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1、第一章 半导体器件基础测试题(高三) 姓名 班次 分数 一、选择题 、型半导体是在本征半导体中加入下列 物质而形成的。 、电子; B、空穴； 、三价元素; D、五价元素。 、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是 。 、掺杂的工艺; 、杂质的浓度： C、温度; D、晶体的缺陷。 3、晶体三极管用于放大的条件,下列说法正确的是 。 A、发射结正偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏； C、发射结反偏、集电结正偏； D、发射结反偏、集电结反偏; 4、晶体三极管的截止条件,下列说法正确的是 。 A、发射结正偏、集电结反偏; B、发射结正偏、集电结正偏； C、发射结反偏、集电结正偏；
2、 D、发射结反偏、集电结反偏； 5、晶体三极管的饱和条件,下列说法正确的是 。A、发射结正偏、集电结反偏； B、发射结正偏、集电结正偏; 、发射结反偏、集电结正偏; 、发射结反偏、集电结反偏； 6、理想二极管组成的电路如下图所示,其两端的电压是 . A、12； B、6V; C、+6V； D、12。 7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是 。 A、运用它的反向特性; 、锗管使用在反向击穿区； C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域； D、都使用正向区域。 8、对于用万用表测量二极管时,下列做法正确的是 。 A、用万用表的R10或R000的欧姆,黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; 、用万用表的
3、R10K的欧姆,黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； 、用万用表的R1或100的欧姆，红棒接正极,黑棒接负极，指针偏转; 、用万用表的R1,黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转; 9、电路如下图所示,则A、B两点的电压正确的是 。 A、=3。5V, UB=3.V,D截止； B、UA=5V， UB=1.,D截止； C、UA=。0V, UB=。5V，D导通; 、UA=1.0， UB1.0V，D截止。 、稳压二极管在电路中的接法,正确的说法是 。 A、稳压管是正向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的正极，负极接电源的负极; B、稳压管是反向并接在电路中，即稳压管正极接电路中电源的负极，负极接电源的正极
4、; C、稳压管是正向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的高电位,负极接电源的 低电位. D、稳压管是反向串接在电路中，即稳压管正极串接电路中电源的低电位，负极接电源的 高电位. 1、电路如下图所示，当电路输入端的电压发生变化时,会引起输出电压的变化，则 下列四种变化中正确的是 。 A、U0IIRUU0; B、UIUIIRURU； C、UIIWIURU0； D、UIWUR。 12、对于三极管放大作用来说，下列说法中最确切的是 。 A、三极管具有电压放大作用； B、三极管具有功率放大作用; C、三极管具有电流放大作用； D、三极管具有能量放大作用。 13、对于二极管来说,下列说法中错误的是
5、。 A、二极管具有单向导电性; B、二极管同样具有放大作用； C、二极管具有箝位功能； D、二极管具有开关等功能. 14、对于三极管的输入特性，下列说法正确的是 . 、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ue之间的关系； B、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Uce之间的关系；C、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ic之间的关系； D、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ie之间的关系; 15、下图中两只二极管的导通状态是 . 、D1、D2导通; B、D1、截止; C、D1导通、D截止； 、D1截止、D2导通。 1、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 。 A、UAO=15V;
6、B、O=12； C、UAO=; D、UA 2. 17、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 。 、UAO=1V； B、AO=1； C、AO 12V； 、UAO 0V。 18、下图中二极管为理想二极管，则输出电压是 。 A、AO=6V； 、U= 6V； C、UO=12V; 、UAO=12V。 19、金属导体的电阻率随温度升高而 ，半导体的导电能力随温度的升高而 . 、升高/升高； B、降低降低; C、升高降低; D、降低/升高。 0、下列是PN结两端的电位值,使PN结导通的是 。 A、端接+5V，N端通过一电阻接7V； B、端接+V，端通过一电阻接+7; C、端接,N端通过一电阻接+V； D、
7、P端接+1V,N端通过一电阻接6V。 1、电路如图所示,R1K，设二管导通时的管压降为0。V，则电压表的读数是 . A、0。5; B、15V; C、3V； D、以上答案都不对。 22、如图所示,设输入信号i为正弦波，幅值为1，二极管导通时正向电压降为06V, 关于输出信号u0波形的说法,正确的是 。 A、输出电压值的范围介于0。6V 0.6V之间； B、输出电压值的范围介于0 +06之间； C、输出电压值的范围介于0V 0V之间; 、输出电压值的范围介于V 1之间。 23、对于A11C三极管的型号,下列说法正确的是 。 、锗管PNP型高频小功率晶体管; B、锗管NP型低频大功率晶体管； C、硅
8、管N型高频小功率晶体管； D、硅管NPN型低频大功率晶体管; 4、对于3DD8C三极管的型号，下列说法正确的是 。 、锗管NP型高频小功率晶体管； B、锗管PP型低频大功率晶体管； C、硅管P型高频小功率晶体管; D、硅管NN型低频大功率晶体管； 25、对于12三极管的型号,下列说法正确的是 。 A、锗管PNP型高频小功率晶体管; B、锗管NP型低频大功率晶体管； C、硅管N型高频小功率晶体管； D、硅管NPN型低频大功率晶体管 6、对于30B三极管的型号，下列说法正确的是 . A、锗管PNP型高频小功率晶体管; B、锗管PNP型低频大功率晶体管； 、硅管NPN型高频小功率晶体管; D、硅管N
9、PN型低频大功率晶体管 7、场效应管属于 控制型器件，晶体三极管则属于 控制器件。 A、电压/电流; B、电流/电压; C、电压/电压; D、电流/电流 28、电路其如图所示,D为理想二极管,则u为 。 A、3V; B、6V； C、V； 、6V. 29、电路如下图所示,已知R=1,R=1K，EV， 晶体管的=5,Ube0。7,当U=0V时, 三极管处于 . 、截止状态； B、放大状态； 、饱和状态； D、击穿状态. 二、判断下列说法是否正确,用“”和“”表示判断结果填入空内。 （1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （)因为N型半导体的多子是自由电子,所以
10、它带负电。（ ) (）PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零.（ ) （4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。（） （6)若耗尽型N沟道S管的GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ) 三、写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U0.。 四、已知稳压管的稳压值UZ6V,稳定电流的最小值IZmin=5m.求下图所示电路中UO和2各为多少伏。五、作图分析题1、 电路如图所示,已知ui10int(v),试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 、 电路如图（a)所示，其输入电压u1和I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD=0。7。试画出输出电压O的波形，并标出幅值。文中不足之处，请您见谅！ /
