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1、固态相变试卷一、选择题(单项选择) 每题2分，共 30分H，两组元的热力学因子Fa ” +器”和A1 、在 A,B 两组元组成的置换固溶体中FB11 + g 丫 B 之间的关系是： B I d In X IBC) FA=FBD) 无确定的数量关系ABA) F FB) F FA B A B2、Kirkendall 反应发生在A) 置换固溶体 B) 间隙固溶 C) 纯金属D) 稳定化合物3、由于扩散而引起的点阵平面迁移的方向A) 和A(大半径)原子扩散方向一致C) 和空位流方向一致B) 和B(小半径)原子扩散方向一致D) 和空位流方向相反4、晶界作为高扩散率通道的作用和A) 温度有关，温度越高晶界
2、作用越明显B) 温度有关，温度越高晶界作用越不明显C) 溶质浓度有关，浓度越高晶界作用越明显D) 溶质浓度有关，浓度越高晶界作用越不明显5、非稳定扩散和稳定扩散的区别在于A) 稳定扩散是间隙扩散，非稳定扩散是置换扩散B) 稳定扩散是间隙扩散，非稳定扩散是互换扩散C) 稳定扩散时扩散系数和浓度有关，非稳定扩散时扩散系数和浓度无关D) 稳定扩散时浓度和时间无关，非稳定扩散时浓度随时间变化6、小角度扭转晶界和倾转晶界的区别是A) 倾转晶界的转动轴和晶面垂直，扭转晶界转动轴和晶面平行B) 倾转晶界由两组螺位错交叉组成，扭转晶界由一组刃位错组成C) 倾转晶界由混合位错组成，扭转晶界由一组刃位错组成D)
3、倾转晶界由一组平行刃位错组成，扭转晶界由一组交错的螺位错组成合r7、多晶体中每段晶界上必须作用有大小等于F = r的扭距项，才能维持晶界不动。那么多晶体平r 0衡时，不同晶界的扭矩项是靠A) 晶界热激活提供B) 晶界的相互作用提供C) 晶界上的第二相提供D) 晶界上的杂质原子提供8、再结晶的驱动力和晶粒长大的驱动力A) 相同，因为是同一过程的两个阶段B) 相同，因为它们的驱动力都是减少系统界面能C) 不同，因为再结晶驱动力是消除晶粒中的应变能，而晶粒长大是减少界面能D) 不同，因为再结晶的驱动力是减少晶粒的界面能，而晶粒长大是减少体积自由能9、若a+卩两相合金中，a和卩之间是K-S位相关系，贝
4、妆/卩相界是A) 完全共格界面B) 由小台阶组成的复杂半共格界面C) 由小台阶组成的非共格界面D) 平直的半共格界面10、Al-Ag系中GP区是球状，而Al-Cu系中GP区是层状，这是因为A) Al-Ag系中GP区错配度6为正值,Al-Cu系中GP区错配度6为负值B) Al-Ag系中GP区错配度61%, Al-Cu系中GP区错配度55%, Al-Cu系中GP区错配度57% 滑动界面和非滑动界面的主要区别是A) 滑动界面两侧两相结构相同，非滑动界面两侧两相结构不同B) 滑动界面两侧两相成分相同，滑动界面两侧两相成分不同C) 滑动界面上位错可沿界面运动，非滑动界面上位错不可沿界面运动D) 滑动界面
5、一侧的位错可沿和界面相交的滑移面运动至界面另一侧，而非滑动界面上的位错 只能沿界面运动若相变是扩散控制，则A) 相界迁移率很高，相变驱动力很小B) 相界迁移率很低，相变驱动力很高C) 相界迁移率和相变驱动力都很高D) 相界迁移率和相变驱动力都很小 若以界面迁移将相变分类，则A) 马氏体相变是扩散控制长大B) 珠光体转变是界面控制长大C)有序化转变是扩散控制长大D)块状转变(massive)是界面控制长大形核驱动力和相变驱动力之间的关系是A) 形核驱动力大于相变驱动力B) 形核驱动力小于相变驱动力C) 均匀形核驱动力小于相变驱动力，非均匀形核驱动力大于相变驱动力D) 均匀形核驱动力大于相变驱动力
6、，非均匀形核驱动力小于相变驱动力在 fcc 晶体中， hcp 沉淀容易在层错上形核是因为A)层错形核的lAGdI大B)层错形核的lAGvI大C)层错形核的lAGsI小D)层错形核的丫(界面能)小Au-Cu合金中盘状GP区的盘面垂直与100 .：方向是因为A) 100 ；方向是密排方向B) ；100 ；：方向上原子间距最大C) 100 ；方向上基体和GP区共格D) ：；100；方向上基体和GP区不共格GP 区的形成速率和A) 固溶处理温度有关，处理温度越高， GP 区形成速率越高B) 时效处理温度有关，处理温度越高， GP 区形成速率越高C) 淬火介质温度有关，介质温度越高， GP 区形成速率越
7、高D) 基体晶粒大小有关，晶粒越小， GP 区形成速率越高化学调幅和共格调幅相比A) 化学调幅要求的过冷度大，成分范围宽B) 共格调幅要求的过冷度大，成分范围宽C) 共格调幅要求的过冷度大，成分范围窄D) 化学调幅要求的过冷度大，成分范围窄 在钢中加入的合金元素中A) 铁素体稳定化元素不能提高淬透性，因为它提高共析转变温度B) 奥氏体稳定化元素不能提高淬透性，因为相变时碳不重新分配C) 只有碳化物形成元素能提高淬透性D) 上述三种元素均能提高钢的淬透性珠光体的生长速率和最小层间距A) 都和AT有关，随AT增加生长速率减小，最小层间距增大B) 都和AT无关C) 都和AT有关，随AT增加生长速率增
8、大，最小层间距减小D) 都和AT有关，随AT增加生长速率和最小层间距都增大 21、在Cu-Zn系中，某一成分的合金，在高温时平衡组织是单一卩相，室温平衡组织是单一Q相，设在冷却过程中a从卩中脱溶的驱动力为AGp,发生块状沉淀的驱动力是AGm1发生马氏体转变的驱 动力是AG 2，则这三者之间的关系是m2A)AG AG AGB)AG AG AGpm2m1pm1m2C)AG AG AGD)AG AG AGm1m2pm2pm122、对于存在无序有序转变的合金中，若反向畴界越多，则A) 系统的自由能 G 越高C)系统的自由能G越小23、属于均匀形核的相变过程有A) GP区沉淀C) 块状转变24、位错在马
9、氏体相变中的作用是A) 提高形核驱动力C) 减少马氏体/奥氏体界面能B) 系统发生无序一有序转变时的AH变化越大D) 系统发生无序一有序转变时的AH变化越小B) 马氏体相变D) 无序有序转变B) 降低形核势垒D) 降低应变能、什么类型的扩散过程会伴随点阵平面的迁移，从晶体学模型说明为什么会发生点阵平面的迁移(可以用图解说明)，并由此推导迁移速率和Darken方程。15分三、什么是复杂共格界面，两种不同的相为什么会形成复杂共格界面？当孪晶界和孪晶面不重合时(非共格孪晶)，孪晶界和复杂共格界面有什么相同和不同之处。15分四、什么是复杂共格界面，其原子结构具有什么特征？从共格向非共格过渡的临界条件是
10、什么？为什么实际上可以看到的共格脱溶相晶粒的尺寸比共格沉淀的理论半径大？五、什么是调幅分解，它与共析分解和胞状沉淀有和异同？调幅分解时，系统的自由能变化受哪些因素的影响？为什么调幅波波长九有极小值？推导九的极小值的表达式。15分六、条状(lath)马氏体和片状(plate)马氏体的生长机制有什么不同，若切应变S=0.2时，片状马氏体为 什么不能以位错滑移的方式长大。10分七、在稀固溶体(X1) 中脱BxAG = RT lnpnxe式中Xo和Xe是合金中溶质摩尔百分数和平衡态时的溶质百分数15分A) 若 Xo=0.1Xe=0.02T=600KR=8.31T/mol计算AGnB) 假定是均匀形核，
11、临界晶核半径是多大？设 Yap=200mJm-2Vm=10-5m3C) 若卩是纯溶质(X 0 =1)，确定平衡时脱溶物体积分数BD) 若卩析出物为球状，间距为50nm，确定沉淀颗粒的平均半径和临界晶核的半径之比。八、二元置换合金中A) 为什么空位扩散系数D远大于自扩散系数Da?vAB) 示踪原子的扩散系数Da*、DB*的物理一样是什么？ Da*和DA有什么不同？测定DA*和DB* 的意义何在？九、什么叫扩散控制长大？什么叫界面控制长大？ Massive相变属于扩散控制长大还是界面控制长 大？为什么？十、 沉淀相变时，形核驱动力和相变驱动力有何区别？两着哪一个的值大？为什么？(可用图说明) 十一
12、、 马氏体形核属均匀形核还是非均匀形核？为什么？试从理论和实验两方面说明之。十二、 界面控制长大和扩散控制长大有何区别？脱溶沉淀相变是否一定属于扩散控制长大？为什 么？块状相变属于哪种类型长大？为什么？ 10 分十三、什么是一级相变？什么是二级相变？从热力学函数H、G、Cp和温度T的关系说明两者的区别？本课程涉及的相变中哪几种属于二级相变？15 分十四、 杂质原子对晶界迁移率的影响与夹杂物对晶界迁移率的影响有何异同？为什么特殊大角度晶 界的迁移率对杂质原子不敏感？10 分十五、GPZ形成速率和哪些因素有关？为什么？什么是PFZ,它的宽度和哪些因素有关？ 10分十六、什么是Kerkendall效应？它说明了置换合金扩散时发生的什么现象？为什么有这种现象发生（可以用图解说明）？若用高碳钢和工业纯铁组成一对扩散偶,是否会发生 Kerkendall 效应？为什么？十七、说明为什么面心立方晶体中，在一组密排面的每一个面上都有一个Shockley不完全位错扫过, 就可能形成原晶体的孪晶？十八、为什么置换固溶体中原子扩散时会导致点阵平面的迁移？（可用图解说明）？试推导点阵平 面的迁移速率十九、 GPZ 是否是均匀形核？为什么？从什么现象可以证明？调幅分解是否是均匀形核？为什么？ 在学过的相变中列举一个均匀形核的例子，并说明原因。（10分）
