均匀导体圆柱对TM波的雷达散射截面以及表面电流

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1、均匀导体圆柱对TM波的雷达散射截面以及表面电流假设TM极化均匀平面波垂直入射半径为a的无限长均匀导体圆柱,其中导 体圆柱沿z轴放置,波的传播方向如图所示为+x方向。入射电场用柱面波展开,可表示为El = a E e-jk0x = a E e-jk0p皿申=a E j-nJ (k p )e网八八0n0n =-g由 Maxwell 方程 Vx E = - jWpH,得到一 i1一 iHl = Vx EljWR0一 E 1 予一 kE-a 0nj -n+i J (k p )ejn + a 0 0P jwp pn 0申 jwR0 n =-g0 n区1 j-”J (k p )ejnpn 0其中,卩为真空

2、中的磁导率,k为真空中的波数。0 0当pa时,导体外散射场朝外传播。因此,散射电场用柱第二类Hankel函数展开,表示如下Es = a E j-na H( 2(k p )eMz 0n n 0n =-g同理由Maxwell方程Vx E = - jWpH,得到E 1 无 j-nH(2)(k p)aejn + a E 艺 j-na H(2)(k p)ejnn 0 Qq申 jRn n0n =g0 n =g(4)当p a时,由于理想导体的介电常数趋于无穷,则导体内无感应电流和感应磁流。当p= a时,根据导体表面的边界条件,切向电场为0,可以得到电场边界条件Ei+ Esz p=azp=a则有J (k a)

3、 + a H (2()k a) = 0 n 0“求解方程组,从而得到展开项的系数为J (k a)n 0H(2(k a)n如下求导体表面的感应电流由边界条件J=n x H有+ 丁H =_e 顷 + Hs )99 z 99所以Jz=命2g0 -gj-nJ (k a) + a H(2) (k a)ejn申J (k a)n 0J (k a )n 0 H ( 2(k a ) e jn9H (k a) n 0n0(k a)H ( 2(k a) - J (k a)H0n0n0(k a) e jn90e兀a卩-g另外对于远区散射场,k 2je加92 ()k a)兀 k a00j - ne jn 申H( 2()

4、k a)n0op H(2) (kp)Q丄I 2 j jne-jkp则散射电场为n 一(7)na E 区 j-nazn=-g2 j .jne - jk0p ejn9兀k p02 je_jk0 p ejn9 兀k p0一 一 yEs = a E 厶 j-na H(k p)ejn9 = z 0n n 0n=-g=a E 区 az 0nn =-g|E| = 101.0*10T0) break; endendntotal=n;K*计算每个节点处的解析电流*for m=1:NPLpp=(m_0.5)*palen; cp1=sin(pp)_i*cos(pp); cp2=_sin(pp)_i*cos(pp);

5、 ctemp1=1.0;ctemp2=1.0; sum=1/h2n0;for n=1:ntotalctemp1=ctemp1*cp1;ctemp2=ctemp2*cp2;sum=sum+(ctemp1+ctemp2)/h2n(n);endJcur_exactc(m)=2.0*sum/(ka*eta0*pi); endsubplot(1,2,1);plot(abs(Jcur_exactc)title(电流密度)xlabel(散射角(弧度);ylabel(电流密度(A/m);for m=1:360pp=m*2.0*pi/360.0;cp1=cos(pp)+i*sin(pp); cp2=cos(pp

6、)-i*sin(pp);ctemp1=1.0;ctemp2=1.0; sum=jn0/h2n0;for n=1:ntotalctemp1=ctemp1*cp1;ctemp2=ctemp2*cp2; sum=sum+(ctemp1+ctemp2)*jn(n)/h2n(n); endRCS_exact(m)=10.0*log10(4.0/k0*abs(sum)人2);endsubplot(1,2,2);plot(RCS_exact)title(雷达散射截面)xlabel(散射角(度);ylabel(RCS(dbm); toe运行结果:Elapsed time is 1.020000 seconds.密流电35302520雷达散射截面15100100200300400散射角度)5

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