五邑大学光电技术试题3

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1、试卷编号11111i1iiIiIiiiiiii1iiiiiiIIIiIIIii1!命题人:李阳审核人: 试卷分类(A卷或B卷)_:五邑大学试卷:学期:2012 至 2013 学年度 第 1 学期!课程: 光电子技术 课程代号:010A1860 使用班级:AP10221、AP10222姓名: 学号: 题号-一一-二二三四五六总分得分单选题:(50分,每小题2分)请将正确的答案填入下表中:题号12345678910答案题号11121314151617181920答案i 1、从光源的分类上分,汞灯属于:(B)!(A)热辐射光源;(B)气体放电光源;(C)激光光源;(D)电致发光光源。2、在辐射度学的

2、基本物理量中,描述点辐射源的辐射功率在不同方向上分布的物理量是(C)(A)辐射能;(B)辐射通量;(C)辐射强度;(D)辐射出射度。! 3、从辐射通量与光通量之间的换算关系可知,1W=(A) lm.;(A) 683;(B) 386;(C) 836;(D) 638。i 4、绝对黑体的温度决定了它的辐射光谱分布,随着温度T的升高,峰值波长 将(A)。m:(A)向短波方向移动;(B)向长波方向移动;(C)不移动;(D)随机移动。5、日光灯是一种低压汞灯,发出波长为(B ) nm紫外光源,再激发荧光粉发了可见光。i(A) 283.7;(B) 253.7;(C) 353.7;(D) 333.7。| 6、

3、激光器的构成一般由(A)组成。i(A)激励能源、谐振腔和工作物质(B)固体激光器、液体激光器和气体激光器!(C)半导体材料、金属半导体材料和PN结材料 (D)电子、载流子和光子II7、热释电器件是由TGS、LiTaO3等热电晶体材料组成的,但不论哪种材料,都有一个特定温度,称居里 温度。只有(C )居里温度,材料才有自发极化性质。(A)等于; (B)高于;(C)低于;(D)不等于。| 8、某种调制的特点是,其优点是容易实现,能对辐射的任何光谱成分进行调制;其缺点是:有运动部!分,寿命较短,体积较大,调制频率不高。这种调制是(D;(A)电光调制;(B)声光调制;(C)磁光调制;(D)机械调制。|

4、 9、电光调制是指在强电场作用下介质折射率改变而产生的光调制。电光调制又分为横向运用和纵向运|用。(A )可以消除自然双折射而引起的相位差。;(A)横向运用;(B)纵向运用;(C)两种运用都;(D)两种运用都不。10、当用斩波器调制入射光,使矩形光脉冲(周期小于 Q的平均寿命)作用到热电晶体表面的黑吸收|层上,交变的厶T使得晶体表面始终存在正比于入射光强的极化电荷。这种现象称为(C )。i(A)热电导效应;(B)热压效应;(C)热释电效应;(D)光热效应。11、在光电探测器的噪声中,有一种是功率谱大小与频率无关的噪声,通常称为白噪声。下列噪声中,属于白噪声的是(A)。(A)热噪声和散粒噪声;(

5、B)产生-复合噪声和1/f噪声;!(C)产生-复合噪声;(D) 1/f噪声。! 12、载流子因浓度不均匀而发生的定向运动称为扩散。由于扩散的作用,流过单位面积的电流称为扩散|电流密度即:J二qD dnJ 一qD业nD n dxPDP dx从上两式可看出,扩散电流密度与正比于光生载流子的浓度()i(A)梯度; (B)散度;(C)旋度;(D)以上都不对。! 13、掺有杂质的半导体在光照下,中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带,同样,中性受主的|束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带,这种吸收称为(B )。i(A)本征吸收;(B)杂质吸收;(C)激子吸收(D)晶格吸收。|14、无光照时,材料具有一定

6、的电导,称为();相应地,有光照时的电导称为()。亮电导与暗 i电导之差称为()。请选择正确的答案(A )。!(A)暗电导-一亮电导一-光电导;(B)亮电导-一暗电导-一光电导;门5、! 式,! 16、:(C)光电导-一暗电导-一亮电导;(D)暗电导-一光电导-一亮电导。如图所示为结型光电器件的伏安特性曲线,若结型光电器件工作在()象限时,称之为()模相应的探测器件被称为()。请选择正确的答案(D)(A)第三-光伏工作-光敏二极管;(B)第四-光伏工作-光每二极管;(C)第三-光伏工作-光电池;(D)第四一-光伏工作一-光电池。“光电二极管与光电池相比较,其特性有所不同,下列的说 法不不正确的

7、是(A )(A)它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较低,而光电二极管掺杂浓度高;!(B)它们的电阻率不同,光电池的电阻率低;(C) 工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而硅光电二极管通常在反向偏置下工作; i (D)它们的光电流的大小不同,硅光电二极管的光电流小得多,通常在微安级。I;17、光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时,光子在(D )激发出电子一空穴对,在自建电场 i的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负。I!(A) P区;(B) N区; (C)中间区;(D)结区。;18、对于光电发射效应,下列说法不正确的是(D )(A)光

8、电发射效应,又称外光电效应;!(B)金属光电发射量子效率都很低,且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区;i(C)半导体光电发射的量子效率远高于金属:光电发射的过程是体积效应,表面能带弯曲降低了电子逸出功,特别是负电子亲和势材料(NEA);(D)良好的光电发射体,应该具备的基本条件之一是表面势垒高。i19、使光学图像变成视频信号的器件叫摄像器件,包括摄像管、电荷耦合器件、CMOS图像传感器。而摄!像管其实就是一个能够输出视频信号的(B )(A)光敏电阻;(B)真空光电管; (C)发光二极管; (D)光电二极管。|20、以下关于CMOS图像传感系统的描述不正确的是(D )(A) CMOS图像传感

9、器的像元结构包括无源像素(PPS)结构和有源像素(APS)结构;(B) CMOS摄像器件集成能力强、体积小、工作电压单一、功耗低、动态范围宽、抗辐射和制造成本i 低;!(C) CMOS摄像器件需进一步提高器件的信噪比和灵敏度;(D)难与驱动电路及信号处理电路单片集成,需要使用相对高的工作电压,制造成本比较高。21、CCD的基本功能是信号(C )的产生、存储、传输和检测。!(A)载流子; (B)电子;(C)电荷; (D)声子。| 22、电荷耦合器件CCD, 般分为线阵和面阵两种。以2048像元的双列两相线阵CCD为例,其结构主要 !由光敏区、(D )和移位寄存器组成。(A)光敏栅;(B)光电栅;

10、 (C)控制栅;(D)转移栅。:23、超扭曲向列型液晶器件(STN-LCD),液晶盒中的液晶分子从上到下扭曲的角度为(D )!(A)60;(B)90;(C)180;(D)180270。24.有源矩阵液晶显示器件AM-LCD是在每一个像素上设计一个非线性的有源器件TFT即(D ),使每i个像素可以被独立驱动,克服交叉效应,可以提高液晶的分辨率和实现多灰度级显示。!(A)结型晶体管;(B)栅型晶体管;(C)薄膜二极管;(D)薄膜晶体管。II25、液晶分子排列整齐,分子能在层内滑动,但不能在上下层之间移动。材料表现出粘度和表面张力 都比较大,对外界电、磁、温度等的变化不敏感。这种液晶属于(A )(A

11、)近晶相;(B)向列相; (C)胆甾相;(D)混合相。i (本题10分)现用一束波长为1.06“m的激光通过KDP晶体做横向电光调制实验,已知KDP负单轴晶|体的0光折射率,其光电系数_。倘若半波电压值为14.5 V,晶体通光长|度为0.05m,试求晶1 体的厚度至少为多少?3二10-6 X10_22九 d23丫L0 63i (本题10分)一只白炽灯,假设各向发光均匀,悬挂在离地面1.5米的高处,用照度计测得正下方地 面的照度为30 lx,试求此灯的光通量。四、i (本题10分)一束波长为635nm、功率为3mW的单色光,其光通量为多少?倘若该光束由一个小的面光 源发射出来,发光面的直径为1

12、mm,发散角为1 mrad,并且人眼只能观看1 cd/cm2的亮度,试求所戴保护眼镜的透过率应为多少?(已知635nm的明视觉光谱光视效率为)=0.25) !五、| (本题10分)在T=300K (室温)时,硅光电池2CR21 (光敏面积为5mmX 5mm),在辐射度L=100mW/cm2 i下测得U =550mV,I =6Ma,考虑I I ,试求同样温度下,辐照度L =50mW/cm2时的U , I各为多OC1SCIe02OC2 SC2!少?(本题10分)现有一 GDB-423型光电倍增管的光电阴极面积为2cm2,阴极灵敏度Sr为25 p A/ lm,倍增 系统的放大倍数为105,阳极额定电流为20p A,求允许的最大光照?

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