传感器技术(软件)实验指导书

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1、传感器技术实验指导书软件学院 专业名称 班级 学生姓名 学号 实验成绩辽宁工业大学2012年7月目 录实验一 电阻应变式传感器特性实验3实验二 电容传感器特性实验9实验三 电涡流传感器特性实验13实验四 压电式传感器特性实验17实验五 热电式传感器特性实验20实验六 光电式传感器特性实验(综合性)26实验七 霍尔传感器特性实验(选做)32实验八 测速方法比较实验(选做)37附录一 CSY2000系列传感器实验台说明书41实验一 电阻应变式传感器特性实验一、实验目的1 熟悉电阻应变式传感器的结构。2 了解单臂、半桥和全桥测量电路工作原理和性能。3 比较单臂与半桥、全桥的不同性能,了解各自特点及全

2、桥测量电路的优点。二、基本原理1、电阻丝在外力作用下发生机械变形时,其电阻值发生变化,这就是电阻应变效应,描述电阻应变效应的关系式为: RRK,式中RR为电阻丝电阻相对变化,K为应变灵敏系数,=l/l为电阻丝长度相对变化,金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感元件,通过它转换被测部位受力状态变化。电桥的作用完成电阻到电压的比例变化,电桥的输出电压反映了相应的受力状态,对单臂电桥输出电压 Uo1= EK/4。2、对半桥测量电路而言,不同受力方向的两只应变片接入电桥作为邻边,电桥输出灵敏度提高,非线性得到改善。当应变片阻值和应变量相同时,其桥路输出电压UO2EK2。3、全桥测量电路中

3、,将受力性质相同的两应变片接入电桥对边,当应变片初始阻值:R1R2R3R4,其变化值R1R2R3R4时,其桥路输出电压U03KE。其输出灵敏度比半桥又提高了一倍,非线性误差和温度误差均得到改善。三、实验仪器及材料1、应变式传感器实验模板(应变式传感器电子秤)、砝码盘、砝码。2、主控箱(数显表、15V电源、4V电源、电源地)。四、实验步骤1、打开实验台左下面的柜门,取出装有如图应变式传感器(电子秤)模板。传感器中各应变片已接入模板的左上方的R1、R2、R3、R4。加热丝也接于模板上,可用万用表进行测量判别,R1R2R3R4350,加热丝阻值为50左右,应变式传感器安装示意图。2、打开实验台右下面

4、的抽屉,取出托盘和短圆柱形砝码图11应变传感器安装图3、关闭主控箱电源,按下面提示为实验模板连线(图1-2中电桥4臂电阻还没就位)。1)入模板电源15V(从主控台引入),检查无误后,合上主控台电源开关,将实验模板调节增益电位器RW3顺时针调节大致到中间位置,再进行差动放大器调零,方法为将差放的正负输入端与地短接,输出端与主控台面板上数显表输入端Vi相连,调节实验模板上调零电位器RW4,使数显表显示为零(数显表的切换开关打到2V档)。关闭主控箱电源(注意:当Rw3、Rw4的位置一旦确定,就不能改变)。2)将应变式传感器的4个电阻应变片(即模板左上方的R1 R2 R3 R4)接入电桥,接好电桥调零

5、电位器RW1,接上桥路电源4V(从主控台引入)如实验模版图所示。检查接线无误后,打开主控台电源。调节RW1,使数显表显示为零。图12应变传感器接线图4、电子称上放置一只砝码,读取数显表数值,依次增加砝码和读取相应的数显表值,直到200g(或500 g)砝码加完。记下实验结果填入表11中(全桥)。5、(1)将应变式传感器的其中2个电阻应变片R1 R2(即模板左上方的R1 R2)接入电桥作为2个桥臂与R6、R7接成直流电桥(R6、R7模块内已接好),接好电桥调零电位器RW1,接上桥路电源4V(从主控台引入)参照实验模版图。检查接线无误后,合上主控台电源开关。调节RW1,使数显表显示为零。(2)电子

6、称上放置一只砝码,读取数显表数值,依次增加砝码和读取相应的数显表值,直到200g(或500 g)砝码加完。记下实验结果填入表11中(半桥)。6、(1)将应变式传感器的其中一个电阻应变片R1(即模板左上方的R1)接入电桥作为一个桥臂与R5、R6、R7接成直流电桥(R5、R6、R7模块内已接好),接好电桥调零电位器RW1,接上桥路电源4V(从主控台引入)参照实验模版图。检查接线无误后,合上主控台电源开关。调节RW1,使数显表显示为零。(2)电子称上放置一只砝码,读取数显表数值,依次增加砝码和读取相应的数显表值,直到200g(或500 g)砝码加完。记下实验结果填入表11(单臂电桥)。五、实验数据处

7、理与分析1、按表11所记录的实验数据, 在同一坐标系下绘制三种电路下的输入输出曲线。表11全桥、半桥、单臂电桥输出电压与加负载重量值重量(g)全桥电压(mV)半桥电压(mV)单臂全桥电压(mV)2、按表1-1数据,分别计算全桥、半桥、单臂三种电路下的系统灵敏度S、非线性误差f1。系统灵敏度SU/W(U输出电压变化量,W重量变化量)和非线性误差f1=m/yF.S 100式中m为输出值(多次测量时为平均值)与拟合直线的最大偏差:yFS满量程输出平均值,此处为200g(或500g)。六、思考题1、全桥测量中,当两组对边(R1、R3为对边)电阻值相同时,即R1=R3,R2=R4,而R1R2时,是否可以

8、组成全桥?2、某工程技术人员在进行材料拉力测试时在棒材上贴了两组应变片,如何利用这两片电阻应变片组成电桥,是否需要外加电阻?3、桥路(差动电桥)测量时存在非线性误差,是因为什么?4、单臂电桥时,桥臂电阻应变片应选用:(正)受拉应变片;(负)受压应变片;正、负应变片均可以吗?成绩给定:实验预习操作过程数据分析思考题综合成绩教师签字:实验二 电容传感器特性实验一、实验目的1. 了解电容式传感器结构及其特点;2. 掌握差动电容传感器的工作原理。二、实验内容及原理利用平板电容CAd和其它结构的关系式通过相应的结构和测量电路可以选择、A、d中三个参数中,保持二个参数不变,而只改变其中一个参数,则可以有测

9、谷物干燥度(变)测微小位移(变d)和测量液位(变A)等多种电容传感器。三、实验仪器及材料1. 电容传感器、测微头;2. 电容传感器实验模板、相敏检波、滤波模板;3. 数显单元、直流稳压源;4. 铜导线若干。四、实验步骤1关闭主控箱电源,准备接线;2按安装示意图2-1将电容传感器装于电容传感器实验模板上,将电容传感器通过专用连接电缆与电容传感器实验模板插孔相连,利用普通导线连接数显单元和15V直流稳压源;3接通主控箱电源;图21安装示意图4接法正确则测微头左右移动时,数显表有正、负输出。不然得调换接头;5电位器RW调到最大;6调整测微头,使刻度指示在4 mm左右;7调整测微头整体位置,使数显表在

10、2V量程上接近0 mV,(在200 mV之间,)实现粗调,用定位螺丝轻轻固定住测微头,防止整体转动;8旋动测微头,使数显表在2V量程上接近0 mV,(在5 mV之间,)实现细调;9旋动测微头,使刻度指示减少1 mm,确定当前位置-1 mm,记录输出电压值;10旋动测微头推进电容器传感器动极板位置,每间隔0.2mm记下位移X与输出电压值,填入表21。五、实验数据处理与分析1. 分析、总结实验过程,利用实验数据绘制输出电压与位移的关系曲线。表21电容传感器位移与输出电压值位移(mm)-1-0.8-0.6-0.4-0.200.20.40.60.81电压(mV)2. 根据表21数据计算电容传感器的系统

11、灵敏度S和非线性误差f。六、思考题1电容传感器实验模板上的L1、L2的作用是什么?2是否可以选用其它测量电路?成绩给定:实验预习操作过程数据分析思考题综合成绩 教师签字:实验三 电涡流传感器特性实验一、实验目的1. 了解电涡流传感器的工作原理和特性。2. 熟悉电涡流传感器的结构及在位移测量中的应用。二、实验内容及原理高频反射式电涡流传感器和金属测片(三种铁片、铝片和铜片)安装于振动台上,如图3-1所式,将电涡流传感器的线圈通以高频电流,则激励线圈产生磁场,当有导电体接近时,因导电体涡流效应产生涡流损耗,而涡流损耗与导电体离线圈的距离有关,因此可以进行位移测量。图31电涡流传感器安装示意图三、实

12、验仪器 实验平台、直流电源、数显单元、计算机及CSY-V8.0软件; 电涡流传感器、振动台、测微头、铁圆片; 电涡流传感器实验模板;4 铜导线若干;四、实验步骤图32 电涡流传感器位移实验接线图1、关闭主控箱电源,观察传感器结构;2、将电涡流传感器输出线接入实验模板上标有L的两端插孔中,作为振荡器的一个元件,用连结导线从主控台接入15V直流电源接到模板上标有15V的插孔中;3、将实验模板输出端Vo与与通信接口(A)相连(或将V0与数显单元输入端Vi相接,数显表量程切换开关选择电压20V档);4、开启主控箱电源开关;5、使测微头与传感器线圈端部接触,点击开始按扭,出现静态测量值,改变测微头位置,

13、每0.2mm点击下一步,测量8mm的数据;6、由数显单元读取电压值,在中记录数据。五、实验数据处理与分析1、分析、总结实验过程,利用表3-1中实验数据,绘制输入输出曲线。表31位移(mm)V(mV)位移(mm)V(mV)2. 采用端基法或最小二乘法,分析3mm线性区域的灵敏度和线性度。六、思考题1、请举电涡流传感器应用的例子;2、总结电涡流传感器的特点;改变被测金属片对测量结果的影响。3、电涡流传感器的量程与哪些因素有关,如果需要测量5mm的量程应如何设计传感器?成绩给定:实验预习操作过程数据分析思考题综合成绩教师签字:实验四 压电式传感器特性实验一、实验目的1. 了解压电式传感器的原理、压电加速度传感器的构成及应用。2. 熟悉和掌握压电传感器的测量振动的原理和方法。二、实验原理压电式传感器由惯性质量块和受压的压电片等组成。(观察实验用压电加速度计结构)工作时传感器感受与试件相同频率的振动,质量块便有正比于加速度的交变力作用在晶片上,由于压电效应,压电晶片上产生正比于运动加速

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