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1、泓域咨询/吉安负性光刻胶项目可行性研究报告目录第一章 市场分析7一、 市场端乘国内成熟制程产能增长东风，从中低端产品开始发力7二、 半导体工业发展的基石光刻技术10三、 大陆晶圆代工厂成熟制程快速扩建，国产光刻胶企业迎来重大机遇12第二章 项目概述15一、 项目名称及投资人15二、 编制原则15三、 编制依据16四、 编制范围及内容16五、 项目建设背景17六、 结论分析21主要经济指标一览表23第三章 产品方案26一、 建设规模及主要建设内容26二、 产品规划方案及生产纲领26产品规划方案一览表26第四章 项目选址可行性分析28一、 项目选址原则28二、 建设区基本情况28三、 全力扩大有效
2、投资32四、 项目选址综合评价35第五章 发展规划分析36一、 公司发展规划36二、 保障措施37第六章 SWOT分析40一、 优势分析（S）40二、 劣势分析（W）42三、 机会分析（O）42四、 威胁分析（T）44第七章 法人治理结构49一、 股东权利及义务49二、 董事54三、 高级管理人员58四、 监事60第八章 进度规划方案63一、 项目进度安排63项目实施进度计划一览表63二、 项目实施保障措施64第九章 劳动安全65一、 编制依据65二、 防范措施68三、 预期效果评价73第十章 组织机构及人力资源74一、 人力资源配置74劳动定员一览表74二、 员工技能培训74第十一章 环保分
3、析76一、 编制依据76二、 建设期大气环境影响分析77三、 建设期水环境影响分析79四、 建设期固体废弃物环境影响分析79五、 建设期声环境影响分析80六、 环境管理分析81七、 结论84八、 建议85第十二章 原辅材料及成品分析86一、 项目建设期原辅材料供应情况86二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理86第十三章 投资估算及资金筹措88一、 编制说明88二、 建设投资88建筑工程投资一览表89主要设备购置一览表90建设投资估算表91三、 建设期利息92建设期利息估算表92固定资产投资估算表93四、 流动资金94流动资金估算表95五、 项目总投资96总投资及构成一览表96六、 资金筹措与
4、投资计划97项目投资计划与资金筹措一览表97第十四章 项目经济效益分析99一、 经济评价财务测算99营业收入、税金及附加和增值税估算表99综合总成本费用估算表100固定资产折旧费估算表101无形资产和其他资产摊销估算表102利润及利润分配表104二、 项目盈利能力分析104项目投资现金流量表106三、 偿债能力分析107借款还本付息计划表108第十五章 项目招投标方案110一、 项目招标依据110二、 项目招标范围110三、 招标要求110四、 招标组织方式113五、 招标信息发布116第十六章 总结说明117第十七章 补充表格119主要经济指标一览表119建设投资估算表120建设期利息估算表
5、121固定资产投资估算表122流动资金估算表123总投资及构成一览表124项目投资计划与资金筹措一览表125营业收入、税金及附加和增值税估算表126综合总成本费用估算表126固定资产折旧费估算表127无形资产和其他资产摊销估算表128利润及利润分配表129项目投资现金流量表130借款还本付息计划表131建筑工程投资一览表132项目实施进度计划一览表133主要设备购置一览表134能耗分析一览表134本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 市场分析一、 市场端乘国内成熟制程产能增长东风，从中低端产品开始发力晶
6、圆制造材料市场规模稳步提升，中国大陆市场增速全球最高。半导体制造所需材料种类繁多，按前后端工艺分为晶圆制造材料和组装与封测所需材料。根据SEMI数据，2007-2021年，晶圆制造材料与封装材料的市场规模总体上都呈现出上升态势，并且前者增速更高。根据SEMI数据，2015年晶圆制造材料的市场规模约为240亿美元，晶圆封装材料的市场规模为192亿美元。根据SEMI预测，2021年全球晶圆制造材料市场规模升至344亿美元，2015-2021年CAGR为6.2%；全球晶圆封装材料的市场规模将达215亿美元，2015-2021年CAGR为1.9%。根据SEMI数据及预测，从全球不同地区的半导体材料市场
7、来看，亚洲地区占据了大部分市场份额，其中又以中国台湾的市场规模最大。2021年中国台湾半导体材料市场规模预计将达到127亿美元，占比达22.2%。增长率方面，各地区2016-2021年半导体材料市场的年均复合增长率在3.9%至8.4%之间，其中受益于下游晶圆代工产能快速增长的中国大陆晶圆制造材料市场规模年均增长率最高达8.4%。根据SEMI预测，2021年全球晶圆制造材料市场中半导体光刻胶及其配套试剂的总体市场规模占比将达到12.9%，仅次于硅片与电子特气位列第三；预计2021年全球半导体光刻胶市场规模将达到19.8亿美元，2016年至2021年的半导体光刻胶全球市场规模CAGR约为5.7%。
8、而国内市场方面，根据彤程新材数据，2021年国内半导体光刻胶市场规模预计可达32.3亿元，同比增速高达45%。此外，根据彤程新材预测，伴随着国内晶圆代工产能的不断提升，2025年国内半导体光刻胶市场规模有望达到100亿元，2021-2025年间半导体光刻胶的市场规模CAGR将达到32.6%。先进制程的发展并不意味着中低端产品的淘汰。芯片是由很多层结构有机地堆砌而成的，根据芯片结构设计，每一层的结构与沟槽尺寸各有区别。在芯片的制造过程中，特别是先进制程芯片的制造过程中，如果每一层都使用最先进光刻工艺、设备、材料来进行制造的话，对于晶圆制造厂商而言其建设芯片生产线的资本开支、后期设备的维护成本以及
9、原材料成本将会过高。因此在芯片中，有很多层的结构其实是可以使用前一代或者更早期的光刻工艺来完成的，这就使得KrF光刻胶、i线光刻胶和g线光刻胶等半导体光刻胶中相对中低端的产品在先进制程中也仍有用武之地。也正因如此，全球最顶级的光刻机厂商ASML在拥有了大量ArF和EUV光刻机的产品下，也仍然对外出售KrF光刻机和iLine光刻机等中低端产品。目前全球晶圆代工产能绝大部分都集中在东亚地区，截至2019年，中国台湾、韩国、日本和中国大陆的合计晶圆代工产能占比高达73%（折算8英寸片产能），然而10nm及以下节点逻辑芯片的先进制程产能由中国台湾的台积电和韩国的三星所垄断，而中国大陆的产能结构则几乎全
10、以28nm及以上的成熟制程为主。截至2019年，在28nm及以上节点的逻辑芯片成熟制程产能中，中国大陆的产能占比达到22.0%，仅次于中国台湾（35.9%），位列全球第二。从全部半导体晶圆代工总产能角度来看，根据ICInsights数据，截至2020年年底，在全部折算为8英寸片的数据口径下，中国大陆的晶圆代工月产能达到330万片/月，产能总量与日本相当，其中相对高端的12英寸片月产能占比达到63.6%。2017至2020年间，全球投产的晶圆厂约为62座，其中26座设于中国大陆。而根据BCG的统计数据，截至2020年9月全球在建晶圆代工产能达到540万片/月，其中中国大陆的在建产能占比最高，达4
11、2%。根据BCG的预测，2020至2030年期间，全球晶圆代工产能复合增长率约为4.6%，其中中国大陆的晶圆代工产能增速最快，预计2030年中国大陆的晶圆代工产能的全球占比将达到24%，位居全球第一。同时在这十年期间，中国大陆的新增产能占比约为30%。而根据SIA的预测，2019至2030期间，中国大陆的晶圆代工产能复合增速达到10.7%，2019至2025年期间CAGR高达14.3%，到2030年中国大陆的晶圆代工产能的全球占比将由2019年的16%提升至29%。不论是从哪一种预测口径来看，中国大陆的晶圆代工产能增速都领先于其他国家或地区，到2030年中国大陆的晶圆代工产能占比将达到全球第一
12、的位置，中国大陆半导体产业未来的高速发展可以预期。同时，在新增产能的制程结构方面，由于先进制程技术禁运以及高技术壁垒等原因，中短期内中国大陆的新增晶圆代工产能绝大部分仍将为成熟制程产能。二、 半导体工业发展的基石光刻技术1904年英国物理学家弗莱明发明了二级检波管（弗莱明管），1907年美国发明家弗雷斯特发明了第一只真空三极管，而世界上第一台通用电子计算机ENIAC则于1946年由约翰冯诺依曼等人在美国发明完成。ENIAC由17,468个电子管和7,200根晶体二极管构成，重量高达30英吨，占地达170平方米。1947年12月，美国贝尔实验室正式成功演示了第一个基于锗半导体的具有放大功能的点接
13、触式晶体管，并于1954年开发出了第一台晶体管化计算机TRADIC。TRADIC由700个晶体管和10,000个锗二极管构成。 现如今已经来到21世纪20年代，在ENIAC和TRADIC发布大半个世纪后，华为公司于2020年10月22日发布了截至当时全球最为先进的芯片产品之一基于5nm工艺制程的手机SoC芯片麒麟9000。麒麟9000集成了多达15,300,000,000个晶体管，将手机所需的CPU、GPU、NPU、ISP、安全系统和5G通信基带等计算单元都集成于一体。与ENIAC和TRADIC相比，麒麟9000的电子元器件数量增加了约100万倍，但整体的器件体积和质量却有了极大程度的缩小，搭
14、载有麒麟9000芯片的华为Mate40Pro手机的重量仅为212克。从ENIAC和TRADIC到麒麟9000，这反映了全球科技的高速发展，而更确切地说这代表着全球半导体集成电路（IC）工艺的飞跃。19世纪50年代末，仙童（Fairchild）半导体公司发明了基于掩膜版的曝光和刻蚀技术，极大地推动了半导体技术革命，该技术也一直沿用至今。1965年，时任仙童半导体公司研究开发实验室主任的戈登摩尔（GordonMoore）在电子学（Electronics）上发表了题为让集成电路填满更多的元件（CrammingMoreComponentsOntoIntergratedCircuits）的文章，并首次提
15、出了被后世奉为“计算机第一定律”的经验性规律摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可以容纳的元器件的数目，每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。在过去的数十年间，整个半导体工业都始终遵循着摩尔定律向前不断发展。基于现有的晶圆制造工艺规划情况，摩尔定律在未来至少5-10年内仍将保持着“生命力”。半导体工业能够沿着摩尔定律向前发展离不开光刻工艺的不断进步，在光刻领域，对于摩尔定律其实还存在另外一种解读：每18-24个月，利用光刻工艺在集成电路板上所能形成的最小图案的特征尺寸将缩小30%。光刻工艺是半导体制造中通过化学或物理方法进行图案转移的技术。现代光刻工艺通过光学成像系统将掩膜版上的电路设计图样，使用特定波长的光投影到涂覆有光刻胶的硅片上，使其感光并发生化学性质及溶解性的转变，而后再通过显影、刻蚀、去胶等步骤将原掩膜版上的图案信息转移到带有电介质或者金属层的硅片上。在整个芯片制造过程中可能需要进
