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1、3 IR2110驱动电路设计IR2110 是一种高压高速功率 MOSFET 驱动器，有独立的高端和低端输出驱动通道，其内部 功能原理框图如图 1 所示。它包括输入/输出逻辑电路、电平移位电路、输出驱动电路欠压 保护和自举电路等部分。各引出端功能分别是：1端(L0)是低通道输出；2端(COM)是公共 端; )；3端(VCC)是低端固定电源电压；5端(US)是高端浮置电源偏移电压；6端(UB)是高端 浮置电源电压；7端(HO)是高端输出；9端(VDD)是逻辑电路电源电压；10端(HIN)是高通道 逻辑输入；11端(SD)是输入有效与否的选择端，可用来过流过压保护；12端(LIN)是低通道 输入；1
2、3端(VSS)是逻辑电路的地端。如图所示：在BUCK变换器中只需驱动单个MOEFET，因此仅应用了 IR2110的高端驱动，此时将12端(LIN)低通道输入接地、1端(LO)低通道输出悬空。5端(US)和6端(UB)间连接一 个自举电容C1，自举电容通常为1卩F和0.1卩F并联使用。正常工作时，电源对自举电容C1的充电是在续流二级管D1的导通期间进行。此时，MOEFET截止，其源极电位接近地电 位，+12v电源通过D2给C1充电，使C1上的电压接近+12v,当MOEFET导通而D1截止时, C1自举，D2截止，C1上存储电荷为IR2110的高端驱动输出提供电源。实际应用中，逻辑电源VDD接+5V，低端固定电源电压VCC接+12V；对驱动电路测试时需将 VS 端接地。自举电容C1的值不能太小，否则其上的自举电压达不到12V,驱动脉冲的幅值不够！自举 电容通常为1卩F和0.1卩F并联使用或(105) 1卩F
