据102二、 项目招标范围102三、 招标要求102四、 招标组

5、织方式105五、 招标信息发布108第十五章 风险防范109一、 项目风险分析109二、 项目风险对策111第十六章 总结分析114第十七章 附表附录116建设投资估算表116建设期利息估算表116固定资产投资估算表117流动资金估算表118总投资及构成一览表119项目投资计划与资金筹措一览表120营业收入、税金及附加和增值税估算表121综合总成本费用估算表122固定资产折旧费估算表123无形资产和其他资产摊销估算表124利润及利润分配表124项目投资现金流量表125第一章 市场分析一、 芯片短缺,上游原材料供应偏紧,国产材料导入进度加快自2020年开始,由于新冠疫情在全球蔓延,部分工厂曾暂时

6、关闭相关产能,导致了半导体产业链供应端的短缺。而伴随着疫情常态化运行,全球工业、汽车、消费电子等需求开始复苏,同时叠加多种崭新芯片应用需求的兴起,全球市场对于半导体芯片的需求量大幅增加,全球半导体芯片开始出现供不应求的局面。近期,多家半导体企业纷纷上调产品价格,芯片涨价情况不断向上游延伸,中游的封测和晶圆厂商以及上游的半导体材料厂商也都不同程度地上调了产品价格。此外,由于疫情、地震等不可抗力原因,国外某些厂商的光刻胶等关键半导体材料也出现了供应问题,加剧了半导体材料的短缺问题。这导致了国内的晶圆代工厂商开始积极寻找其他产品供应商,同时也明显加快了对上游原材料产品的验证速度。在这一背景下,以北京

7、科华为代表的国产光刻胶产品也在近期相继实现了在某些制程工艺的成功导入。二、 半导体工业发展的基石光刻技术1904年英国物理学家弗莱明发明了二级检波管(弗莱明管),1907年美国发明家弗雷斯特发明了第一只真空三极管,而世界上第一台通用电子计算机ENIAC则于1946年由约翰冯诺依曼等人在美国发明完成。ENIAC由17,468个电子管和7,200根晶体二极管构成,重量高达30英吨,占地达170平方米。1947年12月,美国贝尔实验室正式成功演示了第一个基于锗半导体的具有放大功能的点接触式晶体管,并于1954年开发出了第一台晶体管化计算机TRADIC。TRADIC由700个晶体管和10,000个锗二

8、极管构成。 现如今已经来到21世纪20年代,在ENIAC和TRADIC发布大半个世纪后,华为公司于2020年10月22日发布了截至当时全球最为先进的芯片产品之一基于5nm工艺制程的手机SoC芯片麒麟9000。麒麟9000集成了多达15,300,000,000个晶体管,将手机所需的CPU、GPU、NPU、ISP、安全系统和5G通信基带等计算单元都集成于一体。与ENIAC和TRADIC相比,麒麟9000的电子元器件数量增加了约100万倍,但整体的器件体积和质量却有了极大程度的缩小,搭载有麒麟9000芯片的华为Mate40Pro手机的重量仅为212克。从ENIAC和TRADIC到麒麟9000,这反映

9、了全球科技的高速发展,而更确切地说这代表着全球半导体集成电路(IC)工艺的飞跃。19世纪50年代末,仙童(Fairchild)半导体公司发明了基于掩膜版的曝光和刻蚀技术,极大地推动了半导体技术革命,该技术也一直沿用至今。1965年,时任仙童半导体公司研究开发实验室主任的戈登摩尔(GordonMoore)在电子学(Electronics)上发表了题为让集成电路填满更多的元件(CrammingMoreComponentsOntoIntergratedCircuits)的文章,并首次提出了被后世奉为“计算机第一定律”的经验性规律摩尔定律:当价格不变时,集成电路上可以容纳的元器件的数目,每隔18-24

10、个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。在过去的数十年间,整个半导体工业都始终遵循着摩尔定律向前不断发展。基于现有的晶圆制造工艺规划情况,摩尔定律在未来至少5-10年内仍将保持着“生命力”。半导体工业能够沿着摩尔定律向前发展离不开光刻工艺的不断进步,在光刻领域,对于摩尔定律其实还存在另外一种解读:每18-24个月,利用光刻工艺在集成电路板上所能形成的最小图案的特征尺寸将缩小30%。光刻工艺是半导体制造中通过化学或物理方法进行图案转移的技术。现代光刻工艺通过光学成像系统将掩膜版上的电路设计图样,使用特定波长的光投影到涂覆有光刻胶的硅片上,使其感光并发生化学性质及溶解性的转变,而后再通过显影、刻蚀、去

11、胶等步骤将原掩膜版上的图案信息转移到带有电介质或者金属层的硅片上。在整个芯片制造过程中可能需要进行数十次的光刻,光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的30%,耗时约占整个芯片生产环节的40%-50%。光刻工艺的精密度决定了集成电路的关键尺寸,奠定了器件微缩的基础,即得到更短的沟道长度和实现更低的工作电压。三、 聚4-羟基苯乙烯(PHOST)聚4-羟基苯乙烯(PHOST)因其在248nm波长下的透明性、高灵敏度和抗刻蚀性等优势,成为了用于KrF光刻技术的光刻胶的主要成分。通过引入不同的酸致脱保护基团,在光致产酸剂的配合下就可以使得KrF光刻胶拥有一定的光响应性,从而在光照条件下发生聚合物的溶解度变

12、化。常见的酸致脱保护基团包括4-叔丁基氧基羰基(t-BOC)类、酯类和乙缩醛类三种。目前主流的KrF化学放大型正性光刻胶往往是具有多种取代基团的共聚物,通过调节聚合物整体的分子量和带有不同取代基团单体的配比来调节光刻胶的性能。根据KrF光刻胶的活化能,可以将KrF光刻胶分为高活化能胶(俗称高温胶,如ESCAP)和低活化能胶(低温胶,如乙缩醛类)。高温胶和低温胶因脱保护的温度差异,导致了比较明显的性能差异。此外,由于空气中存在有一定量的碱性分子,在KrF光刻胶曝光后,光刻胶会接触空气导致曝光后所产生的光酸会被空气中的碱性成分中和掉,最终会造成光刻胶灵敏度的大幅度变化,这一现象被称为曝光到显影的时

13、间延迟问题(PED)。为了解决这一问题,工业界除了采取在洁净室、光刻机等关键地方安装化学成分过滤器以外,还可以通过在光刻胶表面涂布一层保护层来隔绝空气中的碱性物质。第二章 项目概述一、 项目名称及项目单位项目名称:茂名负性光刻胶项目项目单位:xxx有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx(待定),占地面积约30.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目

14、招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析,为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、国民经济和社会发展第十三个五年计划纲要;2、投资项目可行性研究指南;3、相关财务制度、会计制度;4、投资项目可行性研究指南;5、可行性研究开始前已经形成的工作成果及文件;6、根据项目需要进行调查和收集的设计基础资料;7、可行性研究与项目评价;8、建设项目经济评价方法与参数;9、项目建设单位提供的有关本项目的各种技术资料、项目方案及基础材料。(二)技术原则按照“保证生产,简化辅助”的原则进行设计,尽量减少用地、节约资金。在保证生产的前提下

15、,综合考虑辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺流程及设备和完善的现代企业管理制度,采取有效的环境保护措施,使生产中的排放物符合国家排放标准和规定,重视安全与工业卫生使工程项目具有良好的经济效益和社会效益。五、 建设背景、规模(一)项目背景在传统的干法光刻工艺中,光在光刻镜头与光刻胶之间的传播介质是空气,因此最大的数值孔径为1.0,也就是光线和光轴的最大张角为90,分辨率在NA=1.0时就达到了极限。而浸没式光刻(也称为湿法光刻)其光刻镜头和光刻胶之间被填充了水(折射率大于空气),因此光能够以更大角度在光刻胶中成像,也就是等效于更加大的数值孔径,由此进一步提高了光刻工艺的分辨率。其实浸没式成像技术最早于19世纪就被提出来了,其目的是提高光学显微镜的分辨率。而这项技术真正大规模应用到

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