常见的零件封装种类

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1、常见的零件封装种类CSP 封装CSP（Chip Scale Package），是芯片级封装的意思。CSP封装最新一代的内存芯片封装技术，其技术性能又有了新的提升。CSP 封装可以让芯片面积与封装面积之比超过 1:1.14，已经相当接近 1:1的理想情况，绝对尺寸也仅有32 平方毫米，约为普通的 BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。CSP 封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2毫米，大大提高了内存芯片在长时 间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度提高。CS

2、P 封装内存芯片的中心引脚形式有效地缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅 提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%-20%。在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于 焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去。CSP封装可以从 背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35C/W，而TSOP热阻40C/W。1、BGA（ball grid array） 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，

3、然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸 点陈列载体（PAC）。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP（四侧引脚扁平封装）小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心 QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国 Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚（凸点）中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些 LSI 厂家正在开发 500 引脚的 BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。

4、现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为， 由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC（见 OMPAC 和 GPAC）。2、BQFP（quad flat package with bumper）带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。 QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起（缓冲垫）以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和 ASIC 等电路中采用 此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右（见QFP）。3、碰焊 PGA(butt j

5、oint pin grid array) 表面贴装型 PGA 的别称（见表面贴装型 PGA）。4、C（ceramic）表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP（数字信号处理器）等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心 距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIPG（G即玻璃密封的意思）。6、Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗 口的Cerq

6、uad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.52W的功率。但封装成本比塑料QFP高35倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从 32 到 368。7、CLCC（ceramic leaded chip carrier） 带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJG（见 QFJ）。8、COB（chip on board） 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交

7、接贴装在印刷线路板上，芯片与基 板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆 盖以确保可靠性。虽然 COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如 TAB 和倒片 焊技术。9、DFP(dual flat package) 双侧引脚扁平封装。是SOP的别称（见SOP）。以前曾有此称法，现在已基本上不用。10、DIC（dual in-line ceramic package）陶瓷DIP（含玻璃密封）的别称（见DIP）.11、DIL（dual in-line）DIP的别称（见DIP）。欧洲半导体厂家多用此名称。12、DIP（dual in-line pa

8、ckage）双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP和slim DIP（窄体型DIP）。但多数情况下并不加区分， 只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip （见cerdip）。13、DSO（dual small out-lint）双侧引脚小外形封装。SOP的别称（见SOP）。部分半导体厂家采用此名称。1

9、4、DICP（dual tape carrier package）双侧引脚带载封装。TCP（带载封装）之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利 用的是TAB（自动带载焊接）技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。 另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ（日本电子机械工 业） 会标准规定，将 DICP 命名为 DTP。15、DIP(dual tape carrier package) 同上。日本电子机械工业会标准对 DTCP 的命名(见 DTCP)。16、FP(flat package)扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或S

10、OP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在 LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技 术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠 性。因此必须用树脂来加固 LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。18、FQFP(fine pitch quad flat package)小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家

11、采 用此名称。19、CPAC(globe top pad array carrier)美国 Motorola 公司对 BGA 的别称(见 BGA)。20、CQFP(quad fiat package with guard ring)带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料 QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装 在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。21、H-(with heat sink)表示带散热器的标记。例如， HSOP 表示带散热器的 SOP。22

12、、pin grid array(surface mount type) 表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不 怎么大，而引脚数比插装型多（250528），是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。23、JLCC（J-leaded chip carrier）J形引脚芯片载体。指带窗口 CLCC和带窗

13、口的陶瓷QFJ的别称（见CLCC和QFJ）。部分半 导体厂家采用的名称。24、LCC（Leadless chip carrier）无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFNC （见QFN）。25、LGA（land grid array）触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点（1.27mm中心距）和447触点（2.54mm中心距）的陶瓷LGA,应用于高速逻辑 LSI 电路。LGA 与 QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗

14、 小，对于高速 LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计 今后对其需求会有所增加。26、LOC（lead on chip）芯片上引线封装。 LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的 中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达 1mm 左右宽度。27、LQFP(low profile quad flat package) 薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。28、LQUAD陶瓷QFP之

15、一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高78倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了 208引脚（0.5mm中心距）和160引脚（0.65mm 中心距）的 LSI 逻辑用封装，并于 1993 年10 月开始投入批量生产。29、MCM（multi-chip module） 多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分 为 MCML， MCMC 和 MCMD 三大类。MCML 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCMC 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCML。MCM-D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或氮化铝）或Si、Al作为基板的组件。 布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。30、MFP（mini flat package）小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称（见SOP和SSOP）。部分半导体厂家采用的名称。31、MQFP（metric quad flat package）按照JEDEC（美国联合电子设备委员会）标准对QFP进行的一种分类。指引脚中心距为0.65mm、