《光刻胶项目创业计划书（模板范文）》由会员分享，可在线阅读，更多相关《光刻胶项目创业计划书（模板范文）（140页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、泓域咨询/光刻胶项目创业计划书报告说明光刻胶在经过曝光后，被曝光区域变得可溶于显影剂的为正性光刻胶，反之被曝光区域变得不溶于显影剂的则被称为负性光刻胶。早期的光刻胶材料，如犹太沥青、重铬明胶及其他重铬酸盐胶，都是负性光刻胶。在早期的接触式光刻时代，负性光刻胶因其较高的化学稳定性和较好的成像能力，广泛应用于集成电路板和微电子器件的制造领域。最早的用于电子工业上的光刻胶是由Eastman-Kodak公司于1954年生产出来的聚乙烯醇肉桂酸酯系负性光刻胶，而负性光刻胶中应用最为广泛的则是环化橡胶-双叠氮系负性光刻胶。环化橡胶-双叠氮系负性光刻胶由Kodak公司于1958年研发成功，其感光范围为280
2、460nm。该类光刻胶在硅片上具有良好的粘附性，同时具有感光速度快、感光范围宽、抗湿法刻蚀能力强等优点。该类光刻胶以环化橡胶为成膜树脂，以芳香族双叠氮化合物作为交联剂，在紫外光照射下，交联剂发生光化学反应产生自由基使得不同成膜聚合物分子间发生交联，从而变为具有不溶性的聚合物，展现出负性光刻胶的特质。虽然称负性光刻胶的曝光区具有“不溶性”、非曝光区具有“可溶性”，但是实际上通过曝光引起的化学交联作用不足以完全抑制曝光区光刻胶与溶剂之间的相互作用，曝光区光刻胶在显影过程中会发生溶胀现象。由于溶胀现象的产生，导致光刻胶对于衬底的附着力降低，同时也会使得曝光区光刻胶的图案变形。在微米级别的光刻工艺中，
3、溶胀现象所导致的图案变形问题可以通过选择合适的显影液或其他手段来进行控制，对于整体微观图案的尺寸影响程度不大。然而随着光刻工艺分辨率需求的不断提升，特征尺寸在不断缩小，负性光刻胶的溶胀问题的负面影响更加凸显，导致其难以应用于分辨率在2m以下的光刻工艺中。根据谨慎财务估算，项目总投资7324.05万元，其中：建设投资5530.04万元，占项目总投资的75.51%；建设期利息155.81万元，占项目总投资的2.13%；流动资金1638.20万元，占项目总投资的22.37%。项目正常运营每年营业收入13900.00万元，综合总成本费用11042.33万元，净利润2089.39万元，财务内部收益率21
4、.69%，财务净现值2792.24万元，全部投资回收期5.92年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 市场分析9一、 政策端“强化国家战略科技力量”，行业政策与“大基金”助力突破“卡脖子”领域9二、 聚4-羟基苯乙烯（PHOST）11三、 “半导体材料皇冠上的明珠”光
5、刻胶12第二章 公司基本情况14一、 公司基本信息14二、 公司简介14三、 公司竞争优势15四、 公司主要财务数据17公司合并资产负债表主要数据17公司合并利润表主要数据18五、 核心人员介绍18六、 经营宗旨20七、 公司发展规划20第三章 项目概述22一、 项目名称及投资人22二、 编制原则22三、 编制依据23四、 编制范围及内容23五、 项目建设背景24六、 结论分析24主要经济指标一览表26第四章 项目背景、必要性29一、 负性光刻胶最传统的光刻胶29二、 市场端乘国内成熟制程产能增长东风，从中低端产品开始发力30三、 加快“五区建设”，集聚高质量发展新优势33四、 项目实施的必要
6、性34第五章 建设规模与产品方案36一、 建设规模及主要建设内容36二、 产品规划方案及生产纲领36产品规划方案一览表37第六章 项目选址方案39一、 项目选址原则39二、 建设区基本情况39三、 做实千亿产业基础41四、 用好“三块金字招牌”，打开转型发展新局面42五、 项目选址综合评价43第七章 建筑工程方案44一、 项目工程设计总体要求44二、 建设方案44三、 建筑工程建设指标45建筑工程投资一览表45第八章 法人治理47一、 股东权利及义务47二、 董事49三、 高级管理人员53四、 监事56第九章 运营模式59一、 公司经营宗旨59二、 公司的目标、主要职责59三、 各部门职责及权
7、限60四、 财务会计制度63第十章 SWOT分析说明69一、 优势分析（S）69二、 劣势分析（W）71三、 机会分析（O）71四、 威胁分析（T）73第十一章 劳动安全评价81一、 编制依据81二、 防范措施84三、 预期效果评价88第十二章 节能方案说明89一、 项目节能概述89二、 能源消费种类和数量分析90能耗分析一览表90三、 项目节能措施91四、 节能综合评价92第十三章 工艺技术设计及设备选型方案93一、 企业技术研发分析93二、 项目技术工艺分析95三、 质量管理97四、 设备选型方案98主要设备购置一览表98第十四章 投资计划100一、 编制说明100二、 建设投资100建筑
8、工程投资一览表101主要设备购置一览表102建设投资估算表103三、 建设期利息104建设期利息估算表104固定资产投资估算表105四、 流动资金106流动资金估算表107五、 项目总投资108总投资及构成一览表108六、 资金筹措与投资计划109项目投资计划与资金筹措一览表109第十五章 项目经济效益分析111一、 基本假设及基础参数选取111二、 经济评价财务测算111营业收入、税金及附加和增值税估算表111综合总成本费用估算表113利润及利润分配表115三、 项目盈利能力分析115项目投资现金流量表117四、 财务生存能力分析118五、 偿债能力分析119借款还本付息计划表120六、 经
9、济评价结论120第十六章 风险分析122一、 项目风险分析122二、 项目风险对策124第十七章 项目综合评价说明127第十八章 附表129主要经济指标一览表129建设投资估算表130建设期利息估算表131固定资产投资估算表132流动资金估算表133总投资及构成一览表134项目投资计划与资金筹措一览表135营业收入、税金及附加和增值税估算表136综合总成本费用估算表136利润及利润分配表137项目投资现金流量表138借款还本付息计划表140第一章 市场分析一、 政策端“强化国家战略科技力量”，行业政策与“大基金”助力突破“卡脖子”领域半导体行业是关乎中国科技独立自主的重要领域，中国政府持续出台
10、相关政策推进行业发展及规划蓝图。自21世纪初的极大规模集成电路制造装备及成套工艺项目（即“02专项”）到“十二五”规划、“十三五”规划及各类政策文件，政府部门对半导体行业的重视度、支持度，对相关企业的支持力度逐年增强，通过政策、科研专项基金、产业基金等多种形式为相关企业提供支持。在2020年11月发布的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要中更是提出了“强化国家战略科技力量”的方针，重点强调要从“卡脖子”问题清单和国家重大需求中找出科学问题。集成电路的产业发展一直是我国的“卡脖子”问题之一，我国集成电路产业链中的众多材料、装备、工艺制造技术与全球最为领先的水平
11、存在相当的差距，部分领域存在着明显的“受制于人”的问题，而突破这些“卡脖子”的材料、装备、工艺制造技术等的壁垒必将成为践行“强化国家战略科技力量”这一方针的重点之一。国家大基金是为促进集成电路产业发展设立的，其全称是“国家集成电路产业投资基金”，目前已有两期，均主要投资于集成电路产业。大基金是国家对集成电路产业的政策支持的重要体现。国家大基金一期于2014年9月成立，一期注册资本987.2亿元，投资总规模达1387亿元，主要股东是财政部、国开金融、中国烟草、中国移动、紫光通信等，投资期、回收期、延展期各5年，投资计划为期15年。国家大基金二期于2019年10月22日注册成立，注册资本为2041
12、.5亿元。大基金二期是一期的延续，相比于一期的规模扩大了107%，可见国家扶持集成电路产业的决心。在股东方面，大基金二期同样由财政部、国开金融作为最大股东，两者认缴出资额分别为225亿元和200亿元。不过从大基金二期整体来看，其资金来源更加多样和市场化，共有27位股东，囊括央企、地方国企和民企。从大基金一期的投资细分方向来看，一期主要侧重于晶圆代工、设计和封测等主要的产业大环节的投资布局，而对半导体材料和设备则投资较少。同时大基金关注产业链各环节龙头企业，优先帮助产业链龙头企业成长，加速国内半导体领先技术的孕育催化。大基金二期的投资方向主要集中于设备和材料，大基金总裁丁文武在2020年半导体集
13、成电路零部件峰会表示，大基金二期将从3个方面重点支持国产设备与材料发展：（1）将对在刻蚀机、薄膜设备、测试设备和清洗设备等领域已布局的企业保持高强度的支持；（2）加快开展光刻机、化学机械研磨设备等核心设备以及关键零部件的投资布局；（3）督促制造企业提高国产装备验证及采购比例，为更多国产设备、材料提供工艺验证条件。二、 聚4-羟基苯乙烯（PHOST）聚4-羟基苯乙烯（PHOST）因其在248nm波长下的透明性、高灵敏度和抗刻蚀性等优势，成为了用于KrF光刻技术的光刻胶的主要成分。通过引入不同的酸致脱保护基团，在光致产酸剂的配合下就可以使得KrF光刻胶拥有一定的光响应性，从而在光照条件下发生聚合物
14、的溶解度变化。常见的酸致脱保护基团包括4-叔丁基氧基羰基（t-BOC）类、酯类和乙缩醛类三种。目前主流的KrF化学放大型正性光刻胶往往是具有多种取代基团的共聚物，通过调节聚合物整体的分子量和带有不同取代基团单体的配比来调节光刻胶的性能。根据KrF光刻胶的活化能，可以将KrF光刻胶分为高活化能胶（俗称高温胶，如ESCAP）和低活化能胶（低温胶，如乙缩醛类）。高温胶和低温胶因脱保护的温度差异，导致了比较明显的性能差异。此外，由于空气中存在有一定量的碱性分子，在KrF光刻胶曝光后，光刻胶会接触空气导致曝光后所产生的光酸会被空气中的碱性成分中和掉，最终会造成光刻胶灵敏度的大幅度变化，这一现象被称为曝光
15、到显影的时间延迟问题（PED）。为了解决这一问题，工业界除了采取在洁净室、光刻机等关键地方安装化学成分过滤器以外，还可以通过在光刻胶表面涂布一层保护层来隔绝空气中的碱性物质。三、 “半导体材料皇冠上的明珠”光刻胶伴随着光刻工艺的不断发展，光刻用化学品也在飞速发展，主要的光刻用化学品包括有光刻胶、抗反射层、溶剂、显影液、清洗液等。在这些化学品中，光刻胶凭借其复杂且精准的成分组成具有最高的价值，也是整个半导体制造工艺中最为关键的材料之一，有着“半导体材料皇冠上的明珠”之称。组成成分：光刻胶主要由成膜树脂、溶剂、感光剂（光引发剂、光致产酸剂）、添加剂（表面活性剂、匀染剂等）等部分组成。典型的光刻胶成分中，50%90%是溶剂，10%40%是树脂，感光剂占1%8%，表面活性剂、匀染剂及其他添加剂占比则不到1%。分类标准：对于半导体光刻胶的分类有多种标准，常用的分类标准
